Note publique d'information : METALLISER LA SURFACE D'UN MATERIAU POLYMERE THERMIQUEMENT FRAGILE EST UN PROBLEME
QUI INTERESSE AUSSI BIEN LA MICRO-ELECTRONIQUE QUE LA CONSTRUCTION MECANIQUE, VOIRE
LA DECORATION. DANS CE CONTEXTE, NOUS AVONS MIS AU POINT UN PROCEDE DE DEPOT DE CUIVRE
A BASSE TEMPERATURE (100-120\C) EN UTILISANT LA TECHNIQUE DU DEPOT CHIMIQUE EN PHASE
VAPEUR A PARTIR D'UN COMPLEXE ORGANOMETALLIQUE (OMCVD). DANS UN PREMIER TEMPS, LES
FILMS SONT PREPARES A PARTIR DU PRECURSEUR DE CUIVRE(I), (COD)CU(HFA) AUSSI BIEN EN
REACTEUR A PAROIS CHAUDES QU'A PAROIS FROIDES. MALGRE UNE OPTIMISATION DES CONDITIONS
OPERATOIRES, LA VITESSE DE CROISSANCE EST FAIBLE. LE TAUX DE NUCLEATION RESTE BAS,
CONDUISANT A DES MICROSTRUCTURES PEU FAVORABLES A UNE BONNE CONDUCTION ELECTRIQUE.
POUR AMELIORER LA QUALITE DES FILMS, NOUS AVONS OPERE SOUS ACTIVATION PHOTONIQUE.
SOUS L'EFFET D'UN RAYONNEMENT UV AU SEIN DU REACTEUR A PAROI FROIDE, LES DEPOTS DE
CUIVRE SE FORMENT MIEUX ET A PLUS BASSE TEMPERATURE. PAR EXEMPLE, CETTE TECHNIQUE
SEULE PERMET DE METALLISER DES FILMS POLYSTYRENE A DES TEMPERATURES AUSSI BASSES QUE
100\C. DES PRETRAITEMENTS, TELS QUE L'ACTION D'UN PLASMA OXYGENE SUR LA SURFACE D'UN
MATERIAU COMPOSITE ORGANIQUE, ONT EGALEMENT PERMIS D'AMELIORER LE TAUX DE NUCLEATION
DU CUIVRE ET DONC LA MICROSTRUCTURE ET LA CONDUCTIVITE DES FILMS. CETTE ETUDE S'EST
APPUYEE SUR DES CORRELATIONS ENTRE L'ENERGIE DE SURFACE, LA NATURE CHIMIQUE DES GROUPEMENTS
FONCTIONNELS ET LA VARIATION DU TAUX DE NUCLEATION DU CUIVRE SUR LA SURFACE TRAITEE.
ON MONTRE EN PARTICULIER, QUE LE DEPOT DE CUIVRE SE FAIT D'AUTANT PLUS FACILEMENT
QUE LA SURFACE POSSEDE DE NOMBREUSES FONCTIONS OXYGENEES. DES DEPOTS DE CUIVRE ONT
EGALEMENT ETE REALISES A PARTIR D'UN NOUVEAU PRECURSEUR DE CUIVRE(I), LE COMPLEXE
(MHY)CU(HFA). SI, SOUS ACTIVATION THERMIQUE, LES VITESSES DE CROISSANCE SONT TRES
ELEVEES, ELLES SONT CONSIDERABLEMENT ABAISSEES SOUS ACTIVATION PHOTONIQUE. LA DIFFERENCE
DE COMPORTEMENT DES DEUX PRECURSEURS EN PHOTO-CVD EST DISCUTEE.