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Notice de type Personne

Point d'accès autorisé

Delage, Sylvain L.

Sur le web

Information

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Genre : Masculin

Notes

Note publique d'information : 
Titulaire d'une thèse de doctorat en Electronique soutenue à l'Université de Paris 7 en 1985.

Note publique d'information : 
Directeur de thèse

Identifiants externes

Identifiant VIAF : http://viaf.org/viaf/203331395

Source

Conception de transistors bipolaires à double hétérojonction GaInP/GaAs en topologie collecteur en haut pour l'amplification très forte puissance / par Arnaud Girardot ; sous la direction de Paul-Alain Rolland et Sylvain L. Delage, 2001 [thèse]

Développement de briques technologiques pour la co-intégration par l'épitaxie de transistors HEMTs AlGaN/GaN sur MOS silicium / Rémi Comyn ; sous la direction de Vincent Aimez et Yvon Cordier. Thèse de doctorat : Physique : Côte d'Azur : 2016

Information trouvée : Membre du jury

Réalisation et étude du transistor à base métallique silicium (disiliciure de cobalt) silicium obtenu par épitaxie par jets moléculaires / Sylvain L. Delage

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