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Identifiant IdRef : 236135724Copier cet identifiant (PPN)
Notice de type Personne

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Boige, François (1992-.... ; docteur en génie électrique)

Information

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Langue d'expression : Francais,Anglais
Pays : France
Date de naissance :    1992
Genre : Masculin

Notes

Note publique d'information : 
Co-auteur d'un article en électronique

Note publique d'information : 
Auteur d'une thèse en Génie électrique, Toulouse INP en 2019

Note publique d'information : 
Membre du LAboratoire PLAsma et Conversion d’Energie (Laplace) à l'INP-ENSEEIHT de Toulouse (en 2019)

Source

Caractérisation et modélisation électrothermique compacte étendue du MOSFET SiC en régime extrême de fonctionnement incluant ses modes de défaillance : Application à la conception d'une protection intégrée au plus proche du circuit de commande/ François Boige ; Sous la direction de Frédéric Richardeau. Thèse de doctorat : Génie électrique : Toulouse, INPT, 2019

Physical Origin of the Gate Current Surge During Short-Circuit Operation of SiC MOSFET / François Boige, David Trémouilles, Frédéric Richardeau, 2019. IEEE Electron Device Letters, 40 (5). 666-669

Autres identifiants

Identifiant ORCID : 0000-0002-0225-4595

Utilisation dans Rameau

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