Identifiant pérenne de la notice : 247847739
Notice de type
Notice de regroupement
Note publique d'information : CE MEMOIRE PRESENTE LES RESULTATS D'UNE MODELISATION ET D'UNE ETUDE DE FAISABILITE
TECHNOLOGIQUE D'UN PHOTORECEPTEUR INTEGRANT UN DETECTEUR HGCDTE A UN TRANSISTOR A
EFFET DE CHAMP GAAS. LA MODELISATION VISE LA DEFINITION DE CERTAINES REGLES D'OPTIMISATION
DES PARAMETRES TECHNOLOGIQUES ET ELECTRIQUES, DIRECTEMENT UTILISABLES LORS DE LA PHASE
DE CONCEPTION DU DISPOSITIF. LES PRINCIPALES CARACTERISTIQUES ETUDIEES SONT D'UNE
PART, LE FACTEUR DE BRUIT ET LE RAPPORT DE LA TRANSCONDUCTANCE SUR LE CARRE DE LA
CAPACITE POUR LE TRANSISTOR ET D'AUTRE PART, LE RENDEMENT QUANTIQUE, LA REPONSE SPECTRALE
ET LA DETECTIVITE DU PHOTOCONDUCTEUR. LA SIMULATION DU PHOTORECEPTEUR MONTRE QUE LE
TRANSISTOR CONTRIBUE A AUGMENTER LA REPONSE DU PHOTOCONDUCTEUR ET CECI POUR UNE FAIBLE
PERTE EN DETECTIVITE. LE PRINCIPE TECHNOLOGIQUE RETENU EST CELUI DE L'ASSOCIATION
ENTRE UNE EPITAXIE LOCALISEE DE HGCDTE SUR GAAS ET L'ELABORATION D'UN TRANSISTOR A
EFFET DE CHAMP GAAS A GRILLE SEMI-CONDUCTRICE GAALAS. A L'ISSU DU TRAVAIL DE TECHNOLOGIE,
IL APPARAIT QUE LA DIFFICULTE MAJEURE DE COMPATIBILITE SE SITUE AU NIVEAU DE LA PLANEITE
DE SURFACE DU HGCDTE. LES RESULTATS DES CARACTERISATIONS ELECTRIQUES DES TRANSISTORS
SONT SATISFAISANTS, MAIS CEUX DES PHOTOCONDUCTEURS MONTRENT QUE LES COUCHES DE HGCDTE
SONT ENCORE TRES PERTURBEES. DE TOUTE EVIDENCE, AUSSI BIEN AU NIVEAU TECHNOLOGIQUE
QUE SUR LE PLAN DES PERFORMANCES ELECTRIQUES ET OPTIQUES, LA RESOLUTION DES PROBLEMES
PASSERA PAR LA MAITRISE DE LA QUALITE DES INTERFACES A L'EPITAXIE LOCALISEE DE HGCDTE
SUR SUBSTRAT GAAS
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