Identifiant pérenne de la notice : 247834696
Notice de type
Notice de regroupement
Note publique d'information : Le sujet de thèse porte sur la réalisation d’un microsystème intégrant un capteur
à effet Hall et son électronique de traitement à basse température (<600°C) sur substrat
de verre. La première partie de ce travail a consisté à concevoir l’électronique de
traitement. Dans un premier temps, un modèle semi–empirique de la technologie couches
minces basse température a été développé permettant de prévoir le comportement en
fréquence des TFTs en silicium polycristallin. Dans un deuxième temps, une série de
simulations nous a permis de dimensionner plusieurs amplificateurs différentiels et
d’estimer leur comportement en fréquence. Enfin les premières réalisations et caractérisations
de ces amplificateurs différentiels ont pu avoir lieu. Les premiers résultats obtenus
nous ont permis de valider à la fois le modèle développé et la possibilité de réaliser
des dispositifs électroniques complexes en technologie couches minces à basse température.
La dernière étape a consisté à réaliser et caractériser le microsystème complet intégré
sur un même substrat de verre.
Note publique d'information : This study deals with the achievement of a microsystem integrating a Hall effect sensor
and its processing electronic at low temperature (<600°C) on a glass substrate. The
first step of this work consisted in designing the processing electronic. First, a
semi-empirical model of thin films technology at low temperature has been developed
to predict the frequency behaviour of polycrystalline silicon TFTs. In a second step,
simulations allowed us to design several differential amplifiers and estimate their
frequency behaviour. Finally, the first achievements and characterizations of these
differential amplifiers have been done. The first results allow us to validate the
model developed and the feasibility of fabricating complex electronic devices with
thin films technology at low temperature. The last step consisted in achieving and
characterizing the complete chip on the same glass substrate.
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Documentation
