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URI de l'entité : http://www.idref.fr/056754701/idCopier cet URI
Notice de type Personne

Point d'accès autorisé

Cappy, Alain (19..-....)

Sur le web

Information

(par souci de protection des données à caractère personnel, le jour et le mois de naissance peuvent ne pas être affichés)
Langue d'expression : français
Pays : France
Date de naissance :    19XX
Genre : Masculin

Notes

Note publique d'information : 
Auteur d'un mémoire de DEA en Electronique (Lille 1, 1978)

Note publique d'information : 
Auteur d'une thèse de 3e cycle en Électronique (Lille 1, 1981)

Note publique d'information : 
Titulaire d'un doctorat en Sciences physiques (Lille 1, 1986)

Note publique d'information : 
Enseignant-chercheur, membe de l'équipe "Composants et dispositifs nanométriques" (ANODE) au sein de l'Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN - UMR CNRS 8520 - Université de Lille). Membre de l'IRCICA

Note publique d'information : 
Ses domaines de recherche sont la conception, la fabrication et la caractérisation de nanodispositifs hautes fréquences, les architectures de traitement de l'information neuro-inspirées.

Identifiants externes

Identifiant HAL : alain-cappy
Identifiant ORCID : 0000-0002-1811-1054
Identifiant VIAF : http://viaf.org/viaf/217116960
Identifiant SCOPUS : 7005178311

Source

Conception et fabrication de neurones artificiels pour le traitement bioinspiré de l'information / par Sara Hedayat ; sous la direction de Alain Cappy et la co-direction de Virginie Hoel, 2018 [thèse, Université de Lille]
Etude théorique des couches actives AlGaAs/InGaAs/GaAs à l'aide d'un modèle de résolution autocohérente des équations de Schrodinger et de Poisson / par Jocelyn Alamkan, sous la direction de Alain Cappy, 1993
Modélisation des transistors à effet de champ à grilles courtes / par Alain Cappy [mémoire de DEA]
Modélisation et caractérisation du bruit hyperfréquence dans des MESFETSs et HEMTs AlGaAs/GaAs sans grille à longueur de zone active ultracourte / par Patrick Tadyszak ; sous la direction de Alain Cappy, 1997
Propriétés physiques et performances potentielles des composants submicroniques à effet de champ : structures conventionnelles et à gaz d'électrons bidimensionnel / par Alain Cappy [thèse]
Sur un nouveau modèle de transistor à effet de champ à grille submicronique / par Alain Cappy [thèse de 3e cycle]
Traitement neuro-inspiré de l'information / Alain Cappy, 2020
Transistor à effet de champ à couche métamorphique AlInAs-GaInAs-GaAs : un nouveau composant pour l'amplification hyperfréquence et la logique ultra rapide / par Pascal Win ; sous la direction de Alain Cappy, 1993

... Références liées : ...