Transistors bipolaires à hétérojonctions

Transistors bipolaires à hétérojonctions

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Élément EAD

Identifiant pérenne de la notice : 155877585

URI de l'entité : http://www.idref.fr/155877585/id

Notice de type Rameau

Point d'accès autorisé

Transistors bipolaires à hétérojonctions

Variantes de point d'accès

HTB

[Nom commun]

SiGe HBT

[Nom commun]

SiGeC HBT

[Nom commun]

TBH

[Nom commun]

TBH SiGe

[Nom commun]

Transistors bipolaires à hétérojonction SiGe

[Nom commun]

Transistors bipolaires à hétérojonction SiGeC

[Nom commun]

Transistors SIGe

[Nom commun]

Transistors SIGeC

[Nom commun]

Transistors Silicium-Germanium

[Nom commun]

Transistors Silicium-Germanium Carbone

[Nom commun]

Terme générique

Transistors à jonctions

Notice d'autorité liée

Autre Hétérojonctions (Voir aussi)

Source

Développement et étude de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe verticaux sur substrats SOI minces / G. Avenier, 2006 [thèse]

Physique et technologie des semiconducteurs / F. Lévy, 1995

Routledge French dict. of telecommunications : French-English / English-French, 1997

Silicon-germanium Heterojunction Bipolar Transistors / J. D. Cressler, G. Niu, 2002

TermSciences - http://www.termsciences.fr (2011-10-27)

Transistors et circuits intégrés à hétérostructures (III-V) / M. Bon, A. Scavennec [in] Techniques de l'ingénieur, 1999, E2450

Identifiants externes

Identifiant ARK BNF : http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb165459669

Utilisation dans Rameau

Le point d'accès ne peut être employé que dans un point d'accès sujet

Le point d'accès ne peut s'employer qu'en élément initial

Informations sur la notice

Identifiant de la notice : 155877585

RCR créateur de la notice : 335222101

Date de création : 25-10-2011

RCR dernier modificateur de la notice : 1999

Date de dernière modification : 22-02-2019 à 19 h 56

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