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Identifiant pérenne de la notice : 160253268Copier cet identifiant (PPN)
Notice de type Personne

Point d'accès autorisé

Sagnes, Isabelle (19..-.... ; physicienne)

Information

(par souci de protection des données à caractère personnel, le jour et le mois de naissance peuvent ne pas être affichés)
Langue d'expression : français
Pays : France
Date de naissance :    19XX
Genre : Féminin

Notes

Note publique d'information : 
Titulaire d'un doctorat en Physique (Grenoble 1, 1994)

Note publique d'information : 
Directrice de Recherche au sein du groupe "Elaboration and Physics of Epitaxial Structures" (ELPHYSE) du Centre de Nanosciences et Nanotechnologies (C2N - UMR CNRS 9001 - Université Paris Saclay)

Identifiants externes

Identifiant VIAF : https://viaf.org/viaf/283808925
Identifiant ORCID : 0000-0001-8068-6599
Identifiant HAL : isabelle-sagnes
Identifiant ISNI : 0000000390238110

Source

Internet, https://elphyse.c2n.universite-paris-saclay.fr/en/members/isabelle-sagnes-en/, 2024-01-15

Propriétés électro-optiques des hétérostructures épitaxiées sur silicium / Isabelle Sagnes ; sous la direction de Gilbert Vincent [thèse]

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