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Identifiant pérenne de la notice : 224897950Copier cet identifiant (PPN)
Notice de type Personne

Point d'accès autorisé

Vincent, Laetitia
Nom à l'état civil

Information

(par souci de protection des données à caractère personnel, le jour et le mois de naissance peuvent ne pas être affichés)
Langue d'expression : français
Genre : Féminin

Identifiants externes

Identifiant ORCID : 0000-0002-9813-9259
Identifiant HAL : laetitia-vincent

Source

Développement de méthodes ex-situ de dopage de nanofils semiconducteurs IV / Mariam Fakhfakh ; sous la direction de Laetitia Vincent. Thèse de doctorat : Physique : Paris Saclay : 2018

Information trouvée : Chargée de recherche à C2N, Centre de nanosciences et de nanotechnologies, Orsay

... Références liées : ...