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Identifiant pérenne de la notice : 196726786Copier cet identifiant (PPN)
URI de l'entité : http://www.idref.fr/196726786/idCopier cet URI
Notice de type Personne

Point d'accès autorisé

Haddad, Farah
Nom à l'état civil

Information

(par souci de protection des données à caractère personnel, le jour et le mois de naissance peuvent ne pas être affichés)
Langue d'expression : arabe
Pays : Liban
Genre : Féminin

Source

Transmission electron microscopy study of low-temperature silicon epitaxy by plasma enhanced chemical vapor deposition / thèse présentée par Farah Haddad

Information trouvée : Auteur

Identifiants externes

Identifiant VIAF : http://viaf.org/viaf/381148389314310710810

Utilisation dans Rameau

Le point d'accès peut être employé dans un point d'accès sujet
Le point d'accès ne peut s'employer qu'en élément initial

Informations sur la notice

Identifiant de la notice : 196726786
RCR créateur de la notice : 915389701
Date de création : 24-11-2016
RCR dernier modificateur de la notice : 915389701
Date de dernière modification : 18-10-2020 à 04 h 23

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