Identifiant pérenne de la notice : 22663177X
Notice de type
Notice de regroupement
Note publique d'information : Les capacités MIM (Métal/Isolant/Métal), au coeur de cette étude, sont des composants
intégrés entre les niveaux d'interconnections. Le développement de nouvelle architecture
en trois dimensions impose de déposer les films ultraminces constituant la capacité
MIM de manière très conforme. Ce qui conduit à utiliser un nouveau procédé de dépôt
: la méthode ALD assistée par plasma ou PEALD. De plus l'augmentation des performances
électriques des MIM passe par une maîtrise des propriétés des électrodes et des interfaces
créées entre le diélectrique et les électrodes métalliques. Les matériaux développés
dans cette étude sont Ti- N-C and W-N- C, déposés par PEALD à partir de précurseurs
organométalliques TDMAT et BTBMW. Une étude sur les propriétés physico-chimiques et
électriques des films est effectuée ainsi que l'intégration de ces films dans les
capacités MIM.
Note publique d'information : MIM (Metal Insulator Metal) capacitors are widely integrated for RF and analog applications.
The 3D architecture allows a capacitance density gain but require high conformality
deposition technique to get conformal layers and high performance. PEALD method was
used for the electrode and dielectric thin films deposition. Electrodes must exhibit
a low resistivity, present a high work function and exhibit a good chemical compatibility
with the dielectric material. To address these issues, Ti-N-C and W-N-C films have
been investigated and deposited from organometallic precursors TDMAT et BTBMW. Chemical
and electrical properties of the elaborated films and their integration as electrode
in MIM capacitors are investigated.