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Notice de type Personne

Point d'accès autorisé

Balland, Bernard (19..-.... ; physicien)

Sur le web

Information

(par souci de protection des données à caractère personnel, le jour et le mois de naissance peuvent ne pas être affichés)
Langue d'expression : français
Pays : France
Date de naissance :    19XX
Genre : Masculin

Notes

Note publique d'information : 
Titulaire du Doctorat en Sciences physiques (Lyon, 1975). Professeur, directeur de thèses au Laboratoire Physique de la Matière (LPM), INSA de Lyon (de 1985 à 2001)

Identifiants externes

Identifiant VIAF : https://viaf.org/viaf/52012296
Identifiant ARK BNF : https://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb15598920m
Identifiant ISNI : 0000000002162661

Source

Adaptation des méthodes de caractérisation électrique au cas des structures M.O.S. à oxyde très mince : application à l’étude des dégradations sur les capacités à oxyde de grille nitrure / par Frédéric Seigneur ; sous la dir. de Bernard Balland [Thèse doctorat : Électronique : Lyon, INSA : 1995]
Caractérisation et modélisation des propriétés des couches de SIO2, application aux têtes de lecture-écriture pour disques durs et aux mémoires EEPROM
Dépôt chimique en phase vapeur à l’intérieur d'une décharge électrique de courant continu; Application au nitrure de silicium / par Roger Botton ; sous la dir. de Bernard ballan [Thèse doctorat : Dispositif de l'électronique intégrée : Lyon, INSA : 1991]
Développement d'une filière technologique CMOS à grille tungstène / par Véronique Lubowiecki ; sous la dir. de B. Balland [Thèse doctorat : Sciences des Matériaux et des surfaces : Lyon, INSA : 1988]
Développement des techniques de caractérisation capacitives. Application à l'implantation ionique dans le silicium / par Boudjemaa Remaki ; sous la dir. de B. Balland [Thèse doctorat : Electronique : Lyon, INSA : 1985]
Etude de bore implante a faible énergie dans le système SIO2/Si-MONO. Effet d'un recuit thermique RTA sur la diffusion de l'implant et le spectre de défauts ponctuels / par Lanouar Kaabi ; sous la dir. de Bernard Balland [Thèse doctorat : Electronique : Lyon, INSA : 1994]
Etude de la migration ionique dans les structures métal-isolant-silicium / par Christophe Choquet ; sous la dir. de B. Balland [Thèse doctorat : Dispositifs de l’électronique intégrée : Lyon, INSA : 1989]
Influence de la technologie de fabrication sur les propriétés électriques des structures capacitives MIS / par Marie-Françoise Mignon épouse Blanc ; sous la dir. de Bernard Balland [Thèse doctorat : Electronqiue : Lyon, INSA : 1990]
Influence du désordre d'interface sur les caractéristiques des structures MOS / Bernard Balland ; sous la direction de R. Uzan [thèse], 1975
Mise au point d'un dispositif expérimental pour l’étude des structures MOS : Application à l’étude du vieillissement des TMOS microniques par la technique de pompage de charge / par Farid Djahl ; sous la dir. de Bernard Balland [Thèse doctorat : Electronique : Lyon, INSA : 1992]

... Références liées : ...