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Épitaxie par faisceaux moléculaires
Épitaxie par jets moléculaires
Épitaxie
Faisceaux moléculaires
Growth processes and surface phase equilibria in molecular beam epitaxy / Nikolai N. Ledentsov / Berlin [etc] : Springer , cop. 1999
Développement de l'épitaxie par jets moléculaires pour la croissance d'oxydes fonctionnels sur semiconducteurs / Lamis Louahadj ; sous la direction de Guillaume Saint-Girons et de Catherine Chaix / [S.l.] : [s.n.] , 2014
Epitaxy of crystalline oxides for functional materials integration on silicon / Gang Niu ; sous la direction de Guy Hollinger, de Bertrand Vilquin, et de Guillaume Saint-Girons / [S.l.] : [s.n.] , 2010
Nanosystèmes magnétostrictifs de TRFe2(110) (TR=terre rare) [Ressource électronique] : croissance, morphologie et propriétés magnétiques / Alexandra Mougin ; sous la direction de Catherine Dufour / [S.l.] : [s.n.] , 1999
Etude des propriétés électriques et optiques d'hétérostructures Si/CaF2 déposées sur substrats Si(111) / Guillaume Guirleo / Villeurbanne : [CCSD] , 2004
Elaboration de graphène par épitaxie par jets moléculaires et caractérisation / Éléonore Moreau ; sous la direction de Dominique Vignaud / , 2011
Croissance de NFs d'InP sur silicium par épitaxie par jets moléculaires en mode VLS / Khalid Naji ; sous la direction de Michel Gendry et de Hervé Dumont / , 2010
Effets d'irradiation par des ions légers sur des alliages ferromagnétiques / Cyrille Beigné / [Lieu de publication inconnu] : [Éditeur inconnu] , 2003
Déflexion électrique d'un jet moléculaire : progrès expérimentaux et théoriques / Mohamad Abd El Rahim ; sous la direction de Michel Broyer / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2005
Optimisation de la croissance de MoSe2 - WSe2 par épitaxie de Van der Waals pour la valleytronique / Céline Vergnaud ; sous la direction de Matthieu Jamet / , 2020
Élaboration et caractérisation de phases topologiques de l'alliage Bi₁₋ ₓSbₓ pour la conversion spin charge / Laëtitia Baringthon ; sous la direction de Jean-Marie George et de Patrick Le Fèvre et de Aristide Lemaître / , 2022
Étude de la senbilité à la température de structures laser alumino-phosphorées à multi-puits quantiques sur substrat InP / par Cathy Sion ; sous la direction de Didier Decoster / Villeneuve d'Ascq : Université Lille 1 - Sciences et technologies , 2013
Synthèse de multicouches Ge/GeMn en vue d'applications en spintronique et capteurs bio-chimiques / Minh Tuan Dau ; sous la direction de Vinh Le Thanh / [S.l.] : [s.n.] , 2011
Croissance épitaxiale d'hétérostructures antimoniées sur substrats fortement désadaptés en maille pour applications aux transistors à effet de champ / par Salim El Kazzi ; directeur de thèse : Wallart Xavier ; co-encadrant : Desplanque Ludovic / [S.l.] : [s.n.] , 2012
Croissance de nanofils III-V par épitaxie par jets moléculaires / Thanh Giang Le Thuy ; sous la direction de Henri Mariette et de Rudeesun Songmuang / , 2014
Croissance par jets moléculaires (MBE) des jonctions tunnel magnétiques et semiconducteurs magnétiques sur des substrats de Si(Ge) pour des applications en électronique de spin / Siôn Federico Olive Mendez ; sous la direction. de Vinh Le Thanh / , 2008
Transistor à effet de champ à couche métamorphique AlInAs-GaInAs-GaAs : un nouveau composant pour l'amplification hyperfréquence et la logique ultra rapide / par Pascal Win ; sous la direction de Alain Cappy / [S.l.] : [s.n.] , 1993
Préparation de surfaces structurées et reprise d'épitaxie par jets moléculaires [Ressource électronique] : réalisation de micro et nano structures sur GaAs / Olivier Desplats ; directeur de thèse Chantal Fontaine / Toulouse , 2009
Epitaxie de films minces métalliques : (i) relaxation élastique pendant la croissance pseudomorphe, (ii) épitaxie d'hétérostructures NiMnSb/MgO/NiMnSb pour l'électronique de spin / Pascal Turban ; sous la direction de Stéphane Andrieu / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2001
Nanostructuration par FIB filtrée pour l'élaboration de nanostructures semi-conductrices organisées / Élise Ruiz ; sous la direction de Isabelle Berbezier / [S.l.] : [s.n.] , 2012
Réalisation de structures GaN à polarité périodique en vue d'applications à l'optique non linéaire / par Sébastien Pezzagna ; sous la direction de Jean Massies / [S.l.] : [s.n.] , 2005
Nanostructures GaN pour l'émission dans l'ultraviolet / par Abdelkarim Kahouli ; sous la direction de Jean Massies / [S.l.] : [s.n.] , 2012
Déflexion électrique d'un jet moléculaire : progrès expérimentaux et théoriques / Mohamad Abd El Rahim ; sous la direction de Michel Broyer / [S.l.] : [s.n.] , 2005
Etude de la croissance et de la structure électronique des interfaces Ce-Métaux de Transition / Nadine Witkowski ; sous la direction de Daniel Malterre / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1998
Caractérisation électro-optique de composants térahertz par échantillonnage Franz-Keldysh subpicoseconde / par Ludovic Desplanque ; directeur de thèse : F. Mollot, co-directeur de thèse : J.-F. Lampin / [S.l.] : [s.n.] , 2003
Elaboration par EJM de diodes laser à base de GaSb pour des applications de puissance et de spectroscopie dans le moyen infrarouge / Abdelmajid Salhi ; sous la direction de André Joullié / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2004
Growth of hybrid piezoelectric/magnetostrictive systems for magnetic devices based on surface acoustic wave resonators / Vincent Polewczyk ; sous la direction de Michel Hehn et de Karine Dumesnil / , 2018
Étude théorique d'interfaces pour l'épitaxie de l'aluminate de lanthane sur silicium / par Pierre Boulenc ; sous la direction de : I. Devos / Lille : Atelier national de reproduction des thèses , 2007
Application des contraintes biaxiales à l'amélioration du transport vertical des trous dans les hétérostructures / par Jean-François Lampin / [S.l.] : [s.n.] , 1997
Hétérostructures métal magnétique - barrière tunnel pour l'injection de spin dans les semiconducteurs III-V : étude des propriétés d'interface du système Fe/Al0,48In0,52As(001) / Nicolas Tournerie ; [sous la dir. de] G. Jézéquel / [S.l.] : [s.n.] , 2005
Boîtes et fils de Ge sur Si(001) ordonnés à longue distance par des réseaux de dislocations de flexion / Valier Poydenot ; sous la direction de Jean-Luc Rouvière / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2005
Contribution à l'étude de l'épitaxie par jets moléculaires à grande échelle de semi-conducteurs phosphorés [Ressource électronique] / par Sébastien Dhellemmes ; directeur de thèse : F. Mollot ; codirecteur de thèse : X. Wallart / Villeneuve d'Ascq : Université des sciences et technologies de Lille , 2007
Etude de la commutation résistive d'oxydes binaires (HfO2, TiO2) élaborés par dépôt par jets moléculaires et intégrés dans des dispositifs de type memristifs métal-oxyde-métal : effets du dopage et de l'implantation / Marie Minvielle ; sous la direction de Catherine Dubourdieu et de Gérard Ghibaudo et de Fabien Alibart / , 2017
Ingénierie des propriétés diélectriques d'oxydes pérovskites par nanostructuration jusqu'à l'échelle de la monocouche / Mohamed Elhachmi Bouras ; sous la direction de Guillaume Saint-Girons et de Sébastien Cueff / , 2019
Epitaxy of crystalline oxides for functional materials integration on silicon / Gang Niu ; sous la direction de Guy Hollinger et de Bertrand Vilquin et de Guillaume Saint-Girons / , 2010
Application de la microscopie à sonde locale à l'étude de la surface de GaN(0001) / Stéphane Vézian ; dir. de thèse, Jean Massies / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2000
Croissance de BN hexagonal par épitaxie par jets moléculaires sur nickel / Jawad Hadid ; sous la direction de Dominique Vignaud / , 2021
GaAs-on-Si solar cells based on nanowire arrays grown by molecular beam epitaxy / Romaric de Lépinau ; sous la direction de Stéphane Collin / , 2020
Étude théorique d'interfaces pour l'épitaxie de l'aluminate de lanthane sur silicium / par Pierre Boulenc ; directeur de thèse : I. Devos / [S.l.] : [s.n.] , 2007
Croissance en épitaxie par jets moléculaires et caractérisation structurale de GaAs, GaAlAs sur silicium / par Bernard Bartenlian,... ; sous la direction de M. Pitaval / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1991
Croissance auto-catalysée de nanofils d'InP sur silicium par épitaxie par jets moléculaires en mode vapeur-liquide-solide : application aux interconnexions optiques sur puce / Jean-Baptiste Barakat ; sous la direction de Michel Gendry / [Lieu de publication inconnu] : [éditeur inconnu] , 2015
Dopage avec ions simples et complexes de couches d'arséniure de gallium épitaxiés par jets moléculaires / Sylvain Cavalieri ; sous la direction de Philippe Gaucherel / [S.l.] : [s.n.] , 1986
Conversion photovoltaïque multi spectrale de l'énergie solaire : épitaxie par jets moléculaires de cellules dans Ga₁₋ₓAlₓAs / Anne Saletes / [S.l.] : [s.n.] , 1985
Influence of the epitaxial strain on magnetic anisotropy in LSMO thin films for spintronics applications / Sandeep Kumar Chaluvadi ; sous la direction de Laurence Mechin / , 2017
Boîtes et fils de Ge sur Si(001) ordonnés à longue distance par des réseaux de dislocations de flexion / Valier Poydenot ; sous la direction de Jean-Luc Rouvière / , 2005
Croissance sélective et caractérisation de nanostructures de matériaux III-V élaborées par épitaxie par jets moléculaires / Alexandre Bucamp ; sous la direction de Ludovic Desplanque et de Xavier Wallart / , 2019
Elaboration par épitaxie par jets moléculaires et caractérisation d'hétérostructures pseudomorphiques Ga1-xInxAs/AlInAs sur InP pour transistors à haute mobilité d'électron (HEMT) / par Virginie Drouot ; [sous la direction de Guy Hollinger] / [S.l.] : [s.n.] , 1993
Etude structurale en microscopie électronique en transmission d'hétérostructures GaAs-Composé métallique-GaAs épitaxiées par jets moléculaires / Béatrice Guenais ; sous la direction de Roland Guérin / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1993
Croissance par épitaxie par jets moléculaires de films de nitrure d'aluminium sur substrats de silicium et de carbure de silicium étudiés par microscopie à force atomique en mode non contact et par microscopie à sonde de kelvin sous ultra vide / Florian Chaumeton ; sous la direction de Sébastien Gauthier et de David Martrou / [S.l.] : [s.n.] , 2015
Matériaux III-V épitaxies sur substrats GaAs(111) pour structures laser émettant au-delà du micromètre / Stéphanie Blanc ; sous la direction de Chantal Fontaine / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2002
Hétéroépitaxie de GaN sur Si : De la nucléation à la relaxation des contraintes, étude par microscopie électronique en transmission / Nicolas Mante ; sous la direction de Philippe Vennéguès / , 2016
Première étape de la croissance de GaN sur Si(111) : la nucléation d'AIN / par Arnaud Le Louarn ; sous la direction de Jean Massies / [S.l.] : [s.n.] , 2006
Epitaxie par jets moléculaires d'organométalliques : métallisation de GaAs par CoGa et analyse in situ des processus de surface par photoémission / par Nicolas Viguier ; sous la direction de Francis Maury / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1997
Novel substrates for growth of III-Nitride materials / Vishnuvarthan Kumaresan ; sous la direction de Jean-Christophe Harmand et de Maria Tchernycheva / , 2016
Optical spectroscopy of hexagonal boron nitride : from bulk to monolayer / Christine Elias ; sous la direction de Guillaume Cassabois et de Bernard Gil / , 2020
Développement d'un dispositif expérimental pour la diffraction d'atomes rapides et étude de surfaces d'isolants ioniques / Pierre Soulisse ; sous la direction de Philippe Roncin / , 2011
Elaboration, étude et application d'hétérostructures (Al,Ga)N/GaN épitaxiées par jets moléculaires sur Si (111) / par Franck Natali ; sous la dir. de Jean Massies / [S.l.] : [s.n.] , 2003
Epitaxie par jets moléculaires à sources gazeuses des matériaux AlGaInP sur substrat GaAs pour applications hyperfréquences / par Olivier Schuler ; sous la direction de Francis Mollot / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1998
L'approche paramorphique : Un nouveau procédé pour l'hétéroépitaxie de matériaux idéalement relaxés : Application à la croissance de InGaAs sur InP / par Jean-François Damlencourt ; [sous la direction de Guy Hollinger] / [S.l.] : [s.n.] , 2000
Génération et détection optoélectroniques d'ondes térahertz / par Jean-François Lampin ; directeur des recherches : Francis Mollot / [S.l.] : [s.n.] , 2008
Croissance d'hétérostructures III-V sur des couches tampons de SrTiO3/Silicium / Azza Chettaoui ; sous la direction de Guillaume Saint-Girons / , 2013
Elaboration par épitaxie par jets moléculaires de dopage planaire silicium dans des couches de GaAs et GaAlAs : application à la réalisation de transistors à effet de champ microondes / par Bertrand Splingart ; sous la direction de Yves Druelle / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1993
Nanofils de Ga ( AI) As sur silicium pour les cellules photovoltaïques de 3ème génération : simulation et croissance auto-catalysée / Abdennacer Benali ; sous la direction de Michel Gendry et de Anne Kaminski-Cachopo / , 2017
Structure des Couches d'InN et d'alliages (In,Al)N / Arantxa Vilalta Clement ; [sous la direction de] Pierre Ruterana et Magali Morales / Lille : Atelier national de reproduction des thèses , 2012
Nanofils AlxGa1-xN et AlN pour la réalisation de diodes émettant dans l'UV-C / Alexandra-Madalina Siladie ; sous la direction de Bruno Daudin et de Julien Pernot / , 2019
Étude et réalisation d'une source térahertz accordable de grande pureté spectrale / par Romain Czarny ; directeur de thèse : D. Lippens / Lille : Université de Lille1 , 2013
Superréseaux de dopage NINI : faisabilité par épitaxie sous vide du silicium : propriétés de transport attendues / Nadia Djebbar ; [sous la direction d'] André Vapaille / [S.l.] : [s.n.] , 1988
Caractérisation de couches minces de LaF3 dopées néodyme élaborées par épitaxie par jets moléculaires : conception réalisation de lasers guides d'onde / Christophe Serrano ; [Dir. de thèse] Emmanuelle Daran / Toulouse : [s.n] , 2000
Élaboration de graphène par épitaxie par jets moléculaires et caractérisation / par Éléonore Moreau ; directeur de thèsse : Dominique Vignaud / [S.l.] : [s.n.] , 2011
Contrôle de l’émission spontanée de boîtes quantiques semiconductrices insérées dans des micro-structures à confinement optique originales / Maela Bazin ; sous la direction de Jean-Michel Gérard / , 2010
Développement de matériaux à base de nitrures d'aluminium et application à la réalisation de diodes électroluminescentes ultraviolettes / Aly Zaiter ; sous la direction de Julien Brault et de Guillaume Cassabois / , 2023
Elaboration par épitaxie par jets moléculaires et caractérisation d'hétérostructures pseudomorphiques Ga1-xInxAs/AlInAs sur InP pour transistors à haute mobilité d'électron (HEMT) / par Virginie Drouot ; [sous la direction de Guy Hollinger] / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1993
Localized growth and characterization of silicon nanowires / par Tao Xu ; directeur de thèse : Bruno Grandidier / [S.l.] : [s.n.] , 2009
Dynamique de recombinaison excitonique dans les puits quantiques GaN/AlGaN / Mathieu Gallart ; [sous la direction de] Henry Mathieu / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2001
Integration of epitaxial piezoelectric thin films on silicon / Shi Yin ; sous la direction de Yves Robach et de Bertrand Vilquin et de Gwénaël Le Rhun / , 2013
Des interfaces réelles métal/MgO(001) au transport dans les jonctions tunnel épitaxiées / Muriel Sicot / Villeurbanne : [CCSD] , 2006
Croissance épitaxique à basse température d'hétérostructures Si1-xGex/Si(001) par décomposition catalytique de sources gazeuses en régime moléculaire / Régis Chelly ; sous la dir. de J.-J. Koulmann / [S.l.] : [s.n.] , 1997
Composants pour la génération et la détection d'impulsions térahertz / Olivier Offranc ; sous la direction de Jean-François Lampin / , 2010
Propriétés structurales et magnétiques des superréseaux Fe/Ir(100) / Mohamed Abdallahi Ould Mohamed Lemine ; sous la dir. de Jean-Philippe Bauer / , 1999
Etude des modes de croissance et des mécanismes de relaxation de couches InxGa1-xAs (x < 0,53) contraintes en tension sur InP : Application dans la réalisation d'hétérostructures pour composants optoélectroniques / par Thierry Venet ; [sous la direction de Michel Gendry] / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1998
Analyse du transport dans les jonctions tunnel magnétiques épitaxiées à barrière de MgO(001) par manipulation des interfaces, de la barrière et des électrodes / Frédéric Bonell ; sous la direction de Stéphane Andrieu / , 2009
Nanofils de Ga ( AI) As sur silicium pour les cellules photovoltaïques de 3ème génération : simulation et croissance auto-catalysée / Abdennacer Benali ; sous la direction de Michel Gendry et de Anne Kaminski-Cachopo / , 2017
Etude des propriétés électriques et optiques d'hétérostructures Si/CaF2 déposées sur substrats Si(111) / Guillaume Guirleo ; sous la direction de François Arnaud d'Avitaya et Franck Bassani / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2002
Nanofils de GaN/AlN : nucléation, polarité et hétérostructures quantiques / Thomas Auzelle ; sous la direction de Bruno Daudin / , 2015
Novel solutions for piezogeneration enhancement in GaN nanowires / Tanbir Kaur Sodhi ; sous la direction de Noëlle Gogneau et de Frédéric Houzé / , 2022
Mise en oeuvre d'un dispositif d'épitaxie par jets moléculaires [Ressource électronique] : identification physique du système en vue de sa commande : application au dépôt de GaAs cristallin / par Bernard Delhomme / Ecully : Ecole centrale de Lyon , 2010
Epitaxie de GaAs par jets moléculaires d'organométalliques. Etude in situ de la croissance par photoémission / par Khalid Bouabid ; sous la direction de F. Maury / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1995
Croissance de boîtes quantiques In(Ga)As sur substrats de silicium et de SOI pour la réalisation d'émetteurs de lumière / Ahiram El Akra ; sous la direction de Catherine Bru-Chevallier et de Hervé Dumont / , 2012
P-type thermoelectric Sr-doped LaCrO3 epitaxial films / Dong Han ; sous la direction de Guillaume Saint-Girons et de Romain Bachelet / , 2020
Étude de la senbilité à la température de structures laser alumino-phosphorées à multi-puits quantiques sur substrat InP / par Cathy Sion ; sous la direction de Didier Decoster / [S.l.] : [s.n.] , 1999
Structure des Couches d’InN et d’alliages (In,Al)N / Arantxa Vilalta Clement / Villeurbanne : [CCSD] , 2013
Composants optoélectroniques à microcavités verticales sur GaAs : technologies avancées pour de nouvelles fonctions / Moustapha Condé ; directeurs de thèse Chantal Fontaine, Guilhem Almuneau / [S.l.] : [s.n.] , 2008
Oxydes cristallins à haute permittivité diélectrique épitaxiés sur silicium [Ressource électronique] : SrO et SrTiO3 / par Gabriel Delhaye ; [sous la direction de Yves Robach] / Ecully : Ecole centrale de Lyon , 2006
Croissance par épitaxie par jets moléculaires de structures contraintes GaInAs sur substrat GaAs : réalisation et caractérisation de HEMT's pseudomorphiques GaAlAs/GaInAs/GaAs / Yvon Cordier ; sous la direction de Alain Cappy / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1992
Nanostructures magnétiques auto-assemblées sur des surfaces à faible énergie par épitaxie par jets moléculaires / Fabiola Liscio / Villeurbanne : [CCSD] , 2009
Croissance et caractérisation électrique de nanocristaux d'InAs / SiO2 pour des applications de mémoires non volatiles sur silicium / par Moïra Hocevar ; sous la direction de Michel Gendry et Abdelkader Souifi / [S.l.] : [s.n.] , 2008
Growth and optical characterization of Sb-based materials on InP for optical telecommunication / Yu Zhao ; sous la direction de Eric Tournié / , 2014
Croissance épitaxique à basse température d'hétérostructures Si1-xGex/Si(001) par décomposition catalytique de sources gazeuses en régime moléculaire / Régis Chelly ; sous la direction de J.-J. Koulmann / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1997
Croissance en épitaxie par jets moléculaires et caractérisation structurale de GaAs, GaAlAs sur silicium / par Bernard Bartenlian,... ; sous la direction de M. Pitaval / [S.l.] : [s.n.] , 1991
Diodes électroluminescentes blanches monolithiques / par Amélie Dussaigne ; sous la direction de Nicolas GrandJean / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2005
Croissance par épitaxie par jets moléculaires et caractérisation du système AlGaInA sur InP et application aux transistors bipolaires à hétérojonction / Jean-Pierre Praseuth ; [sous la direction de] Maurice Quillec / [S.l.] : [s.n.] , 1987
Croissance par épitaxie par jets moléculaires de structures contraintes GaInAs sur substrat GaAs : réalisation et caractérisation de HEMT's pseudomorphiques GaAlAs/GaInAs/GaAs / Yvon Cordier ; sous la direction de Alain Cappy / [S.l.] : [s.n.] , 1992
Cinétique de la relaxation vers l'équilibre de cristaux nanométriques / par Nicolas Combe ; sous la direction de Pablo Jensen, Alberto Pimpinelli / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2001
Contribution à l'étude d'interfaces de semi-conducteurs III-V par spectroscopies de photoélectrons : cas de l'interface GaAs-GaInP / par Olivier Dehaese / [S.l.] : [s.n.] , 1997
Première étape de la croissance de GaN sur Si(111) : la nucléation d'AIN / par Arnaud Le Louarn ; sous la direction de Jean Massies / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2006
Evolution morphologique des nanostructures Si(1-x)Ge(x) pendant la croissance par EJM / Alina Mihaela Pascale ; sous la dir. A. Pimpinelli / , 2003
Conception, élaboration et caractérisation de structures à puits quantiques GaInAsN/GaAs pour composants optoélectroniques émettant à 1,3 [micromètre] / Hélène Carrère, ingénieur ; [sous la dir. de] E. Bedel-Pereira / [S.l.] : [s.n.] , 2002
Étude de cuprates BiSrCaCuO déficitaires en bismuth synthétisés par épitaxie par jets moléculaires / Hicham El Alami ; sous la dir. de Catherine Deville Cavellin / [S.l.] : [s.n.] , 2003
III-V-on-Si nanowire-based solar cells for tandem applications / Capucine Tong ; sous la direction de Stéphane Collin et de Andrea Cattoni / , 2023
Croissances d'hétérostructures à base de Si et de Ge épitaxiées par jets moléculaires : rôle de la contrainte sur les diffusions de surface et les morphologies / Didier Dentel ; sous la dir. de L. Kubler / [S.l.] : [s.n.] , 1999
Réalisation de structures GaN à polarité périodique en vue d'applications à l'optique non linéaire / par Sébastien Pezzagna ; sous la direction de Jean Massies / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2005
Structure des Couches d’InN et d’alliages (In,Al)N / Arantxa Vilalta Clement ; [sous la direction de] Pierre Ruterana et Magali Morales / [S.l.] : [s.n] , 2012
Semiconductors and semimetals Volume 30, Very high speed integrated circuits : heterostructure / volume ed., Toshiaki Ikoma ; series editors, R.K. Willardson, Albert C. Beer / Boston [etc.] : Academic Press , cop. 1990
Epitaxie d'hétérostructures combinant oxydes fonctionnels et semiconducteurs III-V pour la réalisation de nouvelles fonctions photoniques / Benjamin Meunier ; sous la direction de Guillaume Saint-Girons / , 2016
Nanostructures III-V pour l'électronique de spin / Pascal Gallo ; sous la direction de Chantal Fontaine / [S.l.] : [s.n.] , 2006
Epitaxie par jets moléculaires à sources gazeuses des matériaux AlGaInP sur substrat GaAs pour applications hyperfréquences / par Olivier Schuler ; sous la direction de Francis Mollot / [S.l.] : [s.n.] , 1998
Etude et mise au point des moyens et procédures d'épitaxie par jets moléculaires pour fabriquer des structures VCSEL à base d'antimoniures / Laurent Cerutti ; sous la dir. de Claude Alibert / [S.l.] : [s.n.] , 2004
Intégration monolithique de matériaux III-V et de Ge sur Si en utilisant des buffers oxydes cristallins / Jun Cheng ; sous la direction de Guillaume Saint Girons / [S. l]. : [S. n.] , 2010
Etude et mise au point des moyens et procédures d'épitaxie par jets moléculaires pour fabriquer des structures VCSEL à base d'antimoniures / Laurent Cerutti ; sous la direction de Claude Alibert / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2004
Photodétecteurs infrarouge à cavité résonnante à base de matériaux III-V de la filière Inp couvrant la gamme 1,7-2,2 um / par Sergueï Jourba ; [sous la direction de Michel Gendry et Pierre Viktorovitch] / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1999
Croissance d'hétérostructures III-V sur des couches tampons de SrTiO3/Silicium / Azza Chettaoui ; sous la direction de Guillaume Saint Girons / [S.l.] : [s.n.] , 2013
Diameter engineering in III-V nanowire heterostructures - Experiments and modelling / Anton Pishchagin ; sous la direction de Frank Glas et de Jean-Christophe Harmand / , 2021
Croissance de NFs d'InP sur silicium par épitaxie par jets moléculaires en mode VLS / Khalid Naji ; sous la direction de Michel Gendry et de Hervé Dumont / [S. l]. : [S. n.] , 2010
Réalisation par MBE et caractérisation physique de diodes lasers à puits quantiques GaInAsSb/AlGaAsSb émettant vers 2.3 [micro]m / Arnaud Perona ; [sous la dir. de] Alexei͏̈ Baranov ; Yves Rouillard / [S.l.] : [s.n.] , 2002
Dynamique de recombinaison électron-trou dans les puits et les boites quantiques InGaN / (Al)GaN / Aurélien Morel ; [sous la direction de] Bernard Gil / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2002
Epitaxie par jets moléculaires d'organométalliques : métallisation de GaAs par CoGa et analyse in situ des processus de surface par photoémission / par Nicolas Viguier ; sous la dir. de Francis Maury / [S.l.] : [s.n.] , 1997
Epitaxie de films minces métalliques : (i) relaxation élastique pendant la croissance pseudomorphe, (ii) épitaxie d'hétérostructures NiMnSb/MgO/NiMnSb pour l'électronique de spin / Pascal Turban ; sous la dir. de Stéphane Andrieu / , 2001
Evolution morphologique des nanostructures Si(1-x)Ge(x) pendant la croissance par EJM / Alina Mihaela Pascale / Villeurbanne : [CCSD] , 2010
Spectroscopie des défauts associés à l'épitaxie de GaAs et (GaAl)As sous jets moléculaires / par Aboubaker Chédikh Beye ; [sous la direction de Gérard Neu] / [Lieu de publication inconnu] : [éditeur inconnu] , 1987
Application de la microscopie à sonde locale à l'étude de la surface de GaN(0001) / Stéphane Vézian ; dir. de thèse, Jean Massies / [S.l.] : [s.n.] , 2000
Contribution à l'étude de l'épitaxie par jets moléculaires à grande échelle de semi-conducteurs phosphorés / par Sébastien Dhellemmes ; sous la direction de : F. Mollot ; codirecteur de thèse : X. Wallart / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2006
Structural analyses by advanced X-ray scattering on GaP layers epitaxially grown on silicon for integrated photonic applications / Yanping Wang ; sous la direction de Olivier Durand / , 2016
Molecular beam epitaxy : fundamentals and current status / M.A. Herman, H. Sitter / Second, Revised and Updated Edition / Berlin : Springer , cop. 1996
Nanostructures Al (Ga) N/GaN pour l'optoéléctronique intersousbande dans l'infrarouge proche et moyen / Prem Kumar Kandaswamy / Villeurbanne : [CCSD] , 2010
Selective area growth of in-plane III-V nanostructures using molecular beam epitaxy / Maria Fahed ; sous la direction de Xavier Wallart et de Ludovic Desplanque / , 2016
Mise en oeuvre d'un système d'épitaxie par jets moléculaires en vue de l'obtention de couches dopées de Ga As / Norbert Fabre / [S.l.] : [s.n.] , 1982
Développement de briques technologiques pour la co-intégration par l'épitaxie de transistors HEMTs AlGaN/GaN sur MOS silicium / Rémi Comyn ; sous la direction de Vincent Aimez et de Yvon Cordier / , 2016
Etude et réalisation de diodes lasers émettant entre 2,2-2,4 [micro]m pour application à l'analyse de gaz / Dmitri Yarekha ; [sous la dir. de] Alexei Baranov ; et Claude Alibert / [S.l.] : [s.n.] , 2001
Propriétés électroniques des alliages d'Heusler Co1.5Fe1.5Ge et Co2MnSi / Amina Neggache ; sous la direction de Stéphane Andrieu et de François Bertran / , 2014
Etude et réalisation de diodes lasers émettant entre 2,2-2,4 [micro]m pour application à l'analyse de gaz / Dmitri Yarekha ; [sous la direction de] Alexei Baranov ; et Claude Alibert / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2001
Fractal concepts in surface growth / Albert-Lászlo Barabási,... H. Eugene Stanley,... / Cambridge [etc.] : Cambridge University Press , 1995
Etude de l'incorporation de Bismuth lors de l'épitaxie par jets moléculaires de matériaux antimoniures / Olivier Delorme ; sous la direction de Eric Tournié et de Jean Baptiste Rodriguez / , 2019
Anisotropie magnétique perpendiculaire de films ultraminces métal/cobalt/métal, maîtrise des interfaces : de l'épitaxie à l'irradiation ionique / Thomas Blon ; [directeurs de thèse] Jean-Claude Ousset, Etienne Snoeck / [S.l.] : [s.n.] , 2005
Elaboration et propriétés de nanofils à base d'InGaN pour la réalisation de micro et nanoLEDs / Marion Gruart ; sous la direction de Bruno Daudin et de Bruno Gayral / , 2020
Mise en oeuvre de l'épitaxie par jets moléculaires pour la synthèse de diamant monocristallin / par Thomas Gehin ; directeur de thèse : F. Mollot, codirecteurs de thèse : D. Vignaud, X. Wallart / [S.l.] : [s.n.] , 2004
Hétérostructures et disponibles microélectriques à base d'oxydes High-k : Préparés sur silicium par EJM / par Loic Becerra ; sous la dir. de Guy Hollinger / [S.l.] : [s.n.] , 2008
Contribution à l'étude de l'épitaxie d'hétérostructures à base de semi-conducteurs III-V phosphorés [Ressource électronique] / par Xavier Wallart ; directeur de recherche : F. Mollot / Villeneuve d'Ascq : Université des sciences et technologies de Lille , 2007
Elaboration de photocathodes de seconde génération à base d'antimoniures d'alcalins par la technique d'épitaxie par jets moléculaires / par Nicolas Massegu ; [sous la direction de] Eric Tournié / Lille : Atelier national de reproduction des thèses , 2006
Croissance et spectroscopie de boîtes quantiques diluées d'InAs/InP(001) pour des applications nanophotoniques à 1,55 µm / Emmanuel Dupuy ; sous la direction de Michel Gendry et de Dominique Drouin et de Denis Morris / [S.l.] : [s.n.] , 2009
Couplage magnétique et effets magnétostrictifs dans des films épitaxies et super-réseaux à base de terres rares / Karine Dumesnil ; sous la direction de P. Mangin / [S.l.] : [s.n.] , 1995
Superréseaux InAs/GaSb réalisés par épitaxie par jets moléculaires pour photodétection à 300 K dans le moyen-infrarouge / Jean-Baptiste Rodriguez ; sous la direction de André Joullié / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2005
Dynamique de recombinaison excitonique dans les puits quantiques GaN/AlGaN / Mathieu Gallart ; [sous la dir. de] Henry Mathieu / [S.l.] : [s.n.] , 2001
Croissances d'hétérostructures à base de Si et de Ge épitaxiées par jets moléculaires : rôle de la contrainte sur les diffusions de surface et les morphologies / Didier Dentel ; sous la direction de L. Kubler / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1999
Oxydes cristallins à haute permittivité diélectrique épitaxiés sur silicium : SrO et SrTiO3 / par Gabriel Delhaye ; [sous la direction de Yves Robach] / [S.l.] : [s.n.] , 2006
Etude par photoémission d'interfaces métal / oxyde et métal / semiconducteur élaborées par épitaxie par jets moléculaires / Louise Fouquat ; sous la direction de Geneviève Grenet / , 2018
Nanosystèmes magnétostrictifs de TRFe2(110) (TR=terre rare) : croissance, morphologie et propriétés magnétiques / Alexandra Mougin ; sous la direction de Catherine Dufour / , 1999
Growth of semiconductor ( core) / functional oxide ( shell) nanowires : application to photoelectrochemical water splitting / Xin Guan ; sous la direction de Michel Gendry et de José Penuelas / , 2017
Influence of the epitaxial strain on magnetic anisotropy in LSMO thin films for spintronics applications / Sandeep Kumar Chaluvadi ; sous la direction de Laurence Mechin / , 2017
Optimisation de la croissance en épitaxie par jets moléculaires du ga::(1-x) al::(x) as, des super-réseaux et des multi-puits quantiques ga::(1-x) al::(x) as - gaa / Jean-Yves Emery / , 1985
Mise en oeuvre de l'épitaxie par jets moléculaires pour la synthèse de diamant monocristallin / par Thomas Gehin ; sous la direction de : F. Mollot, codirecteurs de thèse : D. Vignaud, X. Wallart / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2004
Étude de la diffraction électronique en incidence rasante en vue de son application à la croissance épitaxiale par jets moléculaires de GaAs et AlxGa1-xAs / Chantal Neri ; sous la direction de Jean Massies / [Lieu de publication inconnu] : [éditeur inconnu] , 1989
Ultrathin epitaxial oxides : proceedings of Symposium N on.... E-MRS 2001 Spring Conference, Strasbourg, France, June 5-8, 2001 / ed. by Gaetano Granozzi, Scott Chambers, Hans-Joachim Freund / Amsterdam : Elsevier , 2001
3rd International Symposium on Silicon Molecular Beam Epitaxy / Symposium A of the 1989 E-MRS Conference, Strasbourg, France, May 30-June 2, 1989 / Lausanne : Elsevier Sequoia , 1989-1990
Étude de la diffraction électronique en incidence rasante en vue de son application à la croissance épitaxiale par jets moléculaires de GaAs et AlxGa1-xAs / Chantal Neri ; sous la direction de Jean Massies / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1989
Hétérostructures et disponibles microélectriques à base d'oxydes High-k : Préparés sur silicium par EJM / par Loic Becerra ; sous la direction de Guy Hollinger / Lille : Atelier national de reproduction des thèses , 2008
Croissance par MBE et caractérisation de structures GaInAsP pour la réalisation de circuits intégrés photoniques à base d'amplificateurs optiques à très large bande spectrale / Quentin Hochart ; sous la direction de Hélène Carrere / , 2023
Photodétecteurs infrarouge à cavité résonnante à base de matériaux III-V de la filière Inp couvrant la gamme 1,7-2,2 um / par Sergueï Jourba ; [sous la direction de Michel Gendry et Pierre Viktorovitch] / [S.l.] : [s.n.] , 1999
Croissance et étude d'hétérostructures contraintes pour amplificateurs optiques insensibles à la polarisation / Anne Godefroy ; sous la direction de Guy Stéphan / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1994
Transport tunnel polarisé en spin dans le système épitaxié Fe/MgO/Fe [Ressource électronique] : interactions magnétiques et symétries électroniques / Jérôme Faure-Vincent ; sous la dir. de Alain Schuhl / [S.l.] : [s.n.] , 2004
Épitaxie par jets moléculaires d'hétérostructures GaAl As-GaAs pour transistors et circuits intégrés bipolaires / Jean-Louis Liévin / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1986
Développement de l'épitaxie par jets moléculaires pour la croissance d'oxydes fonctionnels sur semiconducteurs / Lamis Louahadj ; sous la direction de Guillaume Saint-Girons et de Catherine Chaix / , 2014
Transport tunnel polarisé en spin dans le système épitaxié Fe/MgO/Fe : interactions magnétiques et symétries électroniques / Jérôme Faure-Vincent ; sous la direction de Alain Schuhl / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2004
Materials fundamentals of molecular beam epitaxy / Jeffrey Y. Tsao,... / Boston : Academic Press , cop. 1993
Etude par microscopie à effet tunnel et diffraction d'électrons de la croissance de couches métalliques par épitaxie moléculaire / par David Atlan ; sous la direction de Vuthien Binh / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1995
Growth, structural and electro-optical properties of GaP/Si and GaAsPN/ GaP single junctions for lattice-matched tandem solar cells on silicon / Samy Almosni ; sous la direction de Olivier Durand / , 2015
Epitaxie par jets moléculaires de nanostructures isolées de germanium sur silicium / Romain Dujardin / Villeurbanne : [CCSD] , 2007
Réalisation de diodes électroluminescentes à base de nanofils d'AlN pour l'émission UV-C / Remy Vermeersch ; sous la direction de Bruno Daudin et de Julien Pernot / , 2023
Conception d'un amplificateur optique à 1,3 (micron)m : spectroscopie de couches minces de LaF3 dopé Nd3+ et développement de procédés technologiques innovants / Benoît Viallet ; sous la dir. d'Emmanuelle Daran / [S.l.] : [s.n.] , 2004
Etude des modes de croissance et des mécanismes de relaxation de couches InxGa1-xAs (x < 0,53) contraintes en tension sur InP : Application dans la réalisation d'hétérostructures pour composants optoélectroniques / par Thierry Venet ; [sous la direction de Michel Gendry] / [S.l.] : [s.n.] , 1998
Epitaxie de GaN sur substrat de graphène / Camille Barbier ; sous la direction de Jean-Christophe Harmand / , 2021
Contrôle sur PC de dépot d'atomes pour des expériences d'épitaxie par jets moléculaires (E.J.M.) / Frédéric Rethore / [S.l.] : [s.n.] , 1997
Diodes électroluminescentes blanches monolithiques / par Amélie Dussaigne ; sous la direction de Nicolas GrandJean / [S.l.] : [s.n.] , 2005
Elaboration par épitaxie par jets moléculaires de dopage planaire silicium dans des couches de GaAs et GaAlAs : application à la réalisation de transistors à effet de champ microondes / par Bertrand Splingart ; sous la direction de Yves Druelle / [S.l.] : [s.n.] , 1993
Caractérisation et modélisation du gaz 2D des dispositifs MIS-HEMTs sur GaN / Iliass Nifa ; sous la direction de Edwige Bano et de Gérard Ghibaudo et de Charles Leroux / , 2018
Etude des propriétés magnétiques d'agrégats auto-organisés d'ErAs par analyse statistique du bruit télégraphique / par Frédéric Coppinger ; sous la direction de Jean-Claude Portal / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1995
Étude et réalisation d'une source térahertz accordable de grande pureté spectrale / par Romain Czarny ; sous la direction de : D. Lippens / Lille : Atelier national de reproduction des thèses , 2007
Élaboration et propriétés magnétiques de multicouches Ag/Fe et Cr/Fe épitaxiées sur GaAs(001) / Frédéric Nguyen-Van-Dau ; [sous la direction de] Albert Fert / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1989
Epitaxie de GaAs par jets moléculaires d'organométalliques. Etude in situ de la croissance par photoémission / par Khalid Bouabid ; sous la dir. de F. Maury / [S.l] : [s.n] , 1995
Growth of semiconductor ( core) / functional oxide ( shell) nanowires : application to photoelectrochemical water splitting / Xin Guan ; sous la direction de Michel Gendry et de José Penuelas / , 2017
Croissance par épitaxie par jets moléculaires de films de nitrure d'aluminium sur substrats de silicium et de carbure de silicium étudiés par microscopie à force atomique en mode non contact et par microscopie à sonde de kelvin sous ultra vide / Florian Chaumeton ; sous la direction de Sébastien Gauthier et de David Martrou / Lille : Atelier national de reproduction des thèses , 2015
Nanostructures magnétiques auto-assemblées sur des surfaces à faible énergie par épitaxie par jets moléculaires / Fabiola Liscio ; sous la direction de Mireille Maret et Settimio Mobilio / Lille : Atelier national de reproduction des thèses , 2009
Croissance par EJM à boîtes quantiques sur des couches localement dopées par FIB / par Mirja Richter ; sous la direction de Jean-Yves Duboz et d'Andreas D. Wieck / Lille : Atelier national de reproduction des thèses , 2007
Nanofils de GaN/AlGaN pour les composants quantiques / Akhil Ajay ; sous la direction de Eva Monroy / , 2018
Nanostructures et films minces magnétiques sur surfaces vicinales de Si (111) / Antoine Fleurence ; sous la direction de [Pierre Beauvillain] / [s.l.] : [s.n.] , 2007
Composants optoélectroniques à microcavités verticales sur GaAs : technologies avancées pour de nouvelles fonctions / Moustapha Condé ; directeurs de thèse Chantal Fontaine, Guilhem Almuneau / Lille : Atelier national de reproduction des thèses , 2008
Hétérostructures métal magnétique - barrière tunnel pour l'injection de spin dans les semiconducteurs III-V : étude des propriétés d'interface du système Fe/Al0,48In0,52As(001) / Nicolas Tournerie ; [sous la direction de] G. Jézéquel / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2005
Croissance métamorphique par épitaxie par jets moléculaires et caractérisations physiques pour transistor bipolaire à hétérojonction InP/InGaAs sur GaAs / par Éric Lefebvre ; directeur de thèse : F. Mollot / [S.l.] : [s.n.] , 2005
Etude de la croissance et de la structure électronique des interfaces Ce-Métaux de Transition / Nadine Witkowski ; sous la direction de Daniel Malterre / , 1998
Conception d'un amplificateur optique à 1,3 (micron)m [Ressource électronique] : spectroscopie de couches minces de LaF3 dopé Nd3+ et développement de procédés technologiques innovants / Benoît Viallet ; sous la direction d'Emmanuelle Daran / Toulouse : Université Paul Sabatier, Toulouse 3 , 2007
Transport tunnel polarisé en spin dans le système épitaxié Fe/MgO/Fe : interactions magnétiques et symétries électroniques / Jérôme Faure-Vincent ; sous la direction de Alain Schuhl / [Lieu de publication inconnu] : [éditeur inconnu] , 2004
Epitaxie par jets moléculaires de l'oxyde BaTiO3 sur Si et Si1xGex : étude de la croissance, des propriétés structurales ou physico-chimiques et de la ferroélectricité : applications à des dispositifs à effet de champ / Lucie Mazet ; sous la direction de Catherine Dubourdieu et de Sylvie Schamm / , 2016
Integration of epitaxial piezoelectric thin films on silicon / Shi Yin ; sous la direction de Yves Robach et de Bertrand Vilquin et de Gwénaël Le Rhun / [S.l.] : [s.n.] , 2013
Epitaxial growth and magnetic properties of self-assembled GeMn quantum dots / Son Tung Pham ; sous la direction de Vinh Le Thanh et de Lisa Michez / , 2017
Etude des propriétés magnétiques d'agrégats auto-organisés d'ErAs par analyse statistique du bruit télégraphique / par Frédéric Coppinger ; sous la direction de Jean-Claude Portal / [S.l] : [s.n] , [1995]
Étude de cuprates BiSrCaCuO déficitaires en bismuth synthétisés par épitaxie par jets moléculaires / Hicham El Alami ; sous la direction de Catherine Deville Cavellin / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2003
Nanostructures magnétiques auto-assemblées sur des surfaces à faible énergie par épitaxie par jets moléculaires / Fabiola Liscio ; sous la direction de Mireille Maret et Settimio Mobilio / , 2009
Croissance épitaxiale de films et superrésaux de vanadates de terres rares : vers l'émergence de propriétés multiferroïques / Gauthier Masset ; sous la direction de Stéphane Andrieu et de Olivier Copie / , 2020
Growth processes and surface phase equilibria in molecular beam epitaxy / Nikolai N. Ledentsov / Berlin [etc.] : Springer
Dopage P de CdxHg(1-x)Te par épitaxie par jets moléculaires / Sébastien Plissard ; sous la direction de Engin Molva / Lille : Atelier national de reproduction des thèses , 2007
Épitaxie par jets moléculaires d'hétérostructures GaAl As-GaAs pour transistors et circuits intégrés bipolaires / Jean-Louis Liévin / [Lieu de publication inconnu] : [éditeur inconnu] , 1986
Élaboration et propriétés magnétiques de multicouches Ag/Fe et Cr/Fe épitaxiées sur GaAs(001) / Frédéric Nguyen-Van-Dau ; [sous la direction de] Albert Fert / [S.l.] : [s.n.] , 1989
Etude par microscopie tunnel de la transition 2D-3D du mode de croissance lors de l'épitaxie de couches contraintes InGaAs sur InP / par Pascal Krapf ; [sous la direction de Louis Porte] / [S.l.] : [s.n.] , 1997
Épitaxie par jets moléculaires sur GAAS des composés du rhodium RH2::(A)S et RHGA / Marinette Secoué ; sous la direction de Patrick Auvray / , 1987
Composants optoélectroniques à microcavités verticales sur GaAs [Ressource électronique] : technologies avancées pour de nouvelles fonctions / Moustapha Condé ; directeurs de thèse Chantal Fontaine, Guilhem Almuneau / Toulouse , 2009
P-type thermoelectric Sr-doped LaCrO3 epitaxial films / Dong Han ; sous la direction de Guillaume Saint-Girons et de Romain Bachelet / , 2021
Étude de la croissance et des propriétés de films minces d'AIN épitaxiés par jets moléculaires sur substrat silicium : application aux résonateurs acoustiques et perspectives d'hétérostructures intégrées sur silicium / par Jean-Christophe Moreno / Villeurbanne : [CCSD] , 2011
Synthèse de multicouches Ge/GeMn en vue d'applications en spintronique et capteurs bio-chimiques / Minh Tuan Dau ; sous la direction de Vinh Le Thanh / , 2011
Contrôle de l’émission spontanée de boîtes quantiques semiconductrices insérées dans des micro-structures à confinement optique originales / Maela Bazin ; sous la direction de Jean-Michel Gérard / Villeurbanne : CCSD , 2011
De la maîtrise des paramètres physiques de l'épitaxie par jets moléculaires de l'arséniure de gallium à la diode Schottky / Robert Blanchet ; sous la direction d'H. Martinot / [S.l.] : [s.n.] , 1981
Épitaxie par jet moléculaire de couches de silicium dopées par implantation d'ions arsenic / Régina Pinto de Carvalho ; [sous la direction d'] A. Vapaille / [Lieu de publication inconnu] : [éditeur inconnu] , 1986
Croissance et caractérisation électrique de nanocristaux d'InAs / SiO2 pour des applications de mémoires non volatiles sur silicium [Ressource électronique] = = Growth and electrical characterization of InAs/SiO2 nanocrystals on silicon for non volatile memory application : / par Moïra Hocevar ; sous la direction de Michel Gendry et Abdelkader Souifi / Villeurbanne : Doc'INSA , 2009
Dislocation et relaxation des contraintes aux interfaces entre semiconducteurs III-V à large différence de paramètres de maille / Yi Wang ; [sous la direction de] Pierre Ruterana et Jun Chen / [S.l.] : [s.n] , 2012
New material for energy : oxynitride thin films for photoelectrodes / Anyssa Derj ; sous la direction de Antoine Barbier et de Hélène Magnan / , 2023
Hétérostructures épitaxiées avec des propriétés dépendantes de spin et de charges pour des applications en spintronique / Florian Gellé ; sous la direction de Silviu-Mihail Colis / , 2020
Caractérisation électro-optique de composants térahertz par échantillonnage Franz-Keldysh subpicoseconde / par Ludovic Desplanque ; directeur de thèse : F. Mollot, co-directeur de thèse : J.-F. Lampin / Villeneuve d'Ascq : Université Lille 1 - Sciences et technologies , 2013
Transistor à effet de champ à couche métamorphique AlInAs-GaInAs-GaAs : un nouveau composant pour l'amplification hyperfréquence et la logique ultra rapide / par Pascal Win ; sous la direction de Alain Cappy / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1993
Fabrication and characterization of sige-based core-shell nanostructures / Abdelmalek Benkouider ; sous la direction de Isabelle Berbezier et de Antoine Ronda / , 2015
Surface characterization of III-V semiconductor nanowires : morphological, structural and electronic properties / Adrián Diaz Álvarez ; sous la direction de Bruno Grandidier / , 2016
Élaboration et propriétés physiques de supperréseaux à base de manganèse / Hélène Fischer ; sous la direction de M. Piecuch / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1995
Croissance auto-organisée de fils et boîtes quantiques d'InAs / InP(001) pour composants optoélectroniques / par Julien Brault ; [sous la direction de Michel Gendry] / [S.l.] : [s.n.] , 2000
Etudes expérimentales et modélisation de la diffusion du Be dans des structures épitaxiées III-V / Sylvestre Gautier ; sous la direction de Kaouther Ketata / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1998
Étude et réalisation d'une source térahertz accordable de grande pureté spectrale / par Romain Czarny / Villeurbanne : [CCSD] , 2007
Réalisation par MBE et caractérisation physique de diodes lasers à puits quantiques GaInAsSb/AlGaAsSb émettant vers 2.3 [micro]m / Arnaud Perona ; [sous la direction de] Alexei͏̈ Baranov ; Yves Rouillard / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2002
Epitaxie par jets moléculaires de nitrure de gallium sopé terres rares : caractérisation structurale et optique / Nicolas Rousseau ; sous la dir. de Olivier Briot / [S.l.] : [s.n.] , 2003
Auto-organisation de boites quantiques de Ge sur des substrats nanostructurés / Alim Karmous ; sous la direction de Isabelle Berbezier / [S.l.] : [s.n.] , 2006
Anisotropie magnétique perpendiculaire de films ultraminces métal/cobalt/métal, maîtrise des interfaces : de l'épitaxie à l'irradiation ionique / Thomas Blon ; [directeurs de thèse] Jean-Claude Ousset, Etienne Snoeck / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2005
Epitaxie de semiconducteurs II-VI:ZnTe/ZnSe et CdTe:Se : étude du confinement électronique de type-II et du dopage isoélectronique / Rita Najjar / Villeurbanne : [CCSD] , 2009
Etude par microscopie à effet tunnel et diffraction d'électrons de la croissance de couches métalliques par épitaxie moléculaire / par David Atlan ; sous la direction de Vuthien Binh / [S.l.] : [s.n.] , 1995
Dynamique de recombinaison électron-trou dans les puits et les boites quantiques InGaN / (Al)GaN / Aurélien Morel ; [sous la dir. de] Bernard Gil / [S.l.] : [s.n.] , 2002
Intégration monolithique de matériaux III-V et de Ge sur Si en utilisant des buffers oxydes cristallins / Jun Cheng ; sous la direction de Guillaume Saint-Girons / , 2010
REALISATION D'UN CANON IONIQUE DE ZINC ADAPTE A L'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES. ETUDE DU SYSTEME Zn/GaAs (100) PAR THERMODESORPTION / MARC BOUKERCHE / [S.l.] : [s.n.] , 1979
Contribution à l'étude de l'épitaxie d'hétérostructures à base de semi-conducteurs III-V phosphorés / par Xavier Wallart ; directeur de recherche : F. Mollot / [S.l.] : [s.n.] , 2005
Epitaxie par jets moléculaires de nanostructures isolées de germanium sur silicium / Romain Dujardin ; sous la direction de Dr. André Barski / Lille : Atelier national de reproduction des thèses , 2006
Croissance par épitaxie par jets moléculaires et caractérisation du système AlGaInA sur InP et application aux transistors bipolaires à hétérojonction / Jean-Pierre Praseuth ; [sous la direction de] Maurice Quillec / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1987
Nanostructures à base de semi-conducteurs nitrures pour l'émission ultraviolette / Chalermchai Himwas ; sous la direction de Rudeesun Songmuang et de Eva Monroy / , 2015
Contribution à l'étude de l'arséniure de gallium par la technique des jets moléculaires / Patrick Méquin / [S.l.] : [s.n.] , 1979
Elaboration, étude et application d'hétérostructures (Al,Ga)N/GaN épitaxiées par jets moléculaires sur Si (111) / par Franck Natali ; sous la direction de Jean Massies / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2003
Nanostructuration par FIB filtrée pour l'élaboration de nanostructures semi-conductrices organisées / Élise Ruiz ; sous la direction de Isabelle Berbezier / , 2012
Fabrication and characterization of III-V MOSFETs for high performance and low power applications / Matej Pastorek ; sous la direction de Sylvain Bollaert et de Nicolas Wichmann / , 2017
Caractérisation électro-optique de composants térahertz par échantillonnage Franz-Keldysh subpicoseconde / par Ludovic Desplanque ; sous la direction de : F. Mollot, co-directeur de thèse : J.-F. Lampin / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2003
Etude par photoémission d'interfaces métal / oxyde et métal / semiconducteur élaborées par épitaxie par jets moléculaires / Louise Fouquat ; sous la direction de Geneviève Grenet / , 2018
Le graphène comme barrière tunnel : propriétés d'injection de charges et de spin / Florian Godel ; sous la direction de David Halley / , 2016
Fast atom diffraction at crystal surfaces, the role of attractive forces / Peng Pan ; sous la direction de Philippe Roncin / , 2022
Intégration des matériaux III-V antimoniures sur substrat de silicium / Karine Madiomanana ; sous la direction de Eric Tournié / , 2015
Conception, réalisation et caractérisation de dispositifs à microcavité verticale III-V pour la photodétection et l'émission-détection duale / Laurent Averseng ; sous la direction de Véronique Bardinal / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2002
Molecular beam epitaxy : from research to mass production / Mohamed Henini / 2nd ed. / Amsterdam [etc.] : Elsevier , 2018
Nanostructures hybrides combinant nanofils III-V et matériaux fonctionnels pour le contrôle de l'émission optique / Henri-Gabriel Gloriès ; sous la direction de José Penuelas et de Nicolas Chauvin / , 2023
Nanostructures Al (Ga) N/GaN pour l'optoéléctronique intersousbande dans l'infrarouge proche et moyen / Prem Kumar Kandaswamy ; sous la direction de Eva Monroy / , 2010
Croissance et caractérisation d'hétérostructures ZnBeSe à large bande interdite / par Catherine Chauvet-Guibert ; sous la dir. de J.-P. Faurie / [S.l.] : [s.n.] , 2001
Synthèse contrôlée de couches de PtSe2 par épitaxie par jets moléculaires pour les dispositifs optoélectroniques dans l'infrarouge / Ivan Verschueren ; sous la direction de Didier Pribat et de Pierre Legagneux / , 2022
Développement de LEDs rouges en matériaux III-V (type GaAs) directement épitaxié sur silicium 300mm / Pauline Gaillard ; sous la direction de Thierry Baron et de Christophe Jany / , 2023
Couplage magnétique et effets magnétostrictifs dans des films épitaxies et super-réseaux à base de terres rares / Karine Dumesnil ; sous la direction de P. Mangin / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1995
Croissance par épitaxie par jets moléculaires d'hétérostructures AlInAs/Ga1-xInxAs/InP à dopage planaire pour application aux transistors HEMT / par Bouchta Layati ; sous la direction de Yves Druelle / [S.l.] : [s.n.] , 1996
Croissance épitaxiale d'hétérostructures antimoniées sur substrats fortement désadaptés en maille pour applications aux transistors à effet de champ / Salim El Kazzi ; sous la direction de Xavier Wallart et de Ludovic Desplanque / , 2012
Elaboration et analyse de diodes lasers émettant entre 2.3 µm et 3.1 µm / Julie Angellier ; sous la direction de Yves Rouillard, Eric Tournié / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2006
Croissance par EJM à boîtes quantiques sur des couches localement dopées par FIB / par Mirja Richter ; sous la direction de Jean-Yves Duboz et d'Andreas D. Wieck / [S.l.] : [s.n.] , 2007
Fabrication et caractérisation des couches minces de Bi2Te3 déposé par EJM / par Azzouz Yassine / [S.l.] : [s.n.] , 1987
Caractérisation de couches minces de LaF3 dopées néodyme élaborées par épitaxie par jets moléculaires : conception réalisation de lasers guides d'onde / Christophe Serrano ; [Dir. de thèse] Emmanuelle Daran / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2000
LEDs rouges à base d'hétérostructure graphène (cristaux 2D)/InGaN / Colin Paillet ; sous la direction de Bérangère Hyot et de Benjamin Damilano et de Amélie Dussaigne / , 2022
Épitaxie par jets moléculaires de semi-conducteurs III-V : automatisation du bâti et caractérisation des couches par mesure d’effet hall / par Christian Allet / [S.l.] : [s.n.] , 1987
Elaboration de photocathodes de seconde génération à base d'antimoniures d'alcalins par la technique d'épitaxie par jets moléculaires / par Nicolas Massegu ; [sous la direction de] Eric Tournié / , 2006
Contrôle de l'émission spontanée de boîtes quantiques semiconductrices insérées dans des micro-structures à confinement optique originales / Maela Bazin ; sous la direction de Jean-Michel Gérard / Lille : Atelier national de reproduction des thèses , 2010
Mise en oeuvre de l'épitaxie par jets moléculaires pour la synthèse de diamant monocristallin [Ressource électronique] / par Thomas Gehin ; directeur de thèse : F. Mollot, codirecteurs de thèse : D. Vignaud, X. Wallart / Villeneuve d'Ascq : Université des sciences et technologies de Lille , 2007
Croissance par épitaxie par jets moléculaires de films de nitrure d'aluminium sur substrats de silicium et de carbure de silicium étudiés par microscopie à force atomique en mode non contact et par microscopie à sonde de kelvin sous ultra vide / Florian Chaumeton ; sous la direction de Sébastien Gauthier et de David Martrou / , 2015
Towards an electrically-injected optical parametric oscillator / Alice Bernard ; sous la direction de Giuseppe Leo / , 2018
Conception d'un amplificateur optique à 1,3 (micron)m : spectroscopie de couches minces de LaF3 dopé Nd3+ et développement de procédés technologiques innovants / Benoît Viallet ; sous la direction d'Emmanuelle Daran / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2004
Molecular Beam Epitaxy : From Research to Mass Production / edited by Mohamed Henini,... / Amsterdam : Elsevier , 2012
Nanostructures Al (Ga) N/GaN pour l'optoéléctronique intersousbande dans l'infrarouge proche et moyen / Prem Kumar Kandaswamy ; sous la direction de Eva Monroy / Lille : Atelier national de reproduction des thèses , 2010
Caractérisation électro-optique de composants térahertz par échantillonnage Franz-Keldysh subpicoseconde / par Ludovic Desplanque / Villeurbanne : [CCSD] , 2006
Nanostructures et films minces magnétiques sur surfaces vicinales de Si (111) / Antoine Fleurence ; sous la direction de [Pierre Beauvillain] / Lille : Atelier national de reproduction des thèses , 2007
Étude de la croissance et des propriétés de films minces d'AIN épitaxiés par jets moléculaires sur substrat silicium : application aux résonateurs acoustiques et perspectives d'hétérostructures intégrées sur silicium / par Jean-Christophe Moreno ; sous la direction de Fabrice Semond / [S.l.] : [s.n.] , 2009
Étude théorique d'interfaces pour l'épitaxie de l'aluminate de lanthane sur silicium [Ressource électronique] / par Pierre Boulenc ; directeur de thèse : I. Devos / Villeneuve d'Ascq : Université des sciences et technologies de Lille , 2008
Etudes expérimentales et modélisation de la diffusion du Be dans des structures épitaxiées III-V / Sylvestre Gautier ; sous la dir. de Kaouther Ketata / , 1998
Hétérostructures et disponibles microélectriques à base d'oxydes High-k [Ressource électronique] : Préparés sur silicium par EJM / par Loic Becerra ; sous la dir. de Guy Hollinger / Ecully : Ecole Centrale de Lyon , 2009
Étude et réalisation d'émetteurs optiques intégrés sur matériaux III-V / par Régis Hamelin ; sous la dir. de D. Decoster / [S.l.] : [s.n.] , 1995
Des interfaces réelles métal/MgO(001) au transport dans les jonctions tunnel épitaxiées / Muriel Sicot ; sous la direction de Stéphane Andrieu / [Lieu de publication inconnu] : [éditeur inconnu] , 2005
Epitaxie par jets moléculaires de nitrure de gallium sopé terres rares : caractérisation structurale et optique / Nicolas Rousseau ; sous la direction de Olivier Briot / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2003
Préparation de surfaces structurées et reprise d'épitaxie par jets moléculaires : réalisation de micro et nano structures sur GaAs / Olivier Desplats ; directeur de thèse Chantal Fontaine / [S.l.] : [s.n.] , 2008
Préparation et propriétés dans l'infrarouge lointain de films épitaxiques d'arseniure de gallium / Izeddine Zorkani ; Sous la direction de A. Hadni / , 1985
Oxydes cristallins à haute permittivité diélectrique épitaxiés sur silicium : SrO et SrTiO3 / par Gabriel Delhaye ; [sous la direction de Yves Robach] / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2006
Contribution à l'étude de l'épitaxie par jets moléculaires à grande échelle de semi-conducteurs phosphorés / par Sébastien Dhellemmes ; directeur de thèse : F. Mollot ; codirecteur de thèse : X. Wallart / [S.l.] : [s.n.] , 2006
Cinétique de la relaxation vers l'équilibre de cristaux nanométriques / par Nicolas Combe ; sous la direction de Pablo Jensen, Alberto Pimpinelli / [S.l.] : [s.n.] , 2001
Etude des propriétés électriques et optiques d'hétérostructures Si/CaF2 déposées sur substrats Si(111) / Guillaume Guirleo ; sous la dir. de François Arnaud d'Avitaya et Franck Bassani / , 2002
Composants pour la génération et la détection d’impulsions térahertz / par Olivier Offranc ; directeur de thèse : Jean-François Lampin / [S.l.] : [s.n.] , 2010
Dopage avec ions simples et complexes de couches d'arséniure de gallium épitaxiés par jets moléculaires / Sylvain Cavalieri ; sous la direction de Philippe Gaucherel / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1986
Etude de la croissance et des propriétés thermoélectriques du Bi2Te3, Sb2Te3 et de l'alliage BixSb2<xTe3 déposés par jet moléculaire / par Azzouz Yassine ; sous la direction de André Boyer / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1990
Croissance et caractérisation d'hétérostructures ZnBeSe à large bande interdite / par Catherine Chauvet-Guibert ; sous la direction de J.-P. Faurie / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2001
Développement de nanostructures à base d'AlGaN pour la fabrication de composants émetteurs de lumière UV à pompage électronique / Anjali Harikumar ; sous la direction de Eva Monroy / , 2022
Contribution à l'étude d'interfaces de semi-conducteurs III-V par spectroscopies de photoélectrons : cas de l'interface GaAs-GaInP / par Olivier Dehaese / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1997
Superréseaux de dopage NINI : faisabilité par épitaxie sous vide du silicium : propriétés de transport attendues / Nadia Djebbar ; [sous la direction d'] André Vapaille / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1988
Conception, élaboration et caractérisation de structures à puits quantiques GaInAsN/GaAs pour composants optoélectroniques émettant à 1,3 [micromètre] / Hélène Carrère, ingénieur ; [sous la direction de] E. Bedel-Pereira / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2002
Déflexion électrique d'un jet moléculaire [Ressource électronique] : progrès expérimentaux et théoriques / Mohamad Abd El Rahim ; sous la direction de Michel Broyer / Villeurbanne : Université Claude Bernard , 2005
Préparation de surfaces structurées et reprise d'épitaxie par jets moléculaires : réalisation de micro et nano structures sur GaAs / Olivier Desplats ; sous la direction de Chantal Fontaine / Lille : Atelier national de reproduction des thèses , 2008
Croissance métamorphique par épitaxie par jets moléculaires et caractérisations physiques pour transistor bipolaire à hétérojonction InP/InGaAs sur GaAs / par Éric Lefebvre ; sous la direction de : F. Mollot / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2005
Conception d'un amplificateur optique à 1,3 (micron)m : spectroscopie de couches minces de LaF3 dopé Nd3+ et développement de procédés technologiques innovants / Benoît Viallet / Villeurbanne : [CCSD] , 2005
Des interfaces réelles métal/MgO(001) au transport dans les jonctions tunnel épitaxiées / Muriel Sicot ; sous la direction de Stéphane Andrieu / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2005
ICNS-4 : proceedings : fourth international conference on nitride semiconductors, Denver, Colorado, USA, july 16-20, 2001 / Berlin : Wiley-VCH , 2001
Croissance par jets moléculaires (MBE) des jonctions tunnel magnétiques et semiconducteurs magnétiques sur des substrats de Si(Ge) pour des applications en électronique de spin / Siôn Federico Olive Mendez ; sous la direction. de Vinh Le Thanh / Lille : Atelier national de reproduction des thèses , 2008
Auto-organisation de boites quantiques de Ge sur des substrats nanostructurés / Alim Karmous ; sous la direction de Isabelle Berbezier / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2006
Epitaxie par jets moléculaires de l'oxyde BaTiO3 sur Si et Si1xGex : étude de la croissance, des propriétés structurales ou physico-chimiques et de la ferroélectricité : applications à des dispositifs à effet de champ / Lucie Mazet ; sous la direction de Catherine Dubourdieu et de Sylvie Schamm / , 2016
Elaboration et analyse de diodes lasers émettant entre 2.3 µm et 3.1 µm / Julie Angellier ; sous la direction de Yves Rouillard, Eric Tournié / Montpellier : Université de Montpellier 2 Sciences et Techniques du Languedoc , 2006
Couches minces d'oxydes pyroélectriques épitaxiées sur Si pour la récupération d'énergie thermique / Rahma Moalla ; sous la direction de Christian Seassal et de Romain Bachelet et de Nicolas Baboux / , 2016
Couches minces d'oxydes pyroélectriques épitaxiées sur Si pour la récupération d'énergie thermique / Rahma Moalla ; sous la direction de Christian Seassal et de Romain Bachelet et de Nicolas Baboux / , 2016
Etude des propriétés magnétiques d'agrégats auto-organisés d'ErAs par analyse statistique du bruit télégraphique / par Frédéric Coppinger ; sous la direction de Jean-Claude Portal / [S.l] : [s.n] , [1995]
Heterostructure epitaxy and devices / edited by Jozef Novák and Andreas Schlachetzki / Dordrecht : Kluwer Academic Publishers , c1996
Etude de la commutation résistive d'oxydes binaires (HfO2, TiO2) élaborés par dépôt par jets moléculaires et intégrés dans des dispositifs de type memristifs métal-oxyde-métal : effets du dopage et de l'implantation / Marie Minvielle ; sous la direction de Catherine Dubourdieu et de Gérard Ghibaudo et de Fabien Alibart / , 2017
Epitaxie par jets moléculaires à sources gazeuses des matériaux AlGaInP sur substrat GaAs pour applications hyperfréquences / par Olivier Schuler ; sous la direction de Francis Mollot / Villeneuve d'Ascq : Université Lille 1 - Sciences et technologies , 2013
Étude de semiconducteurs III-V non-stoechiométriques pour l'échantillonnage de signaux hyperfréquences / Thomas Demonchaux ; sous la direction de Bruno Grandidier et de Xavier Wallart / , 2018
Superréseaux InAs/GaSb réalisés par épitaxie par jets moléculaires pour photodétection à 300 K dans le moyen-infrarouge / Jean-Baptiste Rodriguez / Villeurbanne : [CCSD] , 2011
Étude de la senbilité à la température de structures laser alumino-phosphorées à multi-puits quantiques sur substrat InP / par Cathy Sion ; sous la direction de Didier Decoster / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1999
Croissance par jets moléculaires (MBE) des jonctions tunnel magnétiques et semiconducteurs magnétiques sur des substrats de Si(Ge) pour des applications en électronique de spin / Siôn Federico Olive Mendez ; sous la dir. de Vinh Le Thanh / , 2017
Apport des techniques de photoémission à la connaissance des hétérostructures Ge/Si(001), Si/Ge(001), Si1-xGex/Si(001) et Si1-xGex/Ge(001) / Dominique Aubel ; sous la direction de L. Kubler / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1995
Applied RHEED : reflection high-energy electron diffraction during crystal growth / Wolfgang Braun / Berlin [etc.] : Springer
Boîtes et fils de Ge sur Si(001) ordonnés à longue distance par des réseaux de dislocations de flexion / Valier Poydenot / Villeurbanne : [CCSD] , 2007
AlGaSb/InAs vertical tunnel field effect transistors for low power electronics / Vinay Kumar Chinni ; sous la direction de Xavier Wallart et de Mohammed Zaknoune et de Ludovic Desplanque / , 2017
Semiconductor growth, surfaces and interfaces / edited by G. J. Davies and R. H. Williams / London [etc.] : Chapman & Hall for The Royal Society , 1994
Défauts et séparations de phase dans alinas préparé par épitaxie par jets moléculaires influence sur les propriétés électriques / Mireille Oustric ; sous la direction de Guy Hollinger / [S.l.] : [s.n.] , 1996
Croissance épitaxiale, structure atomique et couplage d'échange de bicouches ultra-minces d'oxydes sur métaux / Anne Lamirand ; sous la direction de Maurizio De Santis et de Hélio Tolentino / , 2014
Étude et réalisation d'une source térahertz accordable de grande pureté spectrale / par Romain Czarny ; directeur de thèse : D. Lippens / [S.l.] : [s.n.] , 2007
Spectroscopie des défauts associés à l'épitaxie de GaAs et (GaAl)As sous jets moléculaires / par Aboubaker Chédikh Beye ; [sous la direction de Gérard Neu] / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1987
Nanosystèmes magnétostrictifs de TRFe2(110) (TR=terre rare) : croissance, morphologie et propriétés magnétiques / Alexandra Mougin ; sous la direction de Catherine Dufour / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1999
Epitaxie de films minces métalliques : (i) relaxation élastique pendant la croissance pseudomorphe, (ii) épitaxie d'hétérostructures NiMnSb/MgO/NiMnSb pour l'électronique de spin / Pascal Turban / Villeurbanne : [CCSD] , 2018
Nanofils à hétérostructures axiales GaAs/InAs pour applications photoniques sur Si / Daria Vyacheslavovna Beznasyuk ; sous la direction de Julien Claudon / , 2018
Élaboration et propriétés physiques de supperréseaux à base de manganèse / Hélène Fischer ; sous la direction de M. Piecuch / , 1995
Etude par microscopie tunnel de la transition 2D-3D du mode de croissance lors de l'épitaxie de couches contraintes InGaAs sur InP / par Pascal Krapf ; [sous la direction de Louis Porte] / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1997
Epitaxie d'hétérostructures combinant oxydes fonctionnels et semiconducteurs III-V pour la réalisation de nouvelles fonctions photoniques / Benjamin Meunier ; sous la direction de Guillaume Saint-Girons / , 2016
Croissance de boîtes quantiques In(Ga)As sur substrats de silicium et de SOI pour la réalisation d'émetteurs de lumière / Ahiram El Akra ; sous la direction de Catherine Bru Chevallier et de Hervé Dumont / [S.l.] : [s.n.] , 2012
Heterostructure epitaxy and devices--HEAD '97 / [HEAD '97, 3rd International Workshop on Heterostructure Epitaxy and Devices, October 12-16 1997 House of Scientists, Smolenice Castle, Slovakia] ; edited by Peter Kordoš and Jozef Novák ; [organised by Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Institute of Thin Film and Ion Technology, Research Centre Jülich] / Dordrecht : Kluwer Academic , cop. 1998
Etude structurale en microscopie électronique en transmission d'hétérostructures GaAs-Composé métallique-GaAs épitaxiées par jets moléculaires / Béatrice Guenais ; sous la dir. de Roland Guérin / [S.l.] : [s.n.] , 1993
Vers un laser à cascade quantique à base d'oxyde de zinc / Nolwenn Le Biavan ; sous la direction de Jean-Michel Chauveau et de Maxime Hugues / , 2019
Elaboration par EJM de diodes laser à base de GaSb pour des applications de puissance et de spectroscopie dans le moyen infrarouge / Abdelmajid Salhi ; sous la dir. de André Joullié / [S.l.] : [s.n.] , 2004
Croissance EJM et caractérisation de Zn3N2 et Mg3N2 : de l'épitaxie à la science des matériaux / Philipp Maximilian John ; sous la direction de Jésus Zúñiga-Pérez / , 2021
Evolution morphologique des nanostructures Si(1-x)Ge(x) pendant la croissance par EJM / Alina Mihaela Pascale ; sous la direction de A. Pimpinelli / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2004
Dopage P de CdxHg(1-x)Te par épitaxie par jets moléculaires / Sébastien Plissard ; sous la direction de Engin Molva / , 2007
Diodes électroluminescentes blanches monolithiques / par Amélie Dussaigne / Villeurbanne : [CCSD] , 2008
Ingénierie des propriétés diélectriques d'oxydes pérovskites par nanostructuration jusqu'à l'échelle de la monocouche / Mohamed Elhachmi Bouras ; sous la direction de Guillaume Saint-Girons et de Sébastien Cueff / , 2019
Localized growth and characterization of silicon nanowires / Tao Xu ; sous la direction de Bruno Grandidier / , 2009
Dislocation et relaxation des contraintes aux interfaces entre semiconducteurs III-V à large différence de paramètres de maille / Yi Wang / Villeurbanne : [CCSD] , 2013
Matériaux III-V épitaxies sur substrats GaAs(111) pour structures laser émettant au-delà du micromètre / Stéphanie Blanc ; sous la dir. de Chantal Fontaine / [S.l.] : [s.n.] , 2002
Propriétés structurales et magnétiques des superréseaux Fe/Ir(100) / Mohamed Abdallahi Ould Mohamed Lemine ; sous la direction de Jean-Philippe Bauer / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1999
Croissance épitaxiale d'oxydes fonctionnels sur silicium et caractérisation de couches minces d'oxydes de structure pérovskite / Alexandre Guiller ; [sous la direction de] André Perrin, Jean Fompeyrine / Lille : Atelier national de reproduction des thèses , 2009
Étude structurale des super-réseaux (Ga1-x Alx As)n1 / (GaAs)n2 au moyen de la microscopie électronique en transmission / Alain Poudoulec ; [sous la dir. de] Roland Guérin / [S.l.] : [s.n.] , 1990
Croissance auto-catalysée de nanofils d'InP sur silicium par épitaxie par jets moléculaires en mode vapeur-liquide-solide : application aux interconnexions optiques sur puce / Jean-Baptiste Barakat ; sous la direction de Michel Gendry / , 2015
Croissance par MBE et caractérisation de structures GaInAsP pour la réalisation de circuits intégrés photoniques à base d'amplificateurs optiques à très large bande spectrale / Quentin Hochart ; sous la direction de Hélène Carrere / Toulouse : INSA Toulouse , 2023
Croissance et caractérisation électrique de nanocristaux d'InAs / SiO2 pour des applications de mémoires non volatiles sur silicium / par Moïra Hocevar ; sous la direction de Michel Gendry et Abdelkader Souifi / Lille : Atelier national de reproduction des thèses , 2008
Couplage magnétique et effets magnétostrictifs dans des films épitaxies et super-réseaux à base de terres rares / Karine Dumesnil ; sous la direction de P. Mangin / [Lieu de publication inconnu] : [éditeur inconnu] , 1995
Conception, réalisation et caractérisation de dispositifs à microcavité verticale III-V pour la photodétection et l'émission-détection duale / Laurent Averseng ; sous la dir. de Véronique Bardinal / [S.l.] : [s.n.] , 2002
Apport des techniques de photoémission à la connaissance des hétérostructures Ge/Si(001), Si/Ge(001), Si1-xGex/Si(001) et Si1-xGex/Ge(001) / Dominique Aubel ; sous la direction de L. Kubler / [Lieu de publication inconnu] : [Éditeur inconnu] , 1995
Croissance et spectroscopie de boîtes quantiques diluées d'InAs/InP(001) pour des applications nanophotoniques à 1,55 µm / Emmanuel Dupuy ; sous la direction de Michel Gendry et de Dominique Drouin et de Denis Morris / , 2009
Growth and characterization of GaN/lnGaN nanowire heterostructures / Xin Zhang ; sous la direction de Bruno Daudin et de Bruno Gayral / , 2017
Croissance et étude d'hétérostructures contraintes pour amplificateurs optiques insensibles à la polarisation / Anne Godefroy ; sous la direction de Guy Stéphan / [S.l.] : [s.n.] , 1994
Traitement des plaquettes de GaAs (100) de grand diamètre : mise au point du procédé, préparation et caractérisations de surface pour l'épitaxie par jets moléculaires / Fabienne Negri ; directeur de thèse Elena Bedel-Pereira / [S.l.] : [s.n.] , 2001
Superréseaux InAs/GaSb réalisés par épitaxie par jets moléculaires pour photodétection à 300 K dans le moyen-infrarouge / Jean-Baptiste Rodriguez ; sous la direction de André Joullié / Montpellier : Université de Montpellier 2 Sciences et Techniques du Languedoc , 2005
Croissance auto-organisée de fils et boîtes quantiques d'InAs / InP(001) pour composants optoélectroniques / par Julien Brault ; [sous la direction de Michel Gendry] / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2000
Dislocation et relaxation des contraintes aux interfaces entre semiconducteurs III-V à large différence de paramètres de maille / Yi Wang ; [sous la direction de] Pierre Ruterana et Jun Chen / Lille : Atelier national de reproduction des thèses , 2012
AlGaN quantum dots grown by molecular beam epitaxy for ultraviolet light emitting diodes / Samuel Matta ; sous la direction de Bernard Gil / , 2018
Croissance épitaxiale d'oxydes fonctionnels sur silicium et caractérisation de couches minces d'oxydes de structure pérovskite / Alexandre Guiller ; [sous la dir. de] André Perrin, Jean Fompeyrine / [S.l.] : [s.n.] , 2009
Épitaxie par jet moléculaire de couches de silicium dopées par implantation d'ions arsenic / Régina Pinto de Carvalho ; [sous la direction d'] A. Vapaille / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1986
Epitaxie par jets moléculaires de nanostructures isolées de germanium sur silicium / Romain Dujardin ; sous la direction de Dr. André Barski / , 2006
Epitaxie de semiconducteurs II-VI:ZnTe/ZnSe et CdTe:Se : étude du confinement électronique de type-II et du dopage isoélectronique / Rita Najjar ; sous la direction de Henri Mariette et Régis André / , 2008
Epitaxie de semiconducteurs II-VI:ZnTe/ZnSe et CdTe:Se : étude du confinement électronique de type-II et du dopage isoélectronique / Rita Najjar ; sous la direction de Henri Mariette et Régis André / Lille : Atelier national de reproduction des thèses , 2008
Étude de la croissance et des propriétés de films minces d'AIN épitaxiés par jets moléculaires sur substrat silicium : application aux résonateurs acoustiques et perspectives d'hétérostructures intégrées sur silicium / par Jean-Christophe Moreno ; sous la direction de Fabrice Semond / Lille : Atelier national de reproduction des thèses , 2009
Etude de la croissance et des propriétés thermoélectriques du Bi2Te3, Sb2Te3 et de l'alliage BixSb2<xTe3 déposés par jet moléculaire / par Azzouz Yassine ; sous la direction de André Boyer / [S.l.] : [s.n.] , [1990]
Mise en oeuvre d'un dispositif d'épitaxie par jets moléculaires : identification physique du système en vue de sa commande : application au dépôt de GaAs cristallin / par Bernard Delhomme ; sous la direction de R. Lacoste / [S.l.] : [s.n.] , 1978
Épitaxie par jets moléculaires sur GAAS des composés du rhodium RH2::(A)S et RHGA / Marinette Secoué le 1987 [ Rennes 1 ]
Contrôle de l’émission spontanée de boîtes quantiques semiconductrices insérées dans des micro-structures à confinement optique originales / Maela Bazin le 2010 [ Grenoble ]
Réalisation de diodes électroluminescentes à base de nanofils d'AlN pour l'émission UV-C / Remy Vermeersch le 2023 [ Université Grenoble Alpes ]
Défauts et séparations de phase dans alinas préparé par épitaxie par jets moléculaires influence sur les propriétés électriques / Mireille Oustric le 1996 [ Ecully, Ecole centrale de Lyon ]
Étude de cuprates BiSrCaCuO déficitaires en bismuth synthétisés par épitaxie par jets moléculaires / Hicham El Alami le 2003 [ Paris 12 ]
Dopage P de CdxHg(1-x)Te par épitaxie par jets moléculaires / Sébastien Plissard le 2007 [ Grenoble INPG ]
Nanostructures III-V pour l'électronique de spin / Pascal Gallo le 2006 [ Toulouse, INSA ]
Evolution morphologique des nanostructures Si(1-x)Ge(x) pendant la croissance par EJM / Alina Mihaela Pascale le 2003 [ Aix-Marseille 2 ]
Epitaxie de semiconducteurs II-VI:ZnTe/ZnSe et CdTe:Se : étude du confinement électronique de type-II et du dopage isoélectronique / Rita Najjar le 2008 [ Grenoble 1 ]
Développement de l'épitaxie par jets moléculaires pour la croissance d'oxydes fonctionnels sur semiconducteurs / Lamis Louahadj le 2014 [ Ecully, Ecole centrale de Lyon ]
Growth of semiconductor ( core) / functional oxide ( shell) nanowires : application to photoelectrochemical water splitting / Xin Guan le 2017 [ Lyon ]
Etude de la commutation résistive d'oxydes binaires (HfO2, TiO2) élaborés par dépôt par jets moléculaires et intégrés dans des dispositifs de type memristifs métal-oxyde-métal : effets du dopage et de l'implantation / Marie Minvielle le 2017 [ Lyon ]
Epitaxie par jets moléculaires de l'oxyde BaTiO3 sur Si et Si1xGex : étude de la croissance, des propriétés structurales ou physico-chimiques et de la ferroélectricité : applications à des dispositifs à effet de champ / Lucie Mazet le 2016 [ Lyon ]
Couches minces d'oxydes pyroélectriques épitaxiées sur Si pour la récupération d'énergie thermique / Rahma Moalla le 2016 [ Lyon ]
Etude par photoémission d’interfaces métal / oxyde et métal / semiconducteur élaborées par épitaxie par jets moléculaires / Louise Fouquat le 2018 [ Lyon ]
Croissance par épitaxie par jets moléculaires de structures contraintes GaInAs sur substrat GaAs : réalisation et caractérisation de HEMT's pseudomorphiques GaAlAs/GaInAs/GaAs / Yvon Cordier le 1992 [ Lille 1 ]
Elaboration et analyse de diodes lasers émettant entre 2. 3 µm et 3. 1 µm / Julie Angellier le 2006 [ Montpellier 2 ]
Nanostructures à base de semi-conducteurs nitrures pour l'émission ultraviolette / Chalermchai Himwas le 2015 [ Université Grenoble Alpes (ComUE) ]
Optimisation de la croissance de MoSe2 - WSe2 par épitaxie de Van der Waals pour la valleytronique / Céline Vergnaud le 2020 [ Université Grenoble Alpes ]
Synthèse contrôlée de couches de PtSe2 par épitaxie par jets moléculaires pour les dispositifs optoélectroniques dans l’infrarouge / Ivan Verschueren le 2022 [ Institut polytechnique de Paris ]
P-type thermoelectric Sr-doped LaCrO3 epitaxial films / Dong Han le 2020 [ Lyon ]
Nanostructures hybrides combinant nanofils III-V et matériaux fonctionnels pour le contrôle de l'émission optique / Henri-Gabriel Gloriès le 2023 [ Ecully, Ecole centrale de Lyon ]
Synthèse de multicouches Ge/GeMn en vue d'applications en spintronique et capteurs bio-chimiques / Minh Tuan Dau le 2011 [ Aix-Marseille 2 ]
Croissance de NFs d'InP sur silicium par épitaxie par jets moléculaires en mode VLS / Khalid Naji le 2010 [ Ecully, Ecole centrale de Lyon ]
Croissance et caractérisation d'hétérostructures ZnBeSe à large bande interdite / Catherine Chauvet-Guibert le 2001 [ Nice ]
Superréseaux de dopage NINI : faisabilité par épitaxie sous vide du silicium : propriétés de transport attendues / Nadia Djebbar le 1988 [ Paris 11 ]
Etude des propriétés électriques et optiques d'hétérostructures Si/CaF2 déposées sur substrats Si(111) / Guillaume Guirleo le 2002 [ Aix-Marseille 2 ]
Élaboration et propriétés magnétiques de multicouches Ag/Fe et Cr/Fe épitaxiées sur GaAs(001) / Frédéric Nguyen Van Dau le 1989 [ Paris 11 ]
Nanostructures Al (Ga) N/GaN pour l'optoéléctronique intersousbande dans l'infrarouge proche et moyen / Prem Kumar Kandaswamy le 2010 [ Grenoble ]
Superréseaux InAs/GaSb réalisés par épitaxie par jets moléculaires pour photodétection à 300 K dans le moyen-infrarouge / Jean Baptiste Rodriguez le 2005 [ Montpellier 2 ]
Croissance de boîtes quantiques In(Ga)As sur substrats de silicium et de SOI pour la réalisation d'émetteurs de lumière / Ahiram el Akra le 2012 [ Ecully, Ecole centrale de Lyon ]
Epitaxie par jets moléculaires d'organométalliques : métallisation de GaAs par CoGa et analyse in situ des processus de surface par photoémission / Nicolas Viguier le 1997 [ Toulouse, INPT ]
Croissance par épitaxie par jets moléculaires d'hétérostructures AlInAs/Ga1-xInxAs/InP à dopage planaire pour application aux transistors HEMT / Bouchta Layati le 1996 [ Lille 1 ]
Nanostructuration par FIB filtrée pour l'élaboration de nanostructures semi-conductrices organisées / Élise Ruiz le 2012 [ Aix-Marseille ]
Étude et réalisation d'émetteurs optiques intégrés sur matériaux III-V / Régis Hamelin le 1995 [ Lille 1 ]
Hétérostructures et disponibles microélectriques à base d'oxydes High-k : Préparés sur silicium par EJM / Loic Becerra le 2008 [ Ecully, Ecole centrale de Lyon ]
Epitaxial growth and magnetic properties of self-assembled GeMn quantum dots / Son Tung Pham le 2017 [ Aix-Marseille ]
Étude structurale des super-réseaux (Ga1-x Alx As)n1 / (GaAs)n2 au moyen de la microscopie électronique en transmission / Alain Poudoulec le 1990 [ Rennes 1 ]
Croissance auto-catalysée de nanofils d'InP sur silicium par épitaxie par jets moléculaires en mode vapeur-liquide-solide : application aux interconnexions optiques sur puce / Jean-Baptiste Barakat le 2015 [ Ecully, Ecole centrale de Lyon ]
Etude de l’incorporation de Bismuth lors de l’épitaxie par jets moléculaires de matériaux antimoniures / Olivier Delorme le 2019 [ Montpellier ]
Hétérostructures épitaxiées avec des propriétés dépendantes de spin et de charges pour des applications en spintronique / Florian Gellé le 2019 [ Strasbourg ]
AlGaN quantum dots grown by molecular beam epitaxy for ultraviolet light emitting diodes / Samuel Matta le 2018 [ Montpellier ]
Croissance par épitaxie par jets moléculaires de films de nitrure d'aluminium sur substrats de silicium et de carbure de silicium étudiés par microscopie à force atomique en mode non contact et par microscopie à sonde de kelvin sous ultra vide / Florian Chaumeton le 2015 [ Toulouse 3 ]
Epitaxie d'hétérostructures combinant oxydes fonctionnels et semiconducteurs III-V pour la réalisation de nouvelles fonctions photoniques / Benjamin Meunier le 2016 [ Lyon ]
Nanostructures magnétiques auto-assemblées sur des surfaces à faible énergie par épitaxie par jets moléculaires / Fabiola Liscio le 2009 [ Grenoble INPG ]
Novel substrates for growth of III-Nitride materials / Vishnuvarthan Kumaresan le 2016 [ Paris 6 ]
Nanofils de Ga ( AI) As sur silicium pour les cellules photovoltaïques de 3ème génération : simulation et croissance auto-catalysée / Abdennacer Benali le 2017 [ Lyon ]
Épitaxie par jet moléculaire de couches de silicium dopées par implantation d'ions arsenic / Regina Pinto de Carvalho le 1986 [ Paris 11 ]
Transistor à effet de champ à couche métamorphique AlInAs-GaInAs-GaAs : un nouveau composant pour l'amplification hyperfréquence et la logique ultra rapide / Pascal Win le 1993 [ Lille 1 ]
Nanofils AlxGa1-xN et AlN pour la réalisation de diodes émettant dans l'UV-C / Alexandra-Madalina Siladie le 2019 [ Université Grenoble Alpes (ComUE) ]
Ingénierie des propriétés diélectriques d'oxydes pérovskites par nanostructuration jusqu'à l'échelle de la monocouche / Mohamed Elhachmi Bouras le 2019 [ Lyon ]
Croissance par MBE et caractérisation de structures GaInAsP pour la réalisation de circuits intégrés photoniques à base d'amplificateurs optiques à très large bande spectrale / Quentin Hochart le 2023 [ Toulouse, INSA ]
Nanofils à hétérostructures axiales GaAs/InAs pour applications photoniques sur Si / Daria Vyacheslavovna Beznasyuk le 2018 [ Université Grenoble Alpes (ComUE) ]
Optical spectroscopy of hexagonal boron nitride : from bulk to monolayer / Christine Elias le 2020 [ Montpellier ]
Epitaxie de GaAs par jets moléculaires d'organométalliques. Etude in situ de la croissance par photoémission / Khalid Bouabid le 1995 [ Toulouse, INPT ]
Dopage avec ions simples et complexes de couches d'arséniure de gallium épitaxiés par jets moléculaires / Sylvain Cavalieri le 1986 [ Nice ]
Etude par microscopie tunnel de la transition 2D-3D du mode de croissance lors de l'épitaxie de couches contraintes InGaAs sur InP / Pascal Krapf le 1997 [ Ecully, Ecole centrale de Lyon ]
Élaboration et caractérisation de phases topologiques de l’alliage Bi₁₋ ₓSbₓ pour la conversion spin charge / Laëtitia Baringthon le 2022 [ université Paris-Saclay ]
LEDs rouges à base d'hétérostructure graphène (cristaux 2D)/InGaN / Colin Paillet le 2022 [ Université Grenoble Alpes ]
Nanofils de GaN/AlGaN pour les composants quantiques / Akhil Ajay le 2018 [ Université Grenoble Alpes (ComUE) ]
Élaboration et propriétés physiques de supperréseaux à base de manganèse / Hélène Fischer le 1995 [ Nancy 1 ]
Analyse du transport dans les jonctions tunnel magnétiques épitaxiées à barrière de MgO(001) par manipulation des interfaces, de la barrière et des électrodes / Frédéric Bonell le 2009 [ Nancy 1 ]
Etude structurale en microscopie électronique en transmission d'hétérostructures GaAs-Composé métallique-GaAs épitaxiées par jets moléculaires / Béatrice Guenais le 1993 [ Rennes 1 ]
Croissance par jets moléculaires (MBE) des jonctions tunnel magnétiques et semiconducteurs magnétiques sur des substrats de Si(Ge) pour des applications en électronique de spin / Siôn Federico Olive Mendez le 2008 [ Aix-Marseille 2 ]
Étude de la senbilité à la température de structures laser alumino-phosphorées à multi-puits quantiques sur substrat InP / Cathy Sion le 1999 [ Lille 1 ]
Le graphène comme barrière tunnel : propriétés d'injection de charges et de spin / Florian Godel le 2015 [ Strasbourg ]
Photodétecteurs infrarouge à cavité résonnante à base de matériaux III-V de la filière Inp couvrant la gamme 1,7-2,2 um / Sergueï Jourba le 1999 [ Ecully, Ecole centrale de Lyon ]
Etude et réalisation de diodes lasers émettant entre 2,2-2,4 [micro]m pour application à l'analyse de gaz / Dmitri Yarekha le 2001 [ Montpellier 2 ]
Diodes électroluminescentes blanches monolithiques / Amélie Dussaigne le 2005 [ Nice ]
Croissance en épitaxie par jets moléculaires et caractérisation structurale de GaAs, GaAlAs sur silicium / Bernard Bartenlian le 1991 [ Lyon 1 ]
Composants optoélectroniques à microcavités verticales sur GaAs : technologies avancées pour de nouvelles fonctions / Moustapha Condé le 2008 [ Toulouse 3 ]
Croissance par EJM à boîtes quantiques sur des couches localement dopées par FIB / Mirja Richter le 2007 [ Nice ]
Transport tunnel polarisé en spin dans le système épitaxié Fe/MgO/Fe : interactions magnétiques et symétries électroniques / Jérôme Faure-Vincent le 2004 [ Vandoeuvre-les-Nancy, INPL ]
Croissance et caractérisation électrique de nanocristaux d'InAs / SiO2 pour des applications de mémoires non volatiles sur silicium / Moïra Hocevar le 2008 [ Lyon, INSA ]
Conception, élaboration et caractérisation de structures à puits quantiques GaInAsN/GaAs pour composants optoélectroniques émettant à 1,3 [micromètre] / Hélène Carrère le 2002 [ Toulouse, INSA ]
L'approche paramorphique : Un nouveau procédé pour l'hétéroépitaxie de matériaux idéalement relaxés : Application à la croissance de InGaAs sur InP / Jean-François Damlencourt le 2000 [ Ecully, Ecole centrale de Lyon ]
Elaboration par épitaxie par jets moléculaires de dopage planaire silicium dans des couches de GaAs et GaAlAs : application à la réalisation de transistors à effet de champ microondes / Bertrand Splingart le 1993 [ Lille 1 ]
Boîtes et fils de Ge sur Si(001) ordonnés à longue distance par des réseaux de dislocations de flexion / Valier Poydenot le 2005 [ Grenoble 1 ]
Réalisation par MBE et caractérisation physique de diodes lasers à puits quantiques GaInAsSb/AlGaAsSb émettant vers 2. 3 [micro]m / Arnaud Perona le 2002 [ Montpellier 2 ]
Intégration monolithique de matériaux III-V et de Ge sur Si en utilisant des buffers oxydes cristallins / Jun Cheng le 2010 [ Ecully, Ecole centrale de Lyon ]
Epitaxy of crystalline oxides for functional materials integration on silicon / Gang Niu le 2010 [ Ecully, Ecole centrale de Lyon ]
Développement d'un dispositif expérimental pour la diffraction d'atomes rapides et étude de surfaces d'isolants ioniques / Pierre Soulisse le 2011 [ Paris 11 ]
Integration of epitaxial piezoelectric thin films on silicon / Shi Yin le 2013 [ Ecully, Ecole centrale de Lyon ]
Contribution à l'étude d'interfaces de semi-conducteurs III-V par spectroscopies de photoélectrons : cas de l'interface GaAs-GaInP / Olivier Dehaese le 1997 [ Lille 1 ]
Epitaxie par jets moléculaires à sources gazeuses des matériaux AlGaInP sur substrat GaAs pour applications hyperfréquences / Olivier Schuler le 1998 [ Lille 1 ]
Growth and optical characterization of Sb-based materials on InP for optical telecommunication / Yu Zhao le 2014 [ Rennes, INSA ]
Couplage magnétique et effets magnétostrictifs dans des films épitaxies et super-réseaux à base de terres rares / Karine Dumesnil le 1995 [ Vandoeuvre-les-Nancy, INPL ]
Caractérisation électro-optique de composants térahertz par échantillonnage Franz-Keldysh subpicoseconde / Ludovic Desplanque le 2003 [ Lille 1 ]
Croissance épitaxique à basse température d'hétérostructures Si1-xGex/Si(001) par décomposition catalytique de sources gazeuses en régime moléculaire / Régis Chelly le 1997 [ Mulhouse ]
Fabrication and characterization of III-V MOSFETs for high performance and low power applications / Matej Pastorek le 2017 [ Lille 1 ]
Croissances d'hétérostructures à base de Si et de Ge épitaxiées par jets moléculaires : rôle de la contrainte sur les diffusions de surface et les morphologies / Didier Dentel le 1999 [ Mulhouse ]
Croissance de nanofils III-V par épitaxie par jets moléculaires / Thanh Giang Le Thuy le 2014 [ Grenoble ]
Croissance d'hétérostructures III-V sur des couches tampons de SrTiO3/Silicium / Azza Chettaoui le 2013 [ Ecully, Ecole centrale de Lyon ]
Intégration des matériaux III-V antimoniures sur substrat de silicium / Karine Madiomanana le 2015 [ Montpellier ]
Épitaxie par jets moléculaires d'hétérostructures GaAl As-GaAs pour transistors et circuits intégrés bipolaires / Jean-Louis Liévin le 1986 [ Paris 11 ]
Structural analyses by advanced X-ray scattering on GaP layers epitaxially grown on silicon for integrated photonic applications / Yanping Wang le 2016 [ Rennes, INSA ]
Selective area growth of in-plane III-V nanostructures using molecular beam epitaxy / Maria Fahed le 2016 [ Lille 1 ]
Cinétique de la relaxation vers l'équilibre de cristaux nanométriques / Nicolas Combe le 2001 [ Lyon 1 ]
Déflexion électrique d'un jet moléculaire : progrès expérimentaux et théoriques / Mohamad Abd El Rahim le 2005 [ Lyon 1 ]
Etude des modes de croissance et des mécanismes de relaxation de couches InxGa1-xAs (x < 0,53) contraintes en tension sur InP : Application dans la réalisation d'hétérostructures pour composants optoélectroniques / Thierry Venet le 1998 [ Ecully, Ecole centrale de Lyon ]
Elaboration de photocathodes de seconde génération à base d'antimoniures d'alcalins par la technique d'épitaxie par jets moléculaires / Nicolas Massegu le 2006 [ Montpellier 2 ]
Croissance auto-organisée de fils et boîtes quantiques d'InAs / InP(001) pour composants optoélectroniques / Julien Brault le 2000 [ Ecully, Ecole centrale de Lyon ]
Nanofils de GaN/AlN : nucléation, polarité et hétérostructures quantiques / Thomas Auzelle le 2015 [ Université Grenoble Alpes (ComUE) ]
Croissance EJM et caractérisation de Zn3N2 et Mg3N2 : de l’épitaxie à la science des matériaux / Philipp Maximilian John le 2021 [ Université Côte d'Azur ]
Développement de LEDs rouges en matériaux III-V (type GaAs) directement épitaxié sur silicium 300mm / Pauline Gaillard le 2023 [ Université Grenoble Alpes ]
Elaboration par épitaxie par jets moléculaires et caractérisation d'hétérostructures pseudomorphiques Ga1-xInxAs/AlInAs sur InP pour transistors à haute mobilité d'électron (HEMT) / Virginie Drouot le 1993 [ Ecully, Ecole centrale de Lyon ]
Croissance et étude d'hétérostructures contraintes pour amplificateurs optiques insensibles à la polarisation / Anne Godefroy le 1994 [ Rennes 1 ]
Croissance par épitaxie par jets moléculaires et caractérisation du système AlGaInA sur InP et application aux transistors bipolaires à hétérojonction / Jean-Pierre Praseuth le 1987 [ Paris 11 ]
Hétéroépitaxie de GaN sur Si : De la nucléation à la relaxation des contraintes, étude par microscopie électronique en transmission / Nicolas Mante le 2016 [ Université Grenoble Alpes (ComUE) ]
Développement de nanostructures à base d'AlGaN pour la fabrication de composants émetteurs de lumière UV à pompage électronique / Anjali Harikumar le 2022 [ Université Grenoble Alpes ]
Caractérisation et modélisation du gaz 2D des dispositifs MIS-HEMTs sur GaN / Iliass Nifa le 2018 [ Université Grenoble Alpes (ComUE) ]
Développement de briques technologiques pour la co-intégration par l'épitaxie de transistors HEMTs AlGaN/GaN sur MOS silicium / Rémi Comyn le 2016 [ Université Côte d'Azur (ComUE) ]
Vers un laser à cascade quantique à base d’oxyde de zinc / Nolwenn Le Biavan le 2019 [ Université Côte d'Azur (ComUE) ]
Epitaxie de films minces métalliques : (i) relaxation élastique pendant la croissance pseudomorphe, (ii) épitaxie d'hétérostructures NiMnSb/MgO/NiMnSb pour l'électronique de spin / Pascal Turban le 2001 [ Nancy 1 ]
Elaboration de graphène par épitaxie par jets moléculaires et caractérisation / Éléonore Moreau le 2011 [ Lille 1 ]
Etude de la croissance et de la structure électronique des interfaces Ce-Métaux de Transition / Nadine Witkowski le 1998 [ Nancy 1 ]
Des interfaces réelles métal/MgO(001) au transport dans les jonctions tunnel épitaxiées / Muriel Sicot le 2005 [ Nancy 1 ]
Croissance et spectroscopie de boîtes quantiques diluées d'InAs/InP(001) pour des applications nanophotoniques à 1,55 µm / Emmanuel Dupuy le 2009 [ Ecully, Ecole centrale de Lyon ]
Dislocation et relaxation des contraintes aux interfaces entre semiconducteurs III-V à large différence de paramètres de maille / Yi Wang le 2012 [ Caen ]
Etude par microscopie à effet tunnel et diffraction d'électrons de la croissance de couches métalliques par épitaxie moléculaire / David Atlan le 1995 [ Lyon 1 ]
Application des contraintes biaxiales à l'amélioration du transport vertical des trous dans les hétérostructures / Jean-François Lampin le 1997 [ Lille 1 ]
Application de la microscopie à sonde locale à l'étude de la surface de GaN(0001) / Stéphane Vézian le 2000 [ Nice ]
Apport des techniques de photoémission à la connaissance des hétérostructures Ge/Si(001), Si/Ge(001), Si1-xGex/Si(001) et Si1-xGex/Ge(001) / Dominique Aubel le 1995 [ Mulhouse ]
Croissance épitaxiale de films et superrésaux de vanadates de terres rares : vers l’émergence de propriétés multiferroïques / Gauthier Masset le 2020 [ Université de Lorraine ]
Oxydes cristallins à haute permittivité diélectrique épitaxiés sur silicium : SrO et SrTiO3 / Gabriel Delhaye le 2006 [ Ecully, Ecole centrale de Lyon ]
Growth, structural and electro-optical properties of GaP/Si and GaAsPN/ GaP single junctions for lattice-matched tandem solar cells on silicon / Samy Almosni le 2015 [ Rennes, INSA ]
Spectroscopie des défauts associés à l'épitaxie de GaAs et (GaAl)As sous jets moléculaires / Aboubaker Chedikh Beye le 1987 [ Nice ]
Étude de la diffraction électronique en incidence rasante en vue de son application à la croissance épitaxiale par jets moléculaires de GaAs et AlxGa1-xAs / Chantal Neri le 1989 [ Nice ]
III-V-on-Si nanowire-based solar cells for tandem applications / Capucine Tong le 2023 [ université Paris-Saclay ]
Epitaxie de GaN sur substrat de graphène / Camille Barbier le 2021 [ Sorbonne université ]
Elaboration et propriétés de nanofils à base d'InGaN pour la réalisation de micro et nanoLEDs / Marion Gruart le 2020 [ Université Grenoble Alpes ]
Diameter engineering in III-V nanowire heterostructures - Experiments and modelling / Anton Pishchagin le 2021 [ Sorbonne université ]
Croissance de BN hexagonal par épitaxie par jets moléculaires sur nickel / Jawad Hadid le 2021 [ Université de Lille (2018-2021) ]
Matériaux III-V épitaxies sur substrats GaAs(111) pour structures laser émettant au-delà du micromètre / Stéphanie Blanc le 2002 [ Toulouse 3 ]
Croissance sélective et caractérisation de nanostructures de matériaux III-V élaborées par épitaxie par jets moléculaires / Alexandre Bucamp le 2019 [ Université de Lille (2018-2021) ]
Hétérostructures métal magnétique - barrière tunnel pour l'injection de spin dans les semiconducteurs III-V : étude des propriétés d'interface du système Fe/Al0,48In0,52As(001) / Nicolas Tournerie le 2005 [ Rennes 1 ]
Auto-organisation de boites quantiques de Ge sur des substrats nanostructurés / Alim Karmous le 2006 [ Aix-Marseille 3 ]
Elaboration, étude et application d'hétérostructures (Al,Ga)N/GaN épitaxiées par jets moléculaires sur Si (111) / Franck Natali le 2003 [ Nice ]
Réalisation de structures GaN à polarité périodique en vue d'applications à l'optique non linéaire / Sébastien Pezzagna le 2005 [ Nice ]
Elaboration par EJM de diodes laser à base de GaSb pour des applications de puissance et de spectroscopie dans le moyen infrarouge / Abdelmajid Salhi le 2004 [ Montpellier 2 ]
Fast atom diffraction at crystal surfaces, the role of attractive forces / Peng Pan le 2022 [ université Paris-Saclay ]
Novel solutions for piezogeneration enhancement in GaN nanowires / Tanbir Kaur Sodhi le 2022 [ université Paris-Saclay ]
Etude et mise au point des moyens et procédures d'épitaxie par jets moléculaires pour fabriquer des structures VCSEL à base d'antimoniures / Laurent Cerutti le 2004 [ Montpellier 2 ]
Nanostructures GaN pour l'émission dans l'ultraviolet / Abdelkarim Kahouli le 2012 [ Nice ]
Structure des Couches d’InN et d’alliages (In,Al)N / Arantxa Vialta Clemente le 2012 [ Caen ]
Epitaxie par jets moléculaires de nanostructures isolées de germanium sur silicium / Romain Dujardin le 2006 [ Grenoble 1 ]
Nanostructures et films minces magnétiques sur surfaces vicinales de Si (111) / Antoine Fleurence le 2007 [ Paris 11 ]
Nanosystèmes magnétostrictifs de TRFe2(110) (TR=terre rare) : croissance, morphologie et propriétés magnétiques / Alexandra Mougin le 1999 [ Nancy 1 ]
Dynamique de recombinaison excitonique dans les puits quantiques GaN/AlGaN / Mathieu Gallart le 2001 [ Montpellier 2 ]
Propriétés structurales et magnétiques des superréseaux Fe/Ir(100) / Mohamed Abdellahi Ould Mohamed Lemine le 1999 [ Nancy 1 ]
Conception d'un amplificateur optique à 1,3 (micron)m : spectroscopie de couches minces de LaF3 dopé Nd3+ et développement de procédés technologiques innovants / Benoît Viallet le 2004 [ Toulouse 3 ]
Croissance épitaxiale d'oxydes fonctionnels sur silicium et caractérisation de couches minces d'oxydes de structure pérovskite / Alexandre Guiller le 2009 [ Rennes 1 ]
Étude de la croissance et des propriétés de films minces d'AIN épitaxiés par jets moléculaires sur substrat silicium : application aux résonateurs acoustiques et perspectives d'hétérostructures intégrées sur silicium / Jean-Christophe Moreno le 2009 [ Nice ]
Propriétés électroniques des alliages d'Heusler Co1.5Fe1.5Ge et Co2MnSi / Amina Neggache le 2014 [ Université de Lorraine ]
Fabrication and characterization of sige-based core-shell nanostructures / Abdelmalek Benkouider le 2015 [ Aix-Marseille ]
Epitaxie par jets moléculaires de nitrure de gallium sopé terres rares : caractérisation structurale et optique / Nicolas Rousseau le 2003 [ Montpellier 2 ]
AlGaSb/InAs vertical tunnel field effect transistors for low power electronics / Vinay Kumar Chinni le 2017 [ Lille 1 ]
Développement de matériaux à base de nitrures d'aluminium et application à la réalisation de diodes électroluminescentes ultraviolettes / Aly Zaiter le 2023 [ Université Côte d'Azur ]
GaAs-on-Si solar cells based on nanowire arrays grown by molecular beam epitaxy / Romaric de Lépinau le 2020 [ université Paris-Saclay ]
Etude de la croissance et des propriétés thermoélectriques du Bi2Te3, Sb2Te3 et de l'alliage BixSb2<xTe3 déposés par jet moléculaire / Yassine Azzouz le 1990 [ Montpellier 2 ]
Anisotropie magnétique perpendiculaire de films ultraminces métal/cobalt/métal, maîtrise des interfaces : de l'épitaxie à l'irradiation ionique / Thomas Blon le 2005 [ Toulouse 3 ]
Dynamique de recombinaison électron-trou dans les puits et les boites quantiques InGaN / (Al)GaN / Aurélien Morel le 2002 [ Montpellier 2 ]
Localized growth and characterization of silicon nanowires / Tao Xu le 2009 [ Lille 1 ]
Composants pour la génération et la détection d’impulsions térahertz / Olivier Offranc le 2010 [ Lille 1 ]
Conception, réalisation et caractérisation de dispositifs à microcavité verticale III-V pour la photodétection et l'émission-détection duale / Laurent Averseng le 2002 [ Toulouse 3 ]
Première étape de la croissance de GaN sur Si(111) : la nucléation d'AIN / Arnaud Le Louarn le 2006 [ Nice ]
Surface characterization of III-V semiconductor nanowires : morphological, structural and electronic properties / Adrián Diaz Álvarez le 2016 [ Lille 1 ]
New material for energy : oxynitride thin films for photoelectrodes / Anyssa Derj le 2023 [ université Paris-Saclay ]
Étude de semiconducteurs III-V non-stoechiométriques pour l'échantillonnage de signaux hyperfréquences / Thomas Demonchaux le 2018 [ Université de Lille (2018-2021) ]
Croissance épitaxiale d'hétérostructures antimoniées sur substrats fortement désadaptés en maille pour applications aux transistors à effet de champ / Salim El Kazzi le 2012 [ Lille 1 ]
Étude théorique d'interfaces pour l'épitaxie de l'aluminate de lanthane sur silicium / Pierre Boulenc le 2007 [ Lille 1 ]
Traitement des plaquettes de GaAs (100) de grand diamètre : mise au point du procédé, préparation et caractérisations de surface pour l'épitaxie par jets moléculaires / Fabienne Negri le 2001 [ Toulouse 3 ]
Croissance épitaxiale, structure atomique et couplage d'échange de bicouches ultra-minces d'oxydes sur métaux / Anne Lamirand le 2014 [ Grenoble ]
Growth of hybrid piezoelectric/magnetostrictive systems for magnetic devices based on surface acoustic wave resonators / Vincent Polewczyk le 2018 [ Université de Lorraine ]
Mise en oeuvre de l'épitaxie par jets moléculaires pour la synthèse de diamant monocristallin / Thomas Gehin le 2004 [ Lille 1 ]
Towards an electrically-injected optical parametric oscillator / Alice Bernard le 2018 [ Sorbonne Paris Cité ]
Croissance métamorphique par épitaxie par jets moléculaires et caractérisations physiques pour transistor bipolaire à hétérojonction InP/InGaAs sur GaAs / Éric Lefebvre le 2005 [ Lille 1 ]
Caractérisation de couches minces de LaF3 dopées néodyme élaborées par épitaxie par jets moléculaires : conception réalisation de lasers guides d'onde / Christophe Serrano le 2000 [ Toulouse 3 ]
Contribution à l'étude de l'épitaxie par jets moléculaires à grande échelle de semi-conducteurs phosphorés / Sébastien Dhellemmes le 2006 [ Lille 1 ]
Étude et réalisation d'une source térahertz accordable de grande pureté spectrale / Romain Czarny le 2007 [ Lille 1 ]
Préparation de surfaces structurées et reprise d'épitaxie par jets moléculaires : réalisation de micro et nano structures sur GaAs / Olivier Desplats le 2008 [ Toulouse 3 ]
Influence of the epitaxial strain on magnetic anisotropy in LSMO thin films for spintronics applications / Sandeep kumar Chaluvadi le 2017 [ Normandie ]
Etudes expérimentales et modélisation de la diffusion du Be dans des structures épitaxiées III-V / Sylvestre Gautier le 1998 [ Rouen ]