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URI de l'entité : http://www.idref.fr/089018559/idCopier cet URI
Notice de type Personne

Point d'accès autorisé

Ouerghi, Abdelkarim (19..-....)

Sur le web

Information

(par souci de protection des données à caractère personnel, le jour et le mois de naissance peuvent ne pas être affichés)
Langue d'expression : français
Pays : France
Date de naissance :    19XX
Genre : Masculin

Notes

Note publique d'information : 
Auteur d'une thèse de doctorat en Sciences des Matériaux soutenue en 2004 à l'Université de Paris 6. Chargé de recherche, C2N/CNRS, MARCOUSSIS (2018)

Note publique d'information : 
Titulaire d'une habilitation à diriger des recherches, Université Paris 6

Identifiants externes

Identifiant VIAF : http://viaf.org/viaf/203978699
Identifiant SCOPUS : 6507983620
Identifiant ISNI : 0000000431733696

Source

Croissance directe de graphène par dépôt chimique en phase vapeur sur carbure de silicium et nitrures d'éléments III / Roy Dagher ; sous la direction d'Yvon Cordier. Thèse de doctorat : Physique : Côte d'Azur : 2017

Information trouvée : rapporteur de thèse, membre du jury
Croissance épitaxiale de MnAs sur GaAs(111) et étude des reconstructions de la surface de MnAs / Abdelkarim Ouerghi ; sous la direction de Victor Etgens, 2004
Propriétés électroniques du graphène épitaxié proche de point de neutralité de charge / Abir Nachawaty ; [sous la direction] de Benoit Jouault, 2018 [Thèse]

Information trouvée : Rapporteur (2018)

... Références liées : ...