Étude des propriétés structurales, électroniques et magnétiques des couches minces
épitaxiées de cerium
Variante de point d'accès
Study of the structural, electronic and magnetic properties of epitaxial cerium thin
films
Notes
Note publique d'information :
Les proprietes structurales, electroniques et magnetiques de couches minces epitaxiees
de cerium ont ete etudiees avec l'objectif de mieux connaitre l'element ce lui meme,
ainsi que d'effectuer une premiere etude d'un systeme de basse dimensionnalite presentant
des proprietes de type reseau kondo. Les couches ont ete preparees sous ultra-vide
par depot laser pulse sur une couche tampon de w(110) ou de wnb(110), elle meme initialement
epitaxiee sur un substrat d'al#2o#3(1120). Une nouvelle methode originale de croissance
des couches tampon a ete developpee, qui permet une croissance parfaitement bidimensionnelle
des les plus faibles epaisseurs. Les couches de ce croissent dans la phase gamma (cfc)
selon les plans (111), avec une relation d'epitaxie de type nichiyama-wassermann.
Aucune deformation n'a pu etre etablie dans toute la gamme d'epaisseur etudiee. Une
etude de diffraction x en geometrie planaire a montre que la phase gamma est conservee
a basse temperature. La conservation de la phase gamma a ouvert la voie a l'etude
approfondie des proprietes physiques de cette phase dans des couches minces. Les proprietes
magnetiques et de structure electronique ont ete estimees a partir de mesures de spectroscopie
d'absorptions des rayons x (xas) en lumiere polarisee circulairement (xmcd) aux seuils
m#4#,#5dece. Les dependances thermiques de l'ensemble des grandeurs physiques correspondantes
revelent la presence d'un effet de type impurete kondo couple a des effets de champ
cristallin, l'intensite de ce champ differant a l'interface et dans le massif. Les
mesures de resistivite magnetique amenent aux memes conclusions mais elles revelent
en plus des effets specifiques associes a la presence d'un reseau kondo-anderson.
Aux bassees epaisseurs une augmentation importante de la resistivite magnetique est
observee, induite par des phenomenes d'interference entre, d'une part, l'effet kondo
et, d'autre part, les interactions entre les electrons et la localisation faible.