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Notice de type Personne

Point d'accès autorisé

Fave, Alain (1969-...)
Nom à l'état civil

Sur le web

Information

(par souci de protection des données à caractère personnel, le jour et le mois de naissance peuvent ne pas être affichés)
Date de naissance :    1969
Genre : Masculin

Notes

Note publique d'information : 
Titulaire d’un doctorat en Sciences des matériaux (INSA Lyon, 1996)

Identifiants externes

Identifiant VIAF : http://viaf.org/viaf/294959594
Identifiant ORCID : 0000-0001-8102-9339
Identifiant HAL : alain-fave
Identifiant SCOPUS : 6603514461
Identifiant ISNI : 0000000399651817

Source

Design and fabrication of photonic crystals and diffraction gratings for ultra thin film Si solar cells / Xianquin Meng, 2012

Information trouvée : Maître de conférences à l'INSA de Lyon

Etude et réalisation par épitaxie en phase liquide de convertisseurs photovoltaïques de puissance en GaAs pour la télé-alimentation / par Alain Fave; sous la dir. de André Laugier [Thèse doctorat : Sciences des matériaux : Lyon, INSA : 1996]

... Références liées : ...