059916567
2002-03-13
2024-03-19T17:17:21
Technologie de transistors à effet de champ pour applications en grand signal hyperfréquence / par Didier Théron [HDR]
Internet, https://ieeexplore.ieee.org/author/37275648500, 2024-03-19
0000-0002-3264-6338
0000000383273567
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Théron, Didier (1962-....)
Théron
Didier
Didier Théron
1962
Titulaire d'une Habilitation à Diriger des Recherches en Électronique (Lille 1, 1998)
Directeur de Recherche au sein du groupe Micro et Nano Systèmes (NAM6) de l'Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN - UMR CNRS 8520 - Université de Lille)
Développement de capteurs à ondes élastiques de surface auto-encapsulés aux fréquences intermédiaires pour environnement haute température / Guillaume Wong ; sous la direction de Bernard Dulmet et de Thomas Baron / , 2018
Développement de capteurs à ondes élastiques de surface auto-encapsulés aux fréquences intermédiaires pour environnement haute température / Guillaume Wong ; sous la direction de Bernard Dulmet et de Thomas Baron / , 2018
Du concept à l'analyse des performances d'un microgyromètre innovant, axisymétrique et résonnant en technologie SOI / Lucas Hudeley le 2023 [ université Paris-Saclay ]
MEMS piézo-électriques pour applications temps-fréquence / Paul Chapellier le 2019 [ Bourgogne Franche-Comté ]
Développement de capteurs à ondes élastiques de surface auto-encapsulés aux fréquences intermédiaires pour environnement haute température / Guillaume Wong le 2018 [ Bourgogne Franche-Comté ]
Etude de la fabrication et de la transduction d'un microgyromètre piézoélectrique tri-axial en GaAs / Adrien Piot le 2018 [ Université Paris-Saclay (ComUE) ]
Nouveaux MEMS C-BAR : résonateurs capacitifs à ondes élastiques de volume piégées sur substrat Silicium. / Nesrine Belkadi le 2016 [ Besançon ]
Les nanotechnologies : un nouveau paradigme / [cahier conçu par Julien Haccoun et Didier Théron] ; [avec le concours d'Aline Tournier] ; [publié par l'] ANR, Agence nationale de la recherche / Paris : ANR, Agence nationale de la recherche , 2012
Technologie de transistors à effet de champ pour applications en grand signal hyperfréquence / par Didier Théron / [S.l.] : [s.n.] , 1998
Nouveaux MEMS C-BAR : résonateurs capacitifs à ondes élastiques de volume piégées sur substrat Silicium. / Nesrine Belkadi ; sous la direction de Bernard Dulmet et de Thomas Baron / , 2016
Développement et caractérisation de modules Technologiques sur semiconducteur GaN : application à la réalisation de cathodes froides et de transistor HEMT AlGaN/GAN / Ephrem Malela-Massamba ; sous la direction de Christian Brylinski / , 2016
Nouveaux MEMS C-BAR : résonateurs capacitifs à ondes élastiques de volume piégées sur substrat Silicium. / Nesrine Belkadi ; sous la direction de Bernard Dulmet et de Thomas Baron / , 2016
Caractérisations et modélisations physiques de contacts entre phases métalliques et Nitrure de Gallium semi-conducteur / Nicolas Thierry-Jebali ; sous la direction de Christian Brylinski / , 2011
Nouveaux MEMS C-BAR : résonateurs capacitifs à ondes élastiques de volume piégées sur substrat Silicium. / Nesrine Belkadi le 2016 [ Besançon ]
Développement et caractérisation de modules Technologiques sur semiconducteur GaN : application à la réalisation de cathodes froides et de transistor HEMT AlGaN/GAN / Ephrem Malela-Massamba le 2016 [ Lyon ]
Caractérisations et modélisations physiques de contacts entre phases métalliques et Nitrure de Gallium semi-conducteur / Nicolas Thierry-Jebali le 2011 [ Lyon 1 ]
Étude par microscopie à champ proche de matériaux III-N pour émetteurs électroniques planaires / par Sophie Barbet ; directeur de thèse : Didier Théron ; co-directeur de thèse : Thierry Melin / [S.l.] : [s.n.] , 2008
HEMTs à base de nitrure de gallium [Ressource électronique] : évolution vers un nouveau système de matériaux, une nouvelle génération de composants / par Nicolas Sarazin ; directeur de thèse : Didier Théron ; codirecteur de thèse : Marie-Antoinette Poisson / Villeneuve d'Ascq : Université des sciences et technologies de Lille , 2008
Étude de la technologie et des potentialités pour l'amplificaton de puissance hyperfréquence des transistors à effet de champ des filières phosphure AlGaInP/GaInAset métamorphique AlInAs/GaInAs sur substrat GaAs / par Mohammed Zaknoune ; sous la direction de Didier Theron / Villeneuve d'Ascq : Université Lille 1 - Sciences et technologies , 2013
Étude par microscopie à champ proche de matériaux III-N pour émetteurs électroniques planaires / Sophie Barbet ; sous la direction de Didier Théron et de Thierry Mélin / , 2008
Matériaux pérovskites hybrides : caractérisation des propriétés électroniques et stabilité à l'échelle nanométrique / Jaume Llàcer Martínez ; sous la direction de Didier Théron et de Philippe Leclère / , 2020
High frequency electronics on nanodot molecular junctions : interaction between molecules, ions and waves / Jorge Trasobares Sánchez ; sous la direction de Dominique Vuillaume et de Didier Théron et de Nicolas Clément / , 2015
Résonateurs MEMS à base d'hétérostructures AlGaN/GaN / Achraf Ben Amar ; Directeur de thèse : Didier Théron ; Co-encadrant de thèse : Marc Faucher / [S.l.] : [s.n.] , 2012
Transistor à effet de champ de la filière A1InAs/GaInAs sur substrats GaAs et InP pour amplification de puissance en ondes millimétriques : étude et réalisation / par Mustafa Boudrissa ; sous la direction de Didier Théron / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2001
Analysis of device properties of silicon nitride membrane nanoelectromechanical resonators for future optomechanical thermometry applications / Hao Xu ; sous la direction de Didier Théron et de Xin Zhou / , 2023
Conception et réalisation de transistors à effet de champ à hétérojonction sur substrat InP pour amplification de puissance en bande W / par Farid Medjdoub ; sous la direction de : D. Théron, co-directeur de thèse : M. Zaknoune / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 2004
Hétérostructures ultra minces de type AlGaN/GaN sur substrat Si et applications aux résonateurs NEMS à haute fréquence / Paul Leclaire ; sous la direction de Didier Théron et de Marc Faucher et de Yvon Cordier / , 2015
Caractérisation non linéaire et analyse de transistors à effet de champ pour applications hyperfréquences dans le domaine temporel / par Damien Ducatteau ; directeur de thèse : C. Gaquière ; co-directeur de thèse : D. Théron / [S.l.] : [s.n.] , 2008
Caractérisation non linéaire et analyse de transistors à effet de champ pour applications hyperfréquences dans le domaine temporel [Ressource électronique] / Damien Ducatteau ; sous la direction de Christophe Gaquière et de Didier Théron / [S.l.] : [s.n.] , 2008
Multimodal sensing and imaging technology by integrated scanning electron, force, and near-field microwave microscopy and its application to submicrometer studies / Olaf Christian Haenssler ; sous la direction de Didier Théron et de Sergej Fatikow / , 2018
HEMTs à base de nitrure de gallium : évolution vers un nouveau système de matériaux, une nouvelle génération de composants / par Nicolas Sarazin ; directeur de thèse : Didier Théron ; codirecteur de thèse : Marie-Antoinette Poisson / [S.l.] : [s.n.] , 2007
HEMTs à base de nitrure de gallium : évolution vers un nouveau système de matériaux, une nouvelle génération de composants / par Nicolas Sarazin ; sous la direction de : Didier Théron ; codirecteur de thèse : Marie-Antoinette Poisson / Lille : Atelier national de reproduction des thèses , 2007
Étude par microscopie à champ proche de matériaux III-N pour émetteurs électroniques planaires [Ressource électronique] / Sophie Barbet ; sous la direction de Didier Théron et de Thierry Mélin / [S. l]. : [S. n.] , 2008
Transistor à effet de champ de la filière A1InAs/GaInAs sur substrats GaAs et InP pour amplification de puissance en ondes millimétriques : étude et réalisation / par Mustafa Boudrissa ; sous la direction de Didier Théron / Villeneuve d'Ascq : Université Lille 1 - Sciences et technologies , 2013
Étude de la technologie et des potentialités pour l'amplificaton de puissance hyperfréquence des transistors à effet de champ des filières phosphure AlGaInP/GaInAset métamorphique AlInAs/GaInAs sur substrat GaAs / par Mohammed Zaknoune ; sous la direction de Didier Theron / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1999
Résonateurs MEMS à base d'hétérostructures AlGaN/GaN / Achraf Ben Amar ; sous la direction de Didier Théron et de Marc Faucher / , 2012
Réalisation et caractérisation de détecteurs submillimétriques et térahertz par des composants à effets de champs à base de nitrure de Gallium / Kamel Madjour ; sous la direction de Christophe Gaquière et de Didier Théron / , 2010
Conception et réalisation de transistors à effet de champ à hétérojonction sur substrat InP pour amplification de puissance en bande W / par Farid Medjdoub ; directeur de thèse : D. Théron, co-directeur de thèse : M. Zaknoune / [S.l.] : [s.n.] , 2004
Transistor à effet de champ de la filière A1InAs/GaInAs sur substrats GaAs et InP pour amplification de puissance en ondes millimétriques : étude et réalisation / par Mustafa Boudrissa ; sous la direction de Didier Théron / [S.l.] : [s.n.] , 2001
Étude de la technologie et des potentialités pour l'amplificaton de puissance hyperfréquence des transistors à effet de champ des filières phosphure AlGaInP/GaInAset métamorphique AlInAs/GaInAs sur substrat GaAs / par Mohammed Zaknoune ; sous la direction de Didier Theron / [S.l.] : [s.n.] , 1999
Réalisation et caractérisation de détecteurs submillimétriques et térahertz par des composants à effets de champs à base de nitrure de Gallium / par Kamel Madjour ; directeur de thèse : C. Gaquière ; co-directeur de thèse : D. Théron / [S.l.] : [s.n.] , 2010
Contribution à la caractérisation à l'échelle nanométrique et en hyperfréquence de nanocomposants / Fei Wang ; sous la direction de Gilles Dambrine et de Didier Théron et de Nicolas Clément / , 2016
Etude de résonateurs MEMS en GaN pour application aux capteurs inertiels / Christophe Morelle ; sous la direction de Didier Théron et de Marc Faucher / , 2016
Circuits quantiques optomécaniques en micro-ondes intégrant de multiples résonateurs nano-électromécaniques couplés / Loïc Flis [ Université de Lille (2022-....) ]
Analysis of device properties of silicon nitride membrane nanoelectromechanical resonators for future optomechanical thermometry applications / Hao Xu le 2023 [ Université de Lille (2022-....) ]
Matériaux pérovskites hybrides : caractérisation des propriétés électroniques et stabilité à l’échelle nanométrique / Jaume Llàcer Martínez le 2020 [ Université de Lille (2018-2021) ]
Multimodal sensing and imaging technology by integrated scanning electron, force, and near-field microwave microscopy and its application to submicrometer studies / Olaf Christian Haenssler le 2018 [ Université de Lille (2018-2021) ]
Etude de résonateurs MEMS en GaN pour application aux capteurs inertiels / Christophe Morelle le 2016 [ Lille 1 ]
Contribution à la caractérisation à l'échelle nanométrique et en hyperfréquence de nanocomposants / Fei Wang le 2016 [ Lille 1 ]
High frequency electronics on nanodot molecular junctions : interaction between molecules, ions and waves / Jorge Trasobares Sánchez le 2015 [ Lille 1 ]
Hétérostructures ultra minces de type AlGaN/GaN sur substrat Si et applications aux résonateurs NEMS à haute fréquence / Paul Leclaire le 2015 [ Lille 1 ]
Résonateurs MEMS à base d’hétérostructures AlGaN/GaN / Achraf Ben Amar le 2012 [ Lille 1 ]
Réalisation et caractérisation de détecteurs submillimétriques et térahertz par des composants à effets de champs à base de nitrure de Gallium / Kamel Madjour le 2010 [ Lille 1 ]
Caractérisation non linéaire et analyse de transistors à effet de champ pour applications hyperfréquences dans le domaine temporel / Damien Ducatteau le 2008 [ Lille 1 ]
Étude par microscopie à champ proche de matériaux III-N pour émetteurs électroniques planaires / Sophie Barbet le 2008 [ Lille 1 ]
HEMTs à base de nitrure de gallium : évolution vers un nouveau système de matériaux, une nouvelle génération de composants / Nicolas Sarazin le 2007 [ Lille 1 ]
Conception et réalisation de transistors à effet de champ à hétérojonction sur substrat InP pour amplification de puissance en bande W / Farid Medjdoub le 2004 [ Lille 1 ]
Transistor à effet de champ de la filière A1InAs/GaInAs sur substrats GaAs et InP pour amplification de puissance en ondes millimétriques : étude et réalisation / Mustafa Boudrissa le 2001 [ Lille 1 ]
Étude de la technologie et des potentialités pour l'amplificaton de puissance hyperfréquence des transistors à effet de champ des filières phosphure AlGaInP/GaInAset métamorphique AlInAs/GaInAs sur substrat GaAs / Mohammed Zaknoune le 1999 [ Lille 1 ]
MEMS piézo-électriques pour applications temps-fréquence / Paul Chapellier ; sous la direction de Bernard Dulmet et de Pierre Lavenus / , 2019
Etude de la fabrication et de la transduction d'un microgyromètre piézoélectrique tri-axial en GaAs / Adrien Piot ; sous la direction de Alain Bosseboeuf / , 2018
Du concept à l'analyse des performances d'un microgyromètre innovant, axisymétrique et résonnant en technologie SOI / Lucas Hudeley ; sous la direction de Alain Bosseboeuf et de Olivier Le Traon / , 2023
MEMS piézo-électriques pour applications temps-fréquence / Paul Chapellier ; sous la direction de Bernard Dulmet et de Pierre Lavenus / , 2019
Du concept à l'analyse des performances d'un microgyromètre innovant, axisymétrique et résonnant en technologie SOI / Lucas Hudeley le 2023 [ université Paris-Saclay ]
MEMS piézo-électriques pour applications temps-fréquence / Paul Chapellier le 2019 [ Bourgogne Franche-Comté ]
Etude de la fabrication et de la transduction d'un microgyromètre piézoélectrique tri-axial en GaAs / Adrien Piot le 2018 [ Université Paris-Saclay (ComUE) ]
Nouveaux MEMS C-BAR : résonateurs capacitifs à ondes élastiques de volume piégées sur substrat Silicium. / Nesrine Belkadi le 2016 [ Besançon ]