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Notice de type Personne

Point d'accès autorisé

Bouchier, Daniel

Information

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Langue d'expression : français
Pays : France
Genre : Masculin

Notes

Note publique d'information : 
Directeur de thèse à l'Université Joseph Fourier de Grenoble (en 2003)

Note publique d'information : 
Chercheur à "L'Institut d'Electronique Fondamentale" (IEF), responsable de l'équipe SiGeC, Faculté des Sciences d'Orsay. Directeur d'une thèse de : Sciences appliquées. Electronique, Université Paris-Sud 11 (en 2004)

Source

Dépôts chimiques en phase vapeur d'hétérostructures Si/Si(1-x-y)Ge(x)C(y) et Si/Si(1-y)C(y) : application aux transistors n et pMOS à canaux épitaxiés [thèse 2003] / Virginie Loup

Epitaxie sélective et propriétés optiques, électriques des îlots quantiques de Ge sur Si(001) / Huu Lam Nguyen, 2004 [thèse]

Etude des propriétés électro-thermo-mécaniques de nanofils en silicium pour leur intégration dans les microsystèmes / par Pierre Allain ; sous la direction de Alain Bosseboeuf, Université Paris-Sud, 2012 [thèse de Physique]

Information trouvée : Examinateur

Identifiants externes

Identifiant VIAF : http://viaf.org/viaf/203889638

Utilisation dans Rameau

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