Analyse et caractérisation des performances électriques de composants en nitrure de
Gallium / par Maroun Alam ; sous la dir. de Dominique Planson[Thèse doctorat : Génie
Electrique : Lyon, INSA : 2023]
Information trouvée : Président du Jury
Développement de briques technologiques pour la co-intégration par l'épitaxie de transistors
HEMTs AlGaN/GaN sur MOS silicium / Rémi Comyn ; sous la direction de Vincent Aimez
et Yvon Cordier. Thèse de doctorat : Physique : Côte d'Azur : 2016
Information trouvée : Rapporteur de thèse, membre du jury
Experimental and Simulation Study of GaN Device Size Limitations for High Efficiency
Power Converters / par Florian Rigaud-Minet ; sous la dir. de Dominique Planson
[Thèse doctorat : Electronique, micro et nanoélectronique, optique et laser : Lyon,
INSA : 2023]
Information trouvée : Rapporteur
Le silicium poreux pour les périphéries TRIAC / Angélique Fèvre ; sous la direction
de Gaël Gautier et Samuel Ménard, 2017
Physique et modélisation des composants et des circuits intégrés de puissance / sous
la direction de Frédéric Morancho, 2007
Information trouvée : Membre du jury (président du jury)