Epitaxie et dopage in situ de films et d’hétéro structures Si/Si 1-X GeX en phase
vapeur : application aux transistors bipolaires / par Patricia Warren ; sous la dir.
De Alain Nouailhat [Thèse doctorat : Électronique : Lyon, INSA : 1994]
Influence des niveaux profonds et des phénomènes de surface sur les caractéristiques
électriques de photodiodes GaInAs / par Frédérique Ducroquet ; sous la dir. de Alain
Nouailhat [Thèse doctorat : Sciences des Matériaux et des Surfaces : Lyon, INSA :
1989]
Caractérisation électronique et optique des ions de transition 3 d et 4 d dans InP
: interprétation des sections efficaces absolues de photoionisation des ions de transition
3d / par Georges Brémond ; sous la dir. de A. Nouailhat [Thèse doctorat : Electronique
: Lyon, INSA : 1988]
Développement de technologies de fabrication de transistors bipolaires en VLSI / par
Nicolas Degors ; sous la dir. de Alain Nouailhat [Thèse doctorat : dispositifs de
l'électronique intégrée : Lyon, INSA : 1992]
Etude comparative de différentes techniques de recuit rapide sur les défauts électriquement
actifs dans l’arséniure de gallium non implante / par Ghanem Marrakchi ; sous la dir.
de Alain Nouailhat [Thèse doctorat : matière : Lyon, INSA : 1987]
Etude des matériaux quaternaires GaₓIn₁-ₓAsyP₁-y par photo luminescence / par Claudine
Charreux ; sous la dir. de Alain Nouailhat [Thèse doctorat : Physique des matériaux
: Lyon, INSA : 1985]
Etude statique et dynamique de transistors bipolaires à hétérojonctions (TBH) SiGe
sur silicium intégrés dans une technologie bipolaire / par Benedicte Le Tron ; sous
la dir. de Alain Nouailhat [Thèse doctorat : Electronique : Lyon, INSA : 1995]
Réalisation et étude de lasers à cristaux / Alain Nouailhat ; sous la direction de
R. Bernard [thèse], 1964
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