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Identifiant pérenne de la notice : 118597167Copier cet identifiant (PPN)
Notice de type Personne

Point d'accès autorisé

Takahashi, Kiyoshi (1934-.... ; ingénierie)
高橋, 清 (1934-.... ; 工学)

Information

(par souci de protection des données à caractère personnel, le jour et le mois de naissance peuvent ne pas être affichés)
Langue d'expression : anglais
Pays : Japon
Date de naissance :    1934
Genre : Masculin

Notes

Note publique d'information : 
Professeur émérite à l'Institut de Technologie de Tokyo, Directeur de R&D Center Nippon EMC, Japon

Identifiants externes

Identifiant VIAF : http://viaf.org/viaf/233168817
Identifiant ISNI : 000000044458348X

Source

Wide bandgap semiconductors : fundamental properties and modern photonic and electronic devices / ed. by Kiyoshi Takahashi, Akihiko Yoshikawa, Adarsh Sandhu (eds.), cop. 2007

https://search.star.titech.ac.jp/titech-ss/pursuer.act?event=outside&key_t2r2Rid=CTT100508516&lang=jp, consulté le 11 mars 2024

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