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Notice de type Personne

Point d'accès autorisé

Remram, Mohamed (1960-....)

Sur le web

Information

(par souci de protection des données à caractère personnel, le jour et le mois de naissance peuvent ne pas être affichés)
Langue d'expression : français
Pays : Algérie
Date de naissance :    1960

Notes

Note publique d'information : 
Maître ès-Sciences , titulaire d’un doctorat en Sciences des matériaux - Electronique des matériaux semiconducteurs (INSA Lyon, 1986)

Identifiants externes

Identifiant VIAF : http://viaf.org/viaf/224095516
Identifiant ARK BNF : http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb12273285q
Identifiant ISNI : 0000000374884585

Source

Etude des défauts électriquement actifs induits par le recuit rapide isotherme dans le silicium / par Mohamed Remram ; sous la dir. de André Laugier [Thèse doctorat : Sciences des matériaux : Lyon, INSA : 1986]
Folio administratif de thèse

... Références liées : ...