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Identifiant pérenne de la notice : 130661813Copier cet identifiant (PPN)
Notice de type Personne

Point d'accès autorisé

Baron, Thierry (1971-.... ; auteur en nanoélectronique)

Information

(par souci de protection des données à caractère personnel, le jour et le mois de naissance peuvent ne pas être affichés)
Langue d'expression : français
Pays : France
Date de naissance :    1971
Genre : Masculin

Notes

Note publique d'information : 
Physicien. - Auteur d'une thèse de doctorat en physique (Grenoble 1, 1996). - Directeur du Laboratoire des technologies de la microélectronique, Grenoble LTM-CEA/CNRS/UGA (en 2016)

Note publique d'information : 
Rapporteur lors d'une thèse soutenue à l'INSA Lyon en 2023

Identifiants externes

Identifiant ORCID : 0000-0001-5005-6596
Identifiant VIAF : http://viaf.org/viaf/195129529
Identifiant SCOPUS : 7101620298
Identifiant HAL : thierry-baron

Source

Dopage des semiconducteurs II-VI à base de tellure et réalisation de structures quantiques / THIERRY BARON ; sous la direction de Serge Tatarenko et Krishma Saminadayar, 1996. - Thèse de doctorat : Physique : Grenoble 1 : 1996

Etude de l’auto-organisation de films minces de copolymères diblocs en vue d’applications pour la microélectronique [Thèse 2008]/Karim Aissou

Nouvelle architecture de SPAD (Single-Photon Avalanche Diode) intégrée dans une technologie 3D avancée / par Antonin Zimmer ; sous la dir. de Francis Calmon [Thèse doctorat : Electronique, micro et nanoélectronique, optique et laser : Lyon, INSA : 2023]

Information trouvée : Rapporteur

http://www.ltm-cnrs.fr/directory/baron-thierry (2016-10-13)

Information trouvée : Directeur du Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM, Grenoble)

... Références liées : ...