cx j22 3 45
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Td8
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2
1
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rameau
ba0yba0y
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Transistors à effet de champ à dopage modulé
ba0yba0y
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HEMT
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High Electron Mobility Transistor
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MODFET
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MOdulated-Doping Field Effect Transistor
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Transistors à électron à haute mobilité
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g|xxx
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Transistors à effet de champ
600
Technique
Note de regroupement par domaine
FR
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20120717
FR
Abes
20191125
AFNOR
Traité des matériaux. v. 18, Physique et technologie des semiconducteurs / F. Lévy, 1995
Physique des dispositifs électroniques / M. Savelli, D. Gasquet, B. Orsal [in] Techniques de l'ingénieur, 1996, E1100
Réforme Rameau janvier 2019 Td ouverte à la subd. géogr.
20190215
Transistors à effet de champ à dopage modulé
HEMT
High Electron Mobility Transistor
MODFET
MOdulated-Doping Field Effect Transistor
Transistors à électron à haute mobilité