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URI de l'entité : http://www.idref.fr/258587237/idCopier cet URI
Notice de type Personne

Point d'accès autorisé

Horsman, Dominic (19..-.... ; auteur en physique de la matière condensée)
Nom à l'état civil

Sur le web

Information

(par souci de protection des données à caractère personnel, le jour et le mois de naissance peuvent ne pas être affichés)
Langue d'expression : anglais
Pays : France
Date de naissance :    19XX
Genre : Masculin

Notes

Note publique d'information : 
Membre de jury pour une thèse en Physique de la matière condensée et du rayonnement soutenue à Université Grenoble Alpes en 2021

Identifiants externes

Identifiant VIAF : https://viaf.org/viaf/116163936361700831885
Identifiant SCOPUS : 56684716700

Source

Circuits supraconducteurs en technologie silicium / Tom Vethaak ; sous la direction de François Lefloch et Fabrice Nemouchi. Thèse de doctorat : Physique de la matière condensée et du rayonnement : Université Grenoble Alpes : 2021

... Références liées : ...