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Identifiant pérenne de la notice : 224897950Copier cet identifiant (PPN)
URI de l'entité : http://www.idref.fr/224897950/idCopier cet URI
Notice de type Personne

Point d'accès autorisé

Vincent, Laetitia
Nom à l'état civil

Information

(par souci de protection des données à caractère personnel, le jour et le mois de naissance peuvent ne pas être affichés)
Langue d'expression : français
Genre : Féminin

Source

Développement de méthodes ex-situ de dopage de nanofils semiconducteurs IV / Mariam Fakhfakh ; sous la direction de Laetitia Vincent. Thèse de doctorat : Physique : Paris Saclay : 2018

Information trouvée : Chargée de recherche à C2N, Centre de nanosciences et de nanotechnologies, Orsay

Identifiants externes

Identifiant VIAF : http://viaf.org/viaf/67152380123601762076
Identifiant ORCID : 0000-0002-9813-9259
Identifiant HAL : laetitia-vincent

Utilisation dans Rameau

Le point d'accès peut être employé dans un point d'accès sujet
Le point d'accès ne peut s'employer qu'en élément initial

Informations sur la notice

Identifiant de la notice : 224897950
RCR créateur de la notice : 915389701
Date de création : 14-03-2018
RCR dernier modificateur de la notice : 914712103
Date de dernière modification : 05-09-2021 à 20 h 45

... Références liées : ...