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2007-02-15
2020-10-20T16:27:24
Contribution à l'étude des phénomènes de transport dans les structures métal - isolant - métal / Yves Druelle, 1970, Lille
Mesure de la permitivité complexe de matériaux à partir de lignes microfentes / par Yves Druelle, 1973
Contribution à la compréhension de fonctionnements particuliers du transistor bipolaire en hyperfréquences / Yves Druelle [thèse]
Elaboration par épitaxie par jets moléculaires de dopage planaire silicium dans des couches de GaAs et GaAlAs : application à la réalisation de transistors à effet de champ microondes / par Bertrand Splingart ; sous la direction de Yves Druelle, 1993
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Druelle, Yves
Druelle
Yves
Yves Druelle
Titulaire d'un DESS (1970) et d'une thèse de 3e cycle (1973) en Electronique.
Titulaire d'un doctorat en sciences physiques (Lille 1, 1985)
Contribution à l'étude des phénomènes de transport dans les structures métal - isolant- métal / par Yves Druelle / [S.I.] : [s.n.] , 1970
FRACTURES ARRACHEMENTS DE LA TUBEROSITE TIBIALE ANTERIEURE / YVES DRUELLE ET ERIC MARQUAILLE / [S.l.] : [s.n.] , 1987
Mesure de la permittivité complexe de matériaux à partir de lignes microfentes / Yves Druelle / [S.l.] : [s.n.] , 1973
Contribution à la compréhension de fonctionnements particuliers du transistor bipolaire en hyperfréquences / Yves Druelle ; [directeurs de thèse : Y. Crosnier, G. Salmer] / [S.l.] : [s.n.] , 1985
Contribution à la compréhension de fonctionnements particuliers du transistor bipolaire en hyperfréquences / Yves Druelle le 1985 [ Lille 1 ]
Elaboration par épitaxie par jets moléculaires de dopage planaire silicium dans des couches de GaAs et GaAlAs : application à la réalisation de transistors à effet de champ microondes / par Bertrand Splingart ; sous la direction de Yves Druelle / [S.l.] : [s.n.] , 1993
Croissance par épitaxie par jets moléculaires d'hétérostructures AlInAs/Ga1-xInxAs/InP à dopage planaire pour application aux transistors HEMT / par Bouchta Layati ; sous la direction de Yves Druelle / [S.l.] : [s.n.] , 1996
Elaboration par épitaxie par jets moléculaires de dopage planaire silicium dans des couches de GaAs et GaAlAs : application à la réalisation de transistors à effet de champ microondes / par Bertrand Splingart ; sous la direction de Yves Druelle / Grenoble : Atelier national de reproduction des thèses , 1993
Croissance par épitaxie par jets moléculaires d'hétérostructures AlInAs/Ga1-xInxAs/InP à dopage planaire pour application aux transistors HEMT / Bouchta Layati le 1996 [ Lille 1 ]
Croissance par épitaxie par jets moléculaires d'hétérostructures AlInAs/Ga1-xInxAs/InP à dopage planaire pour application aux transistors HEMT / Bouchta Layati le 1996 [ Lille 1 ]
Elaboration par épitaxie par jets moléculaires de dopage planaire silicium dans des couches de GaAs et GaAlAs : application à la réalisation de transistors à effet de champ microondes / Bertrand Splingart le 1993 [ Lille 1 ]