Identifiant pérenne de la notice : 21276991X
Notice de type
Notice de regroupement
Note publique d'information : Le remplacement des oxydes de grille en SiO2 par des oxydes à plus forte constante
diélectrique (high k) est inéluctable pour les technologies CMOS sub 50 nm, notamment
pour les circuits à basse consommation d'énergie. Il s'agit dans ce projet de développer
une technologie de fabrication de films minces d'oxydes monocristallins, à forte constante
diélectrique, épitaxiés sur silicium, qui pourrait prendre le relais des technologies
à base de films amorphes comme HfO2, dans les futures filières 45 nm ou 32 nm. La
technique d'épitaxie choisie est l'épitaxie par jets moléculaires qui présente l'intérêt
d'avoir un maximum de flexibilité. Les procédés sont développés sur un réacteur 2
pouces. Le matériau de départ est l'oxyde LaAIO3 qui possède une structure cubique
de type pérovskite. Ce travail a posé les bases de stratégies "matériaux" qui devraient
permettre de réaliser, dans le futur, des hétérostructures oxydes épitaxiés/Silicium
répondant aux objectifs visés en microélectronique.
Note publique d'information : Downscaling of CMOS devices calls for an equivalent oxide thickness (EOT) of the gate
dielectric less than 1 nm as wells as a low gate leakage current. LaAIO3 (LAO) perovskite
oxide is a potential high-k dielectric candidate for the replacement of SiO2 in the
sub-100 nm CMOS technology on Silicon. Among many possible deposition methods. Molecular
Beam Epitaxy (MBE) has shown to be an adequate technique for preparing high-k dielectrics
because it can produce high quality crystalline films with atomically sharp interfaces.
This work posed the bases of strategies "materials" which should make it possible
to realize, in the future, of the epitaxial heterostructures oxides/Silicium answering
the aims had in micro-electronics.
paprika.idref.fr
data.idref.fr
Documentation
