Note publique d'information : Nous avons étudié à température ambiante le retournement de l'aimantation par microscopie
magnéto-optique Kerr longitudinale de trois couches minces La0,7Sr0,3MnO3 (LSMO)
déposées sur des substrats SrTiO3 vicinaux et non vicinaux. Ce matériau ferromagnétique
à température ambiante présente un intérêt pour la réalisation des dispositifs magnétorésistifs
non refroidis. Avant de concevoir un capteur magnétorésistif, il est indispensable
de comprendre le comportement magnétique du matériau qui le constitue. Nous avons
observé trois types de retournement de l'aimantation (retournement par nucléation
et propagation de parois, retournement cohérent, ou mélange des ces deux types). Nous
avons montré l'effet de plusieurs paramètres (orientation du champ magnétique par
rapport aux marches et au courant électrique, taille du motif et épaisseur de la couche).
Une dépendance temporelle du retournement de l'aimantation a été également remarquée.
La magnétorésistance à très faible champ magnétique est influencée par la présence
ou l'absence de parois de domaine et par l'orientation du champ par rapport au courant
et marches. La mesure des différentes sensibilités magnétiques conduit à une sensibilité
de 1000 %/T dans l'échantillon vicinal de petite épaisseur, ce qui est dix fois plus
que dans une couche non vicinale, tout en conservant le même niveau de bruit à basse
fréquence. Ces résultats ouvrent donc des perspectives intéressantes en termes d'applications.
Note publique d'information : We studied at room temperature the magnetization reversal of three samples patterned
in La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO) thin films deposited on vicinal and on non vicinal SrTiO3
substrates by longitudinal Kerr microscopy. LSMO is a ferromagnetic material at room
temperature and is promising for uncooled magnetoresistive devices. Before designing
a magnetoresistive sensor, it is important to understand the magnetic behavior of
the material. We observed three types of magnetization reversal (by nucleation and
propagation of domain walls, coherent rotation, or a mixture of both types). We have
shown the effect of several parameters, such as the magnetic field orientation with
respect to the steps and to the current, the device size and the layer thickness.
The effect of time on the magnetization reversal was also pointed out. The very low
field magnetoresistance at room temperature is strongly influenced by the presence
or absence of domain walls and by the magnetic field orientation with respect to the
current and steps. The magnetic sensitivities were about 1000 % / T in the vicinal
film with small thickness, which is ten times more than in a non vicinal film. In
the mean time, no increase of the low frequency noise was observed, which opens interesting
perspectives in terms of applications.