Croissance de NFs d'InP sur silicium par épitaxie par jets moléculaires en mode VLS
/ Khalid Naji
EPVOM du matériau InGaAs-InP avec l'arsine ou le triméthylarsenic et du nitrure à
petit gap GaAsN-GaAs : utilisation de l'azote comme gaz vecteur / par Laurent Auvray
; sous la direction de Y. Monteil, H. Dumont [thèse], 2001