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Identifiant pérenne de la notice : 076037940Copier cet identifiant (PPN)
Notice de type Personne

Point d'accès autorisé

Morel, Hervé (1959-... ; auteur en génie électrique)

Information

(par souci de protection des données à caractère personnel, le jour et le mois de naissance peuvent ne pas être affichés)
Langue d'expression : français
Pays : France
Date de naissance :    1959
Genre : Masculin

Notes

Note publique d'information : 
Directeur de recherches CNRS au CEntre de Génie Electrique de Lyon (CEGELY), INSA Lyon (de 1992 à 2002)

Note publique d'information : 
Directeur d'une thèse de doctorat prépartée au sein du Laboratoire Ampère et soutenue à l'INSA Lyon en 2021

Note publique d'information : 
Auteur(e) d'une thèse de docteur-ingénieur en sciences. Électronique. Dispositifs de l'électronique intégrée (Lyon 1, 1985) et d'une habilitation à diriger des recherches en electronique de puissance (Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, 1994)

Note publique d'information : 
Membre du jury lors d'une thèse soutenue à l'INSA Lyon en 2022 et 2023

Note publique d'information : 
Membre du jury d'une thèse soutenue à l'INSA Lyon en 2022

Source

A Methodology for Designing SiC and GaN Device Based Converters for Automotive Applications / par Joao Oliveira ; sous la dir. de Hervé Morel et de Dominique Planson [Thèse doctorat : Génie Electrique : Université de Lyon, Lyon : 2021]

Analyse et caractérisation des performances électriques de composants en nitrure de Gallium / par Maroun Alam ; sous la dir. de Dominique Planson[Thèse doctorat : Génie Electrique : Lyon, INSA : 2023]

Information trouvée : Membre du jury

Contribution à l'identification des paramètres technologies de la diode PIN de puissance à partir des caractéristiques de commutation à l'ouverture / par Chung-Chieh Lin ; sous la dir. de Hervé Morel [Thèse doctorat : Électronique : Lyon, INSA : 1994]

Etude de la conduction électrique à travers un joint de grain dans le silicium polycristallin / par Hervé Morel,... ; sous la direction de J. P. Chante, 1985. - Thèse de docteur-ingénieur : Sciences. Électronique. Dispositifs de l'électronique intégrée : Lyon 1 : 1985

Experimental and Simulation Study of GaN Device Size Limitations for High Efficiency Power Converters / par Florian Rigaud-Minet ; sous la dir. de Dominique Planson [Thèse doctorat : Electronique, micro et nanoélectronique, optique et laser : Lyon, INSA : 2023]

Information trouvée : Membre du jury

Extraction des paramètres et domaine de validité du modèle d'un composant de puissance / par Wei Mi ; sous la dir. d'Hervé Morel [Thèse doctorat : génie électrique : Lyon, INSA : 2002]

Graphe de liens du transistor bipolaire de puissance en vue de la simulation de circuits / par Bruno Allard ; sous la dir. de Hervé Morel [Thèse doctorat : Composants électroniques et optiques : Lyon, INSA : 1992]

Modélisation et simulation des composants et des systèmes électroniques de puissance / Hervé Morel. - , 1994. - Habilitation à diriger des recherches : Electronique de puissance : Institut National des Sciences Appliquées de Lyon : 1994

Identifiants externes

Identifiant HAL : hmorel
Identifiant ORCID : 0000-0001-7866-0437
Identifiant VIAF : http://viaf.org/viaf/203134444

Utilisation dans Rameau

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