cx b22 3 45 261086693 http://www.idref.fr/261086693 20220319 20240430152515.000 384212103 384212103 Tb5 40210 HAL 20220319 http://viaf.org/viaf/6857164963969624300009 VIAF VIAF 20240417 20220319afrey50 ba0 fre eng 639-2 FR 200X 201X 2007 2019 0 1 0 y 0 AFNOR ba0yba0y frefre 0 Département intégration hétérogène sur silicium Grenoble, Isère, France 200.-201. ba0yba0y Département du Léti, CEA-Grenoble ba0yba0y Département électricité et hydrogène pour les transports Grenoble ba0yba0y DIHS ba0yba0y LETI/DIHS ba0yba0y CEA/DRT/LETI/DIHS Laboratoire de rattachement 157496538 x|xqx ba0yba0y Laboratoire d'innovation pour les technologies des énergies nouvelles et les nanomatériaux Grenoble Direction de rattachement 067087930 x|xqx ba0yba0y Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives France Direction de la recherche technologique FR Abes 20240430 AFNOR Arnaud Walther. Développement de couches magnétiques dures pour MEMS : application à un microswitch magnétique bistable. Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université JosephFourier - Grenoble I, 2007. Français. tel-00348109 Département intégration hétérogène sur silicium (Grenoble, Isère, France ; 200.-201.) Département électricité et hydrogène pour les transports (Grenoble) DIHS LETI/DIHS CEA/DRT/LETI/DIHS