Identifiant pérenne de la notice : 247484032
Notice de type
Notice de regroupement
Note publique d'information : La technique d'implantation ionique par immersion plasma (piii) consiste a appliquer
a un substrat conducteur plonge dans le plasma des impulsions negatives haute tension.
Les ions positifs presents dans le plasma sont alors acceleres vers la surface du
substrat ou ils sont implantes. Les principaux avantages de la technique piii par
rapport a l'implantation par faisceau d'ions sont de pouvoir traiter facilement des
formes complexes ou des grandes surfaces, et de preparer les surfaces sous bombardement
ionique de faible energie avant l'etape d'implantation. Par contre, la selection des
ions en masse n'est pas possible. En raison de l'expansion de la gaine ionique (quelques
dizaines de cm), des volumes importants de plasma a bas pression autour du substrat
sont necessaires. Pour cette raison, les decharges multipolaires, qui permettent une
ionisation peripherique face au substrat et autorisent l'extension d'echelle des plasmas
a basse pression, sont bien adaptees au procede piii. Cependant, l'utilisation des
filaments pour produire des plasmas reactifs dans les structures multipolaires doit
etre supprimee au profit des sources plasmas decr (resonance cyclotronique electronique
distribuee). Le principe et les performances des plasmas decr sont presentes. Pour
produire les impulsions haute tension - fort courant necessaires au procede piii,
des generateurs utilisant des transformateurs d'impulsions, ou la tension au primoire
est pilotee par des commutateurs a transition et ou l'energie est stockee a basse
tension, ont ete developpes. Les performances enregistrees avec ce type de generateur
d'impulsions (100 kv - 100 a) ont ete obtenues d'abord sur une resistance test, plus
sur un substrat plonge dans un plasma. Finalement les potentialites et les performances
du dispositifs d'implantation sont demontrees a partir de quelques exemples d'applications
choisis pour leur caractere illustratif.
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Documentation
