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Identifiant pérenne de la notice : 031195458Copier cet identifiant (PPN)
Notice de type Personne

Point d'accès autorisé

Granier, Agnès (1961-.... ; auteure en sciences des matéraiux)
Nom de mariage

Sur le web

Variantes de point d'accès

Laye, Agnès
[Nom de personne]
Nom de naissance
Granier, Laye, Agnès
[Nom de personne]

Information

(par souci de protection des données à caractère personnel, le jour et le mois de naissance peuvent ne pas être affichés)
Langue d'expression : français
Pays : France
Date de naissance :    1961
Genre : Féminin

Notes

Note publique d'information : 
Titulaire d'un doctorat d'ingénieur en sciences (Paris 11, 1986).- directeur de recherche CNRS directrice adjointe de l'Institut des Matériaux de Nantes (UMR_C 6502 Institut des Matériaux Jean ROUXEL), membre de l'équipe Plasmas Couches Minces (en 2018)

Identifiants externes

Identifiant ORCID : 0000-0002-1054-8139
Identifiant VIAF : https://viaf.org/viaf/22197498
Identifiant SCOPUS : 7005625574
Identifiant ISNI : 0000000001690948

Source

Etude du comportement de l'oxyde de silicium dopé au phosphore lors de traitements thermique / Fabien Chabuel [Thèse 2004]

Information trouvée : En poste à l'Institut des Matériaux de Nantes (IMN)

Internet : http://www.univ-nantes.fr/granier-a (2018-01-11)

Mise au point de matériaux barrières diélectriques de type 1-SiC:H à faible permittivité déposés par PECVD pour réduire la capacité intermétallique dans les interconnexions avancées des circuits intégrés / Cédric Charles-Alfred [thèse] ; sous la direction d'Agnès Granier

Étude des décharges crées par onde de surface à moyenne et haute pression / Agnès Granier, 1986 [thèse doct.-ing.]

... Références liées : ...