Conception de transistors bipolaires à double hétérojonction GaInP/GaAs en topologie
collecteur en haut pour l'amplification très forte puissance / par Arnaud Girardot
; sous la direction de Paul-Alain Rolland et Sylvain L. Delage, 2001 [thèse]
Développement de briques technologiques pour la co-intégration par l'épitaxie de transistors
HEMTs AlGaN/GaN sur MOS silicium / Rémi Comyn ; sous la direction de Vincent Aimez
et Yvon Cordier. Thèse de doctorat : Physique : Côte d'Azur : 2016
Information trouvée : Membre du jury
Réalisation et étude du transistor à base métallique silicium (disiliciure de cobalt)
silicium obtenu par épitaxie par jets moléculaires / Sylvain L. Delage