Identifiant pérenne de la notice : 21276862X
Notice de type
Notice de regroupement
Note publique d'information : Dans un premier temps, le microscope a force atomique (afm) a ete mis en uvre pour
fabriquer des nanofils de silicium isoles du substrat. Apres avoir developpe une technique
originale utilisant des impulsions de tension pour realiser l'etape de lithographie
par oxydation locale d'une surface de silicium par afm, nous presentons les procedes
technologiques permettant de graver les structures et de realiser les contacts electriques.
Des fils de silicium dont la largeur est inferieure a 15 nm pour une hauteur comprise
entre 5 et 20 nm sont obtenus. Ces nanofils de silicium sont caracterises du point
de vue electrique par des mesures courant-tension. Nous notons que ce type de structure
est tres sensible aux defauts d'interface et a la qualite des surfaces. Ce travail
ouvre la voie a la detection infrarouge par des composants tout silicium. Dans un
second temps, nous nous sommes interesses a l'etude de systemes autoorganises.
Note publique d'information : Tout d'abord, nous montrons qu'il est possible d'obtenir, en partant d'un substrat
de silicium sur isolant prealablement aminci, des ilots de silicium reposant sur une
surface isolante par chauffage de l'echantillon sous ultravide. Les conditions experimentales
sont optimisees et nous obtenons des ilots de silicium de forme hemispherique et de
rayon minimal de 5 nm. D'autre part, les boites quantiques d'arseniure d'indium dans
de l'arseniure de gallium constituent le second systeme autoorganise etudie. Cette
fois, le microscope a effet tunnel sous ultravide a ete mis en uvre pour caracteriser
d'un point de vue morphologique et spectroscopique ces boites quantiques qui sont
des emetteurs de lumiere particulierement interessants. Nous etudions notamment le
phenomene d'autoalignement plan a plan des boites de maniere quantitative et des etudes
spectroscopiques a temperature ambiante montrent pour la premiere fois la localisation
des fonctions d'onde associees au niveau fondamental et au premier niveau excite d'une
boite quantique.
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Documentation
