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Notice de type Personne

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Morvan, Daniel (1951-....)

Information

(par souci de protection des données à caractère personnel, le jour et le mois de naissance peuvent ne pas être affichés)
Langue d'expression : français,anglais
Pays : France
Date de naissance :    1951
Genre : Masculin

Notes

Note publique d'information : 
Thèse de 3e cycle en Chimie appliquée soutenue en 1979 à l' Université de Paris 6

Note publique d'information : 
Thèse d' Etat ès Sciences physiques soutenue en 1984 à l' Université de Paris 6

Note publique d'information : 
Directeur de thèse à l'Université Pierre et Marie Curie - Paris 6 en 2003 et 2011. Professeur au Laboratoire de Génie des Procédés Plasmas et Traitement de surfaces (GPPTS) - ENSCP 11 Rue Pierre-et-Marie Curie 75231 Paris Cedex 05

Identifiants externes

Identifiant VIAF : http://viaf.org/viaf/188472723
Identifiant ISNI : 0000000356612981

Source

Développement, contrôle et modélisation d'un procédé de projection de poudres de silicium par plasma RF : application aux couches minces photovoltai͏̈ques / Malek Benmansour ; sous la dir. de Daniel Morvan. 2003

Elaboration d' un silicium de pureté photovoltaïque par une technique de fusion de zone sous-plasma haute fréquence / Daniel Morvan ; sous la direction de Jean Talbot, 1979

Mise en oeuvre d' un procédé multiphase de purification du silicium sous plasma réactif haute fréquence : Analyse des processus de transfert de matière et modélisation des transferts de chaleur : caractérisation des propriétés photovoltaïques du silicium ultra pur obtenu / Daniel Morvan ; sous la direction de Jean Talbot, 1984

... Références liées : ...