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URI de l'entité : http://www.idref.fr/253126002/idCopier cet URI
Notice de type Personne

Point d'accès autorisé

Pinault-Thaury, Marie Amandine (19..-....)

Sur le web

Information

(par souci de protection des données à caractère personnel, le jour et le mois de naissance peuvent ne pas être affichés)
Date de naissance :    19XX

Notes

Note publique d'information : 
Chargée de recherche HDR à l'université de Versailles Saint-Quentin

Identifiants externes

Identifiant HAL : marie-amandine-pinault-thaury
Identifiant ORCID : 0000-0001-7843-9935
Identifiant VIAF : http://viaf.org/viaf/44161512238970562388
Identifiant SCOPUS : 6701426364

Source

R. Intartaglia, T. Taliercio, P. Valvin, B. Gil, P. Lefèbvre, et al.. Isoelectronic traps in heavily doped GaAs:(In,N). Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics, American Physical Society, 2003, 68 (23), pp.235202.1-235202.5. (10.1103/PhysRevB.68.235202). (hal-00327975)

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