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Identifiant pérenne de la notice : 286312700Copier cet identifiant (PPN)
Notice de type Personne

Point d'accès autorisé

Tsoutsouva, Maria (19..-....)

Sur le web

Variantes de point d'accès

Tsoutsouva, Maria G.
[Nom de personne]
Tsoutsouva, M. G.
[Nom de personne]

Information

(par souci de protection des données à caractère personnel, le jour et le mois de naissance peuvent ne pas être affichés)
Langue d'expression : anglais
Pays : Grèce
Date de naissance :    19XX
Genre : Féminin

Notes

Note publique d'information : 
PhD en "Metallurgy and Materials Technology" de la National Technical University of Athens (en 2010). - Post-doctorante à l'INP de Grenoble (en 2011-2012). - Chercheuse à l'IM2NP de l'Université de Marseille (en 2015-2016). - Chercheuse à l'Office National d'Etudes et de Recherches Aérospatiales (ONERA) de Châtillon (en 2022)

Identifiants externes

Identifiant ORCID : 0000-0002-0146-7804
Identifiant SCOPUS : 36009395900

Source

C. F. Yang, M. G. Tsoutsouva, H. P. Hsu, C. W. Lan. Infrared measurement of undercooling during silicon solidification on bare and Si3N4 coated quartz substrates. Journal of Crystal Growth, 2016, 453, pp.130-137. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2016.08.026⟩. ⟨hal-01435275⟩

https://orcid.org/0000-0002-0146-7804

Information trouvée : PhD en "Metallurgy and Materials Technology" de la National Technical University of Athens (en 2010). - Post-doctorante à l'INP de Grenoble (en 2011-2012). - Chercheuse à l'IM2NP de l'Université de Marseille (en 2015-2016). - Chercheuse à l'Office National d'Etudes et de Recherches Aérospatiales (ONERA) de Châtillon (en 2022)

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