Identifiant pérenne de la notice : 204954878
Notice de type
Notice de regroupement
Note publique d'information : Le premier objectif de cette thèse est de déposer sur de la silice thermique une fine
couche d'oxynitrure de silicium (sio#xn#yh#z préparée par pecvd (plasma enhanced chemical
vapor deposition). Cette membrane doit être à la fois sensible aux protons et facilement
modifiable par greffage chimique. De plus, elle devrait être une bonne barrière de
diffusion. Il est possible de contrôler le nombre de sites de surfaces (si#2nh, sinh#2,
sih) en faisant varier le débit des gaz utilisés lors de dépôt (sih#4, nh#3, n#2o)
et de le vérifier par spectroscopie ir. La réponse au ph de la structure si/sio#2/sio#1#,#6#4n#0#,#4#1h#0#;#4#9
a été déterminée par des mesures c(v): 60 mv/ph. Apres un greffage chimique sur les
sites sinh/nh#2 de longues chaines alkyles (c18) pour rendre la membrane insensible
aux protons, la réponse au ph n'est plus que de 15 mv/ph. De plus une méthode d'impédance
électrochimique a été proposée permettant de suivre la qualité de l'encapsulation
des isfets. Nous avons travaillé en mode potentiostatique en superposant une tension
sinusoïdale à fréquence variable. Avant le disfonctionnement des isfets, trois étapes
ont pu être observées.
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Documentation
