Identifiant pérenne de la notice : 247851132
Notice de type
Notice de regroupement
Note publique d'information : Une étude expérimentale et par simulation numérique du comportement électrique statique
ainsi que du bruit en 1/f a été menée dans des TFTs en silicium polycristallin à canal
N. Des structures dont le silicium est cristallisé en phase solide par recuit thermique
(technologie basse température inférieure ou égale à 600°C) et polarisé en régime
linéaire pour des tensions de grille variant de la région sous le seuil à la région
au dessus de seuil de conduction, ont servi de support à cette étude. L'analyse expérimentale
montre que le courant de drain est thermiquement activé et qu'il obéit à l'effet Meyer-Neldel.
De plus, le paramètre de bruit macroscopique (alpha app), extrait de la relation empirique
de Hooge, croît avec la tension effective de grille dans la région sous le seuil de
conduction puis décroît au delà de la tension de seuil (10-2 <alpha app< 1). La distribution
des états profonds dans la bande interdite de l'oxyde proche de l'interface est déterminée
à partir du paramètre alpha app conformément au modèle de Mc Worther. Cette distribution
est reliée à l'effet MN. Les simulations numériques à l'aide du logiciel ISE-TCAD
mettent en évidence que l'effet MN est associé aux défauts de types liaisons pendantes
proches de l'interface le long du canal. De plus, les variations du paramètre microscopique
de bruit simulé (alpha H) avec la tension effective de grille sont corrélées à celles
du paramètre expérimental (10-3<alpha H<10-1). Le facteur correctif alpha app/alpha
H (<1) est d'autant plus petit que les inhomogénéités de volume dues aux défauts de
surface sont importants. Par ailleurs, les résultats numériques montrent que les sources
locales responsables du bruit en 1/f sont principalement localisées à l'interface.
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Documentation
