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Notice de type Personne

Point d'accès autorisé

Plissard, Sébastien (1980-....)

Information

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Langue d'expression : français
Pays : France
Date de naissance :    1980
Genre : Masculin

Notes

Note publique d'information : 
Chargé de Recherche au Laboratoire d'Analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Toulouse en 2014

Note publique d'information : 
Titulaire d'un doctorat de l'Institut national polytechnique de Grenoble, spécialité "Micro et nano éléctronique"

Identifiants externes

Identifiant VIAF : http://viaf.org/viaf/202244661
Identifiant HAL : splissard
Identifiant ORCID : 0000-0002-0769-5429
Identifiant ISNI : 0000000357859417

Source

Dopage P de CdxHg(1-x)Te par épitaxie par jets moléculaires [Thèse 2007]/ Sébastien Plissard

Micro- et nanofils de Ga (In)N et GaAs par épitaxie en phase vapeur par la méthode aux hydrures (HVPE) / Geoffrey Avit ; sous la direction de Evelyne Gil. Thèse de doctorat : Matériaux et Composants pour l'Electronique : Clermont-Ferrand 2 : 2014

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