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Identifiant pérenne de la notice : 177096659Copier cet identifiant (PPN)
Notice de type Personne

Point d'accès autorisé

Buttard, Denis (19..-.... ; auteur en physique de la matière)

Information

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Langue d'expression : français
Pays : France
Date de naissance :    19XX
Date de début d'activité : 1997
Genre : Masculin

Notes

Note publique d'information : 
Spécialisé en nanophysique. Directeur de thèse

Identifiants externes

Identifiant VIAF : http://viaf.org/viaf/313564272
Identifiant ORCID : 0000-0002-3117-3559

Source

Croissance confinée de nanofils de silicium à application solaire photovoltaïque / par Dupré Ludovic, 24/10/2013

Etude structurale du silicium poreux de type p par diffraction haute résolution des rayons X / Denis Buttard ; sous la direction de Gérard Dolino, 1997. - Thèse de doctorat : Physique - Chimie : Grenoble 1 : 1997

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