paprika.idref.fr paprika.idref.fr data.idref.fr data.idref.fr Documentation Documentation
Identifiant pérenne de la notice : 069126887Copier cet identifiant (PPN)
Notice de type Personne

Point d'accès autorisé

Barbier, Daniel (19..-...)

Information

(par souci de protection des données à caractère personnel, le jour et le mois de naissance peuvent ne pas être affichés)
Langue d'expression : français
Pays : France
Date de naissance :    19XX
Genre : Masculin

Notes

Note publique d'information : 
Ingénieur INSA. Titulaire d’un doctorat d’Etat ès-Sciences en Physique de la matière (INSA Lyon, 1985)

Note publique d'information : 
Electronicien, Professeur des Universités,et directeur de thèses au Laboratoire Physique de la matière (LPM), INSA Lyon, (de 1989 à 1999)

Note publique d'information : 
Titulaire du Doctorat en Sciences ingénieur. Physique du solide (Lyon, 1977)

Source

Propriétés physico-chimiques et précipitation de l’oxygène dans le silicium : emodifications induites par le recuit rapide isotherme et application au gettering interne / par Catherine Vinante épouse Maddalon ; sous la dir. de Daniel Barbier [Thèse doctorat : Electronique : Lyon, INSA : 1994]

Caractérisation et modélisation de couches minces de 3C-Sic sur Si pour applications aux microsystèmes en environnements sévères / par Christophe Gourbeyre ; sous la dir. de Daniel Barbier [Thèse doctorat : dispositifs de l'électronique intégrée : Lyon, INSA : 2000]

Diffusion et gettering du chrome dans le silicium dopé au bore / par Jin Zhu ; sous la dir. De Daniel Barbier [Thèse doctorat : Génie des matériaux : Lyon, INSA : 1989]

Effets des traitements thermiques au four a lampes halogène sur la création de défauts électriquement actifs et sur le gettering interne du chrome dans le silicium / par Nasr-Eddine Chabane-Sari ; sous la dir. de Daniel Barbier [Thèse doctorat : Electronique : Lyon, INSA : 1993]

Etude de la structure de bandes des alliages pseudo-binaires Zn₁x₋ Mgx Te par spectroscopie en modulation de longueur d'onde / Daniel Barbier ; sous la direction de J. Janin [thèse], 1977

Recuit par faisceau d'électrons pulsé des semiconducteurs/ par Daniel Barbier ; sous la dir. de A. Laugier [Thèse doctorat : Physique de la Matière : Lyon, INSA : 1985]

Élaboration et caractérisation de couches minces piézoélectriques de Pb(Zr,Ti)O3 sur silicium pour applications aux microsystèmes / par Emmanuel Defaÿ ; sous la dir. de Daniel Barbier [Thèse doctorat : Dispositifs de l'Electronique Intégrée : Lyon, INSA : 1999]

Identifiants externes

Identifiant VIAF : http://viaf.org/viaf/58577231
Identifiant ISNI : 0000000038923629

Utilisation dans Rameau

Le point d'accès peut être employé dans un point d'accès sujet
Le point d'accès ne peut s'employer qu'en élément initial

... Références liées : ...