Identifiant pérenne de la notice : 247841501
Notice de type
Notice de regroupement
Note publique d'information : Ce travail de thèse est consacré à la mise au point d'une technologie de cristallisation
de silicium, déposé sur verre, à l'aide d'un laser argon continu. L'objectif est d'obtenir
des couches de polysilicium possédant des propriétés électriques optimales en vue
de leur utilisation pour la fabrication de transistors en couches minces. Une grande
partie de ce travail a donc consisté à développer la technologie de cristallisation
laser, par le passage en phase liquide du silicium déposé. Une optimisation du procédé
a conduit à l'obtention de grains présentant une taille pouvant atteindre plusieurs
dizaines de microns. Les premiers transistors fabriqués possèdent néanmoins un courant
à létat bloquant trop élevé. La solution qui semble la mieux adaptée pour s'affranchir
de ce problème consiste à cristalliser la couche de silicium à laide d'un double recuit,
en phase solide. La mobilité des transistors fabriqués selon cette méthode atteint
145 cm2/V.s avec une dispersion n'excédant pas 7 %.
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Documentation
