Note publique d'information : Une etude theorique preliminaire a cette these a prevu que lorsque l'on introduit
un gaz de trous bidimensionnel (2d) dans un puits quantique de semiconducteur semimagnetique,
l'interaction entre les spins localises et les porteurs de charges induit une transition
de phase ferromagnetique. Nous avons mis au point l'elaboration d'un tel systeme a
base de tellurures en epitaxie par jets moleculaires, ainsi que la caracterisation
au niveau microscopique des interfaces, du dopage et du transfert de porteurs dans
le puits quantique. Ceci nous a permis d'elaborer des echantillons ayant donne lieu
a toute une serie d'etudes physiques. Le dopage par modulation d'heterostructures
de semiconducteurs ii-vi a base de tellure en epitaxie par jets moleculaires n'avait
ete realise jusqu'a notre etude que pour un dopage de type n, sur des structures comportant
du cdmgte comme materiau barriere, avec peu de magnesium. Or cet alliage est la clef
de la realisation d'un bon confinement quantique dans les tellurures, surtout pour
le dopage de type p ou la concentration en mg doit etre augmentee. L'utilisation d'une
source d'azote ecr, dopant de type p, et l'optimisation des parametres de la croissance
ont permis l'obtention d'un gaz de trous 2d de bonne densite, comme le montrent la
spectroscopie optique, l'effet hall et la capacite-tension. L'etude de structures
interdiffusees par sims, diffraction de rayon x et spectroscopie optique, nous a de
plus permis de mieux comprendre les mecanismes de degradation en cours de croissance
de nos couches comportant du magnesium, et dopees a l'azote. Un modele base sur la
diffusion de l'azote a ete propose. Il a ensuite ete possible de realiser des structures
semimagnetiques dans lesquelles l'interaction entre un gaz de trous 2d et des spins
localises de manganese a permis la mise en evidence de la transition de phase ferromagnetique
attendue theoriquement. Par ailleurs, un nouveau dopant de type n pour l'epitaxie
par jets moleculaire des tellurures a ete teste avec succes sur des couches epaisses,
ainsi que pour des heterostructures. Il s'agit de l'aluminium, dont le domaine d'utilisation
est plus etendu que les autres dopants utilises jusqu'a present, puisqu'il permet
d'obtenir une bonne efficacite meme sur des couches comportant du magnesium.
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