034043543
1995-09-29
2021-09-05T11:57:42
Etude théorique du fonctionnement des dispositifs à effet de champ haute mobilité à hétérojonction / Mireille Mouis, 1988 [thèse]
Contribution à l’étude des non-linéarités du troisième ordre des mélangeurs BiCMOS [Thèse 2007]/Farah Fleur Guillot Chelfouh
Etude et caractérisation de l'influence des contraintes mécaniques sur les propriétés du transport électronique dans les architectures MOS avancées [Thèse 2007]/Florent Rochette
12483977
0000000366294278
Mouis, Mireille (1958-....)
Mouis
Mireille
Mireille Mouis
1958
Docteur en composants, signaux et systèmes (Paris 11, 1988)
Spécialisé en optique et radiofréquence
Directeur de thèse à l'Institut national polytechnique de Grenoble
Spécialisé en micro-nanoelectronique (DR CNRS)
Contraintes mécaniques en micro, nano et optoélectronique / sous la direction de Mireille Mouis / Paris : Hermes science publications
L'équation de Boltzmann des semiconducteurs. Étude mathématique et simulation numérique / Francisco José Mustieles Moreno ; [Sous la direction de] Pierre Degond / [S.l.] : [s.n.] , 1990
High-frequency noise and circuit properties of advanced FDSOI transistors / Ousmane Magatte Kane le 2020 [ Université de Lille (2018-2021) ]
Etude théorique de nanodispositifs électroniques et thermoélectriques à base de jonctions contraintes de graphène / Mai Chung Nguyen le 2016 [ Université Paris-Saclay (ComUE) ]
Matrice de nanofils piézoélectriques interconnectés pour des applications capteur haute résolution : défis et solutions technologiques / Edgar Leon Perez le 2016 [ Université Grenoble Alpes (ComUE) ]
Caractérisation électrique et modélisation des transistors FDSOI sub-22nm / Minju Shin le 2015 [ Université Grenoble Alpes (ComUE) ]
Étude des mécanismes de dégradation de la mobilité sur les architectures FDSOI pour les noeuds technologiques avancés (<20nm) / Sébastien Guarnay le 2015 [ Paris 11 ]
Étude et caractérisation d'un procédé intégrable pour la fabrication de composants supportés ou suspendus à base de graphène CVD / Ömür Işıl Aydin le 2014 [ Grenoble ]
Caractérisation électrique de transistors à effet de champ avancés : transistors sans jonctions, sur réseaux de nanotubes de carbone ou sur nanofil en oxyde d'étain / Min Kyu Joo le 2014 [ Grenoble ]
Electromechanical study of semiconductor piezoelectric nanowires. Application to mechanical sensors and energy harvesters / Ronan Hinchet le 2014 [ Grenoble ]
Numerical study of electro-thermal effects in silicon devices / Thu Trang Nghiem Thi le 2013 [ Paris 11 ]
Optimisation du procédé de réalisation pour l'intégration séquentielle 3D des transistors CMOS FDSOI / Cuiqin Xu le 2012 [ Grenoble ]
Etude de l'intégration de transistors à canal en graphène épitaxié par une technologie compatible CMOS / Milène Clavel le 2011 [ Grenoble ]
Electrical characterization and modeling of low dimensional nanostructure FET / Jae Woo Lee le 2011 [ Grenoble ]
Caractérisation de transport des électrons dans les transistors MOS à canal court / Narasimhamoorthy Subramanian le 2011 [ Grenoble ]
Etude théorique des propriétés thermiques et thermoelectriques des nanorubans de graphène / Fulvio Mazzamuto le 2011 [ Paris 11 ]
Modélisation tridimensionnelle multibandes du transport quantique dans les transistors à nanofil / Nicolas Pons le 2011 [ Aix-Marseille 1 ]
Étude théorique du fonctionnement des dispositifs à effet de champ haute mobilité à hétérojonction / Mireille Mouis ; [sous la direction de] René Castagne / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1988
Étude et modélisation de transistors MIS sur phosphure d'indium / Mireille Mouis / , 1982
Étude théorique du fonctionnement des dispositifs à effet de champ haute mobilité à hétérojonction / Mireille Mouis ; [sous la direction de] René Castagne / [S.l.] : [s.n.] , 1988
Étude théorique du fonctionnement des dispositifs à effet de champ haute mobilité à hétérojonction / Mireille Mouis le 1988 [ Paris 11 ]
Etude des propriétés thermoélectriques et d'isolation thermique du Si poreux et Si nanocristallin / Aikaterini Valalaki ; sous la direction de Philippe Benech et de Androula G. Nassiopoulou / , 2016
Numerical study of electro-thermal effects in silicon devices / Thu Trang Nghiem Thi ; sous la direction de Philippe Dollfus et de Jérôme Saint-Martin / , 2013
Impact of 14/28nm FDSOI high-k metal gate stack processes on reliability and electrostatic control through combined electrical and physicochemical characterization techniques / Pushpendra Kumar ; sous la direction de Gérard Ghibaudo et de Charles Leroux / , 2018
Etude théorique des propriétés thermiques et thermoelectriques des nanorubans de graphène / Fulvio Mazzamuto ; sous la direction de Philippe Dollfus / , 2011
Capteurs BioFETs innovants pour la détection électrique de molécules biologiques / Rony Midahuen ; sous la direction de Valérie Stambouli-Sené et de Sylvain Barraud / , 2022
Transistors à effet tunnel à base de matériaux bidimensionnels / Jiang Cao ; sous la direction de Marco Pala / , 2017
Modélisation et simulation multi échelle des effets de taille et des couplages électromécaniques dans les nanostructures / Minh Tuan Hoang ; sous la direction de Julien Yvonnet / , 2014
Contribution à l'étude expérimentale des résistances d'accès dans les transistors de dimensions deca-nanométrique des technologies CMOS FD-SOI / Jean-Baptiste Henry ; sous la direction de Gérard Ghibaudo / , 2018
Lithographie à très haute résolution par l'auto-assemblage du PS-b-PDMS et les gravures plasma associées : application à la fabrication de matrices de nanorubans de graphène / Javier Arias zapata ; sous la direction de Marc Zelsmann et de Gilles Cunge / , 2018
Caractérisation de transistors à effet tunnel fabriqués par un processus basse température et des architectures innovantes de TFETs pour l'intégration 3D / Carlos Diaz llorente ; sous la direction de Gérard Ghibaudo / , 2018
Étude des mécanismes de vieillissement et impact sur les performances dans les mémoires Flash NOR 40nm / Giulio Torrente ; sous la direction de Gérard Ghibaudo / , 2017
Méthodologie de fabrication de transistors à base de Graphène : application aux composants optoélectroniques hyperfréquences / Sana Mzali ; sous la direction de Costel-Sorin Cojocaru / , 2016
Caractérisation et modélisation de la variabilité au niveau du dispositif dans les MOSFET FD-SOI avancés / Krishna Pradeep ; sous la direction de Gérard Ghibaudo / , 2019
Bruit basse fréquence dans des dispositifs MOSFET des technologies avancées : Des observations expérimentales aux nouvelles méthodes d'extraction et de modélisation / Angeliki Tataridou ; sous la direction de Gérard Ghibaudo / , 2022
Propriétés électriques et modélisation des dispositifs MOS avanvés : dispositif FD-SOI, transistors sans jonctions (JLT) et transistor à couche mince à semi-conducteur d'oxyde amorphe. Electrical properties and modeling of advanced MOS devices : FD-SOI device, Junctionless Transistor, and Amorphous-Oxide-Semiconductor Thin Film Transistor / So Jeong Park ; sous la direction de Gérard Ghibaudo et de Laurent Montès / , 2013
Capteurs BioFETs innovants pour la détection électrique de molécules biologiques / Rony Midahuen le 2022 [ Université Grenoble Alpes ]
Bruit basse fréquence dans des dispositifs MOSFET des technologies avancées : Des observations expérimentales aux nouvelles méthodes d'extraction et de modélisation / Angeliki Tataridou le 2022 [ Université Grenoble Alpes ]
Caractérisation et modélisation de la variabilité au niveau du dispositif dans les MOSFET FD-SOI avancés / Krishna Pradeep le 2019 [ Université Grenoble Alpes (ComUE) ]
Impact of 14/28nm FDSOI high-k metal gate stack processes on reliability and electrostatic control through combined electrical and physicochemical characterization techniques / Pushpendra Kumar le 2018 [ Université Grenoble Alpes (ComUE) ]
Caractérisation de transistors à effet tunnel fabriqués par un processus basse température et des architectures innovantes de TFETs pour l’intégration 3D / Carlos Diaz llorente le 2018 [ Université Grenoble Alpes (ComUE) ]
Contribution à l'étude expérimentale des résistances d'accès dans les transistors de dimensions deca-nanométrique des technologies CMOS FD-SOI / Jean-Baptiste Henry le 2018 [ Université Grenoble Alpes (ComUE) ]
Lithographie à très haute résolution par l'auto-assemblage du PS-b-PDMS et les gravures plasma associées : application à la fabrication de matrices de nanorubans de graphène / Javier Arias Zapata le 2018 [ Université Grenoble Alpes (ComUE) ]
Étude des mécanismes de vieillissement et impact sur les performances dans les mémoires Flash NOR 40nm / Giulio Torrente le 2017 [ Université Grenoble Alpes (ComUE) ]
Transistors à effet tunnel à base de matériaux bidimensionnels / Jiang Cao le 2017 [ Université Grenoble Alpes (ComUE) ]
Méthodologie de fabrication de transistors à base de Graphène : application aux composants optoélectroniques hyperfréquences / Sana Mzali le 2016 [ Université Paris-Saclay (ComUE) ]
Etude des propriétés thermoélectriques et d’isolation thermique du Si poreux et Si nanocristallin / Aikaterini Valalaki le 2016 [ Université Grenoble Alpes (ComUE) ]
Modélisation et simulation multi échelle des effets de taille et des couplages électromécaniques dans les nanostructures / Minh Tuan Hoang le 2014 [ Paris Est ]
Propriétés électriques et modélisation des dispositifs MOS avanvés : dispositif FD-SOI, transistors sans jonctions (JLT) et transistor à couche mince à semi-conducteur d'oxyde amorphe. Electrical properties and modeling of advanced MOS devices : FD-SOI device, Junctionless Transistor, and Amorphous-Oxide-Semiconductor Thin Film Transistor / So Jeong Park le 2013 [ Grenoble ]
Numerical study of electro-thermal effects in silicon devices / Thu Trang Nghiem Thi le 2013 [ Paris 11 ]
Etude théorique des propriétés thermiques et thermoelectriques des nanorubans de graphène / Fulvio Mazzamuto le 2011 [ Paris 11 ]
Caractérisation des ions d'oxygène dans les mémoires résistives soumises à polarisation électrique par techniques de TEM avancées / Édouard Villepreux ; sous la direction de Mireille Mouis et de Carmen Jimenez et de David Cooper / , 2020
Etude et fabrication de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe (TBH) intégrés dans une filière BiCMOS industrielle 0.5µ = = Fabrication and investigation of Si/SiGe Hetero junction Bipolar Transistors (HBTs) integrated in a 0.5 micron industrial BiCMOS technology : / par Elisabeth de Berranger-Marinet ; sous la direction de Mireille Mouis / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1998
Etude, fabrication et caractérisation de transistors CMOS double grille planaires déca-nanométriques / Julie Widiez ; sous la direction de Mireille Mouis et de Maud Vinet / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2005
Contribution à l'étude des non-linéarités du troisième ordre des mélangeurs BiCMOS / Farah Fleur Guillot ; sous la direction de Mireille Mouis / Lille : Atelier national de reproduction des thèses , 2007
Etude de la mobilité dans des transistors intégrant un oxyde de forte permittivité et une grille métallique / Laurent Thevenod ; sous la direction de Mireille Mouis / Lille : Atelier national de reproduction des thèses , 2009
Influence des contraintes mécaniques non-intentionnelles sur les performances des transistors MOS à canaux ultra-courts / Thomas Guillaume ; sous la direction de Mireille Mouis / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2005
Transport dans les transistors MOS avancés : exploitation de la magnétorésistance du canal / Wipa Chaisantikulwat ; sous la direction de Mireille Mouis et Sorin Cristoloveanu / Lille : Atelier national de reproduction des thèses , 2008
Influence des contraintes mécaniques non-intentionnelles sur les performances des transistors MOS à canaux ultra-courts / Thomas Guillaume ; sous la direction de Mireille Mouis / , 2005
Étude et caractérisation de l'influence des contraintes mécaniques sur les propriétés du transport électronique dans les architectures MOS avancées / Florent Rochette ; sous la direction de Mireille Mouis / , 2008
Conception, étude et modélisation d'une nouvelle génération de transistors à nanofils de silicium pour applications biocapteurs / Maxime Legallais ; sous la direction de Mireille Mouis et de Céline Ternon / , 2017
Matrice de nanofils piézoélectriques interconnectés pour des applications capteur haute résolution : défis et solutions technologiques / Edgar Leon Perez ; sous la direction de Mireille Mouis et de Emmanuelle Pauliac-Vaujour / , 2016
Contribution à l'étude des propriétés piézoélectriques de nanofils de ZnO et de nanocomposites associés en vue d'une application à la conversion d'énergie mécanique à électrique / Andres Jenaro Lopez garcia ; sous la direction de Mireille Mouis et de Gustavo Adolfo Ardila Rodriguez / , 2022
Étude de l'effet de champ et du transport dans des réseaux aléatoires percolants de nanofils de silicium / Thibauld Cazimajou ; sous la direction de Mireille Mouis et de Gérard Ghibaudo / , 2019
Caractérisation de transport des électrons dans les transistors MOS à canal court / Narasimhamoorthy Subramanian ; sous la direction de Mireille Mouis et de Gérard Ghibaudo / , 2011
Compréhension de l'apport des contraintes mécaniques sur les performances électriques des transistors avancés sur SOI / Anouar Idrissi-El Oudrhiri ; sous la direction de Mireille Mouis / , 2016
Etude de l'influence des procédés technologiques de type BiCMOS à haute densité d'intégration sur la réalisation de bases fines très dopées dans les transistors bipolaires submicroniques / Stephane Denorme / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1995
Contribution à l’étude des non-linéarités du troisième ordre des mélangeurs BiCMOS / Farah Fleur Guillot ; sous la direction de Mireille Mouis / , 2007
Etude de l'intégration de transistors à canal en graphène épitaxié par une technologie compatible CMOS / Milène Clavel ; sous la direction de Mireille Mouis et de Thierry Ouisse / , 2011
Étude, fabrication et caractérisation de transistors CMOS double grille planaires déca-nanométriques / Julie Widiez ; sous la direction de Mireille Mouis et de Maud Vinet / , 2005
Electrical characterization and modeling of low dimensional nanostructure FET / Jae Woo Lee ; sous la direction de Mireille Mouis / , 2011
Conception et étude de dispositifs électriques à base de réseaux aléatoires de nanofils de ZnO pour applications biocapteurs / Fanny Morisot ; sous la direction de Céline Ternon et de Mireille Mouis / , 2019
Etude physique des transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe intégrés dans une technologie BiCMOS 0,35 µm = = Physical study of integrated Si/SiGe heteronjunction bipolar transistors : / par Frédérique Chaudier ; sous la direction de Mireille Mouis / [S.l.] : [s.n.] , 2001
Etude et caractérisation de l'influence des contraintes mécaniques sur les propriétés du transport électronique dans les architectures MOS avancées / Florent Rochette ; sous la direction de Mireille Mouis / Lille : Atelier national de reproduction des thèses , 2008
Piezoelectric generators based on semiconducting nanowires : simulation and experiments / Ran Tao ; sous la direction de Mireille Mouis et de Laurent Montès / , 2017
Étude et caractérisation d'un procédé intégrable pour la fabrication de composants supportés ou suspendus à base de graphène CVD / Ömür Işıl Aydin ; sous la direction de Mireille Mouis / , 2014
Electromechanical study of semiconductor piezoelectric nanowires. Application to mechanical sensors and energy harvesters / Ronan Hinchet ; sous la direction de Mireille Mouis / , 2014
Transport dans les transistors MOS avancés : exploitation de la magnétorésistance du canal / Wipa Chaisantikulwat ; sous la direction de Mireille Mouis et Sorin Cristoloveanu / , 2008
Simulation quantique du transport électronique dans les dichalcogénures de métaux de transition bidimensionnels désordonnés / Jejune Park ; sous la direction de Mireille Mouis / , 2020
Étude théorique et optimisation des performances de linéarité des transistors bipolaires SiGe et SiGeC en vue de l'amélioration des compromis gain/bruit/linéarité/consommation des fonctions intégrées radiofréquences des récepteurs multi-modes de 3ème génération / Raphaël Paulin ; sous la direction de Mireille Mouis / , 2005
Étude de l'influence des procédés technologiques de type BiCMOS à haute densité d'intégration sur la réalisation de bases fines très dopées dans les transistors bipolaires submicroniques / Stephane Denorme ; sous la direction de M. Mouis / , 1995
Caractérisation électrique de transistors sans jonctions avec simulation numérique / Dae-Young Jeon ; sous la direction de Mireille Mouis / , 2013
Étude de la mobilité dans des transistors intégrant un oxyde de forte permittivité et une grille métallique / Laurent Thevenod ; sous la direction de Mireille Mouis / [Lieu de publication inconnu] : [Éditeur inconnu] , 2009
Etude et fabrication de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe (TBH) intégrés dans une filière BiCMOS industrielle 0.5µ = = Fabrication and investigation of Si/SiGe Hetero junction Bipolar Transistors (HBTs) integrated in a 0.5 micron industrial BiCMOS technology : / par Elisabeth de Berranger-Marinet ; sous la direction de Mireille Mouis / [S.l.] : [s.n.] , 1998
Caractérisation de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe intégrés : corrélation à la technologie et éléments de modélisation = = haracterization of integrated Si/SiGe hetero-junction bipolar transistors : correlation to the technology and elements for compact modeling / par Myriam Assous ; sous la direction de Mireille Mouis / [S.l.] : [S.n.] , 1999
Optimisation du procédé de réalisation pour l'intégration séquentielle 3D des transistors CMOS FDSOI / Cuiqin Xu ; sous la direction de Mireille Mouis / , 2012
Caractérisation électrique et modélisation des transistors FDSOI sub-22nm / Minju Shin ; sous la direction de Mireille Mouis et de Gyu-Tae Kim / , 2015
Caractérisation électrique de transistors à effet de champ avancés : transistors sans jonctions, sur réseaux de nanotubes de carbone ou sur nanofil en oxyde d'étain / Min Kyu Joo ; sous la direction de Mireille Mouis et de Gyu-Tae Kim / , 2014
Etude théorique et optimisation des performances de linéarité des transistors bipolaires SiGe et SiGeC en vue de l'amélioration des compromis gain/bruit/linéarité/consommation des fonctions intégrées radiofréquences des récepteurs multi-modes de 3ème génération / Raphaël Paulin ; sous la direction de Mireille Mouis / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2005
Étude des transistors MOS silicium-sur-isolant à grilles multiples tenant en compte de l'ingénierie de la bande interdite et des effets d'auto-échauffement / Marco Braccioli ; sous la direction de Mireille Mouis et Claudio Fiegna / , 2009
Etude des transistors MOS silicium-sur-isolant à grilles multiples tenant en compte de l'ingénierie de la bande interdite et des effets d'auto-échauffement / Marco Braccioli ; sous la direction de Mireille Mouis et Claudio Fiegna / Lille : Atelier national de reproduction des thèses , 2009
Caractérisation de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe intégrés : corrélation à la technologie et éléments de modélisation = = haracterization of integrated Si/SiGe hetero-junction bipolar transistors : correlation to the technology and elements for compact modeling / par Myriam Assous ; sous la direction de Mireille Mouis / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1999
Contribution à l'étude des propriétés piézoélectriques de nanofils de ZnO et de nanocomposites associés en vue d’une application à la conversion d’énergie mécanique à électrique / Andres Jenaro Lopez garcia le 2022 [ Université Grenoble Alpes ]
Caractérisation des ions d'oxygène dans les mémoires résistives soumises à polarisation électrique par techniques de TEM avancées / Édouard Villepreux le 2020 [ Université Grenoble Alpes ]
Simulation quantique du transport électronique dans les dichalcogénures de métaux de transition bidimensionnels désordonnés / Jejune Park le 2020 [ Université Grenoble Alpes ]
Conception et étude de dispositifs électriques à base de réseaux aléatoires de nanofils de ZnO pour applications biocapteurs / Fanny Morisot le 2019 [ Université Grenoble Alpes (ComUE) ]
Étude de l’effet de champ et du transport dans des réseaux aléatoires percolants de nanofils de silicium / Thibauld Cazimajou le 2019 [ Université Grenoble Alpes (ComUE) ]
Conception, étude et modélisation d’une nouvelle génération de transistors à nanofils de silicium pour applications biocapteurs / Maxime Legallais le 2017 [ Université Grenoble Alpes (ComUE) ]
Piezoelectric generators based on semiconducting nanowires : simulation and experiments / Ran Tao le 2017 [ Université Grenoble Alpes (ComUE) ]
Compréhension de l'apport des contraintes mécaniques sur les performances électriques des transistors avancés sur SOI / Anouar Idrissi-El Oudrhiri le 2016 [ Université Grenoble Alpes (ComUE) ]
Matrice de nanofils piézoélectriques interconnectés pour des applications capteur haute résolution : défis et solutions technologiques / Edgar Leon Perez le 2016 [ Université Grenoble Alpes (ComUE) ]
Caractérisation électrique et modélisation des transistors FDSOI sub-22nm / Minju Shin le 2015 [ Université Grenoble Alpes (ComUE) ]
Étude et caractérisation d'un procédé intégrable pour la fabrication de composants supportés ou suspendus à base de graphène CVD / Ömür Işıl Aydin le 2014 [ Grenoble ]
Caractérisation électrique de transistors à effet de champ avancés : transistors sans jonctions, sur réseaux de nanotubes de carbone ou sur nanofil en oxyde d'étain / Min Kyu Joo le 2014 [ Grenoble ]
Electromechanical study of semiconductor piezoelectric nanowires. Application to mechanical sensors and energy harvesters / Ronan Hinchet le 2014 [ Grenoble ]
Caractérisation électrique de transistors sans jonctions avec simulation numérique / Dae-Young Jeon le 2013 [ Grenoble ]
Optimisation du procédé de réalisation pour l'intégration séquentielle 3D des transistors CMOS FDSOI / Cuiqin Xu le 2012 [ Grenoble ]
Etude de l'intégration de transistors à canal en graphène épitaxié par une technologie compatible CMOS / Milène Clavel le 2011 [ Grenoble ]
Electrical characterization and modeling of low dimensional nanostructure FET / Jae Woo Lee le 2011 [ Grenoble ]
Caractérisation de transport des électrons dans les transistors MOS à canal court / Narasimhamoorthy Subramanian le 2011 [ Grenoble ]
Étude des transistors MOS silicium-sur-isolant à grilles multiples tenant en compte de l'ingénierie de la bande interdite et des effets d'auto-échauffement / Marco Braccioli le 2009 [ Grenoble INPG ]
Étude de la mobilité dans des transistors intégrant un oxyde de forte permittivité et une grille métallique / Laurent Thevenod le 2009 [ Grenoble INPG ]
Transport dans les transistors MOS avancés : exploitation de la magnétorésistance du canal / Wipa Chaisantikulwat le 2008 [ Grenoble INPG ]
Étude et caractérisation de l'influence des contraintes mécaniques sur les propriétés du transport électronique dans les architectures MOS avancées / Florent Rochette le 2008 [ Grenoble INPG ]
Contribution à l’étude des non-linéarités du troisième ordre des mélangeurs BiCMOS / Farah Guillot le 2007 [ Grenoble INPG ]
Étude, fabrication et caractérisation de transistors CMOS double grille planaires déca-nanométriques / Julie Widiez le 2005 [ Grenoble INPG ]
Étude théorique et optimisation des performances de linéarité des transistors bipolaires SiGe et SiGeC en vue de l'amélioration des compromis gain/bruit/linéarité/consommation des fonctions intégrées radiofréquences des récepteurs multi-modes de 3ème génération / Raphaël Paulin le 2005 [ Grenoble INPG ]
Influence des contraintes mécaniques non-intentionnelles sur les performances des transistors MOS à canaux ultra-courts / Thomas Guillaume le 2005 [ Grenoble INPG ]
Etude physique des transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe intégrés dans une technologie BiCMOS 0,35 µm / Frédérique Chaudier le 2001 [ Lyon, INSA ]
Caractérisation de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe intégrés : corrélation à la technologie et éléments de modélisation / Myriam Assous le 1999 [ Lyon, INSA ]
Etude et fabrication de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe (TBH) intégrés dans une filière BiCMOS industrielle 0. 5µ / Elisabeth de Berranger-Marinet le 1998 [ Lyon, INSA ]
Étude de l'influence des procédés technologiques de type BiCMOS à haute densité d'intégration sur la réalisation de bases fines très dopées dans les transistors bipolaires submicroniques / Stéphane Denorme le 1995 [ Université Joseph Fourier (Grenoble ; 1971-2015) ]
High-frequency noise and circuit properties of advanced FDSOI transistors / Ousmane Magatte Kane ; sous la direction de François Danneville et de Luca Lucci / , 2020
Etude théorique de nanodispositifs électroniques et thermoélectriques à base de jonctions contraintes de graphène / Mai Chung Nguyen ; sous la direction de Philippe Dollfus et de Huy-Viet Nguyen / , 2016
Modélisation tridimensionnelle multibandes du transport quantique dans les transistors à nanofil / Nicolas Pons ; sous la direction de Michel Lannoo et de Nicolas Cavassilas / , 2011
Étude des mécanismes de dégradation de la mobilité sur les architectures FDSOI pour les noeuds technologiques avancés (<20nm) / Sébastien Guarnay ; sous la direction de Arnaud Bournel / , 2015
High-frequency noise and circuit properties of advanced FDSOI transistors / Ousmane Magatte Kane le 2020 [ Université de Lille (2018-2021) ]
Etude théorique de nanodispositifs électroniques et thermoélectriques à base de jonctions contraintes de graphène / Mai Chung Nguyen le 2016 [ Université Paris-Saclay (ComUE) ]
Étude des mécanismes de dégradation de la mobilité sur les architectures FDSOI pour les noeuds technologiques avancés (<20nm) / Sébastien Guarnay le 2015 [ Paris 11 ]
Modélisation tridimensionnelle multibandes du transport quantique dans les transistors à nanofil / Nicolas Pons le 2011 [ Aix-Marseille 1 ]