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Notice de type Personne

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Dambrine, Gilles

Information

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Langue d'expression : Francais
Genre : Masculin

Notes

Note publique d'information : 
Titulaire d'un doctorat en Électronique (Lille 1, 1989)

Note publique d'information : 
Titulaire d'une Habilitation à Diriger des Recherches en Électronique (Lille 1, 1996)

Note publique d'information : 
Enseignant-chercheur (responsable axe micro/nano et optoélectronique) et directeur adjoint de l'Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologies (IEMN - UMR CNRS 8520 - Université de Lille)

Source

Caractérisation des composants hyperfréquences en régime de fonctionnement linéaire / par Gilles Dambrine [HDR]

Caractérisation des transistors à effet de champ : mesure précise de la matrice de répartition et détermination directe du schéma équivalent / Gilles Dambrine [thèse]

Caractérisation hyperfréquence sous pointes de nano dispositifs : métrologie et instrumentation / par Khadim Daffé ; sous la direction de Gilles Dambrine et Kamel Haddadi, 2018 [thèse, Université de Lille]

Contribution à la caractérisation à l'échelle nanométrique et en hyperfréquence de nanocomposants / par Fei Wang ; sous la direction de Gilles Dambrine et la co-direction de Didier Théron et Nicolas Clément, 2016 [thèse, Lille 1]

Contribution à la caractérisation hyperfréquence de composants MOSFET en vue de la conception de fonctions intégrées pour des applications en gamme millimétrique / par Matthieu Vanmackelberg ; sous la direction de Gilles Dambrine, 2001 [thèse]

Contribution au développement d'une nouvelle plateforme de caractérisation non linéaire pour amplificateurs de puissance hyperfréquence pour les applications radar / par Vincent Bridier ; sous la direction de Gilles Dambrine, 2014 [thèse, Lille 1]

Développement d’un outil de caractérisation millimétrique de bruit dans la bande de fréquence 110 – 320 GigaHertz / par Laurent Poulain ; sous la direction de Gilles Dambrine et la co-direction de François Danneville, 2012 [thèse, Lille 1]

Etude et développement de transistors bipolaires à hétérojonctions InP/GaAsSb reportés sur Si en vue de l'amélioration de la dissipation thermique / par Ndèye Arame Thiam ; sous la direction de Gilles Dambrine et la co-direction de Mohammed Zaknoune, 2012 [thèse, Lille 1]

Autres identifiants

Identifiant VIAF : http://viaf.org/viaf/204719651
Identifiant ORCID : 0000-0003-2169-5967

Utilisation dans Rameau

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