Identifiant pérenne de la notice : 247839825
Notice de type
Notice de regroupement
Note publique d'information : COMME SUITE A SON INTRODUCTION DANS LA TECHNOLOGIE BIPOLAIRE, LE MATERIAU SIGE A ETE
ETUDIE EN VUE DE SON INTRODUCTION DANS LES TECHNOLOGIES CMOS STANDARD (<0,15M) OU
ALTERNATIVES. A L'AIDE D'UNE MACHINE CVD MONO-PLAQUE INDUSTRIELLE, PLUSIEURS TYPES
D'ALLIAGES SIGE ONT ETE ETUDIES, DEVELOPPES ET TESTES DANS DIFFERENTES APPLICATIONS.
APRES AVOIR DEGAGE LES PRINCIPAUX MECANISMES INTRINSEQUES (PARAMETRES DE DEPOTS) ET
EXTRINSEQUES (PREPARATION DE SURFACE) QUI CONDUISENT A L'OBTENTION DE COUCHES MONO
OU POLYCRISTALLINES DE SIGE AYANT DES CONCENTRATIONS EN GE VARIANT ENTRE 0 ET 100%,
DES EMPILEMENTS PLUS COMPLEXES DE TYPE SI/SIGE ONT ETE DEVELOPPES. LA PREMIERE APPLICATION
A CONCERNE L'OBTENTION DE COUCHES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPE ARSENIC ET SON INTEGRATION
AVEC LA SURFACE SOUS JACENTE COMME EMETTEUR DE TRANSISTOR BIPOLAIRE. ENSUITE, UNE
GRILLE DUALE POLYCRISTALLINE SI, SIGE A ETE DEVELOPPEE POUR LE CMOS ET UTILISEE DANS
DES CMOS 0,18 M. PUIS L'ETUDE S'EST FOCALISEE SUR L'OBTENTION DE SUBSTRATS RELAXES
DE SIGE (LA CONCENTRATION DE GE POUVANT VARIER ENTRE 0 ET 100%). UNE APPLICATION DE
CONTINUITE DE TYPE CMOS A UTILISE DE TELS SUBSTRATS RELAXES SUR LESQUELS UNE COUCHE
CONTRAINTE DE SI A JOUE LE ROLE DE COUCHE ACTIVE POUR OBTENIR UNE MOBILITE D'ELECTRONS
ELEVEE DANS DES TRANSISTORS. UNE APPLICATION PLUS AVANCEE DE CES SUBSTRATS A CONSISTE
A UTILISER LES COUCHES DE GE RELAXEES SUR SI COMME PRECURSEUR A L'HETEROEPITAXIE D'ASGA.
LES DIFFERENTS MATERIAUX ETUDIES ET DEVELOPPES SE SONT INSCRITS DANS UNE OPTIQUE INDUSTRIELLE,
C'EST A DIRE, EN APPORTANT UNE PARTICULIERE ATTENTION AU COUPLE DEBIT DE PLAQUE, COUT
LORS DU DEVELOPPEMENT DE PROCEDES. LES DIFFERENTES ETUDES MATERIAUX ONT AINSI DONNE
LIEU A DES APPLICATIONS INNOVANTES QUI ONT MONTRE L'INTERET DES ALLIAGES SIGE A FORTE
CONCENTRATION DE GE.
paprika.idref.fr
data.idref.fr
Documentation
